高频振荡电路制造技术

本发明专利技术的一个目的是提供没有诸如Ｓ／Ｎ比因外部电磁干扰而降低等特性的高频振荡电路，其中第一和第二振荡晶体管的基极直接或经由在振荡频率下阻抗足够低的电容器连接在一起，从第一和第二振荡晶体管的发射极之间获得差分信号输出作为振荡输出。本发明专利技术的另一个目的是提供用于振荡电路并提供高Ｑ值因子的谐振电路以及使用此谐振电路的高频振荡电路，以使振荡电路ＩＣ具有高的Ｓ／Ｎ比。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高频振荡电路，包括第一和第二振荡晶体管，其特征在于所述第一和第二晶体管的基极直接或经由其阻抗在振荡频率下低于预定值的电容器连接起来，从所述第一和第二振荡晶体管的发射极之间获得差分信号输出作为振荡输出。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安藤敏晃，坂仓真，三浦毅，小杉裕昭，石田薰，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]