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本申请提供了一种背接触电池的制备方法与背接触电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，在硅基底的背面进行扩散，形成第一掺杂层及位于所述第一掺杂层背离硅基底一侧表面上的氧化层，然后，去除第一区域背面的氧化层与第一掺杂层；在硅基底背面依次制...
该专利属于阿特斯阳光电力集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿特斯阳光电力集团股份有限公司授权不得商用。

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