背接触电池的制备方法及背接触电池技术

本申请提供了一种背接触电池的制备方法与背接触电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，在硅基底的背面进行扩散，形成第一掺杂层及位于所述第一掺杂层背离硅基底一侧表面上的氧化层，然后，去除第一区域背面的氧化层与第一掺杂层；在硅基底背面依次制备隧穿层与掺杂多晶硅层，然后，去除第二区域背面的掺杂多晶硅层；再依次进行清洗、镀膜与金属化，得到背接触电池。上述制备方法在第一掺杂层及掺杂多晶硅层的去除过程中，通过氧化层对第二区域进行保护，避免第二区域背面的第一掺杂层出现损伤，无需另行制备保护层，后续清洗亦较为方便，简化工艺，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
背接触电池的制备方法及背接触电池


[0001]本申请涉及太阳能电池生产
，尤其涉及一种背接触电池的制备方法及背接触电池。

技术介绍

[0002]随着光伏产业的迅速发展，国内外市场对太阳能电池效率与性能的要求也越来越高，这也推动众多厂商积极进行新型电池结构及生产工艺的研究。其中，TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池是通过在电池表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅层，提高电池表面钝化性能，降低金属接触复合电流，提升电池的开路电压与短路电流；背接触(Interdigitated back contact，IBC)电池是通过将电池的电极栅线全部设置在背面，避免正面电极栅线遮挡所带来的光学损失，最大限度地利用入射光，提高短路电流。
[0003]近来，业内已公开有将前述两种电池结构结合应用的技术方案，即将TOPCon钝化结构应用在IBC电池上，降低掺杂区与金属接触时的载流子复合，提高电池表面钝化性能。但其制备工艺较为复杂，耗时较长，成本较高，不利于产业化应用。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于：对硅基底进行表面处理，所述硅基底具有相邻的第一区域与第二区域；在硅基底的背面进行扩散，形成第一掺杂层及位于所述第一掺杂层背离硅基底一侧表面上的氧化层；去除第一区域背面的氧化层与第一掺杂层；在硅基底背面依次制备隧穿层与掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层的掺杂类型与第一掺杂层的掺杂类型相反；去除第二区域背面的掺杂多晶硅层；再依次进行清洗、镀膜与金属化。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在去除第二区域背面的掺杂多晶硅层后，对硅基底进行正面清洗，去绕镀；再对所述硅基底进行正面扩散，形成前表面场层，所述前表面场层的掺杂类型与掺杂多晶硅层的掺杂类型一致。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在进行正面扩散前，对所述硅基底的正面进行二次制绒。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述前表面场层的方阻控制在200～300ohm/sq。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧化层的厚度控制在30～100nm。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅基底采用N型硅片，所述第一掺杂层中的掺杂元素为硼，所述氧化层为硼硅玻璃层；所述掺杂多晶硅层中的掺杂元素为磷。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海燕，邓伟伟，蒋方丹，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：