键合晶圆双面减薄对准的方法技术

本发明专利技术公开了一种键合晶圆双面减薄对准的方法。其包括提供键合晶圆，所述键合晶圆的第一面上包含有第一组标记；减薄所述键合晶圆的第二面；以所述第一组标记为对准标记在所述第二面上制作第二组标记；减薄所述第一面；以所述第二组标记为对准标记将减薄后的所述键合晶圆和光罩对准。本发明专利技术的键合晶圆双面减薄对准的方法采用先减薄键合晶圆的一面，然后在减薄的面上做对准标记，再减薄键合晶圆的另一面的方式，实现键合晶圆的双面减薄及和光罩的对准，避免了采用红外透射的方式对准而产生的对准精度不高和遇到有金属层情况红外线穿透能力不足的问题，具有高对准精度和即便遇到金属层也不影响对准的优点。属层也不影响对准的优点。属层也不影响对准的优点。

【技术实现步骤摘要】
键合晶圆双面减薄对准的方法


[0001]本专利技术属于半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种键合晶圆双面减薄对准的方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造过程中，为了实现器件的小型化、多功能化、高性能化，常常需要把两个晶圆键合起来，然后通过减薄的方式对键合后的晶圆进行双面减薄，改善芯片散热效果和封装体积。由于双面减薄后晶圆背面的对位标记会被研磨掉，所以对于双面减薄的键合晶圆只能通过红外透射的方式实现晶圆和光罩的对准，但是这种方式的对准精度主要取决于红外对准器的识别能力，通常红外对准器的识别能力较差，致使很难将晶圆和光罩精确对准，而且遇到有金属层的情况红外线穿透能力不足，也无法实现晶圆和光罩的对准。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中在键合晶圆双面减薄之后，只能通过红外透射的方式实现晶圆和光罩的对准，但红外对准精度不高，而且遇到有金属层情况红外线穿透能力不足的缺陷，提供一种键合晶圆双面减薄对准的方法。
[0004]本专利技术是通过以下技术方案解决上述技术问题的：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种键合晶圆双面减薄对准的方法，其特征在于，包括：提供键合晶圆，所述键合晶圆的第一面上包含有第一组标记；减薄所述键合晶圆的第二面；以所述第一组标记为对准标记在所述第二面上制作第二组标记；减薄所述第一面；以所述第二组标记为对准标记将减薄后的所述键合晶圆和光罩对准。2.如权利要求1所述的键合晶圆双面减薄对准的方法，其特征在于，所述键合晶圆包括正面键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆的背面为所述第一面，所述第一晶圆的背面为所述第二面。3.如权利要求1所述的键合晶圆双面减薄对准的方法，其特征在于，所述第一组标记和所述第二组标记分别包括两个标记。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李盈，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：