键合晶圆双面减薄对准的方法技术

本发明专利技术公开了一种键合晶圆双面减薄对准的方法。其包括提供键合晶圆，所述键合晶圆的第一面上包含有第一组标记；减薄所述键合晶圆的第二面；以所述第一组标记为对准标记在所述第二面上制作第二组标记；减薄所述第一面；以所述第二组标记为对准标记将减薄后的所述键合晶圆和光罩对准。本发明专利技术的键合晶圆双面减薄对准的方法采用先减薄键合晶圆的一面，然后在减薄的面上做对准标记，再减薄键合晶圆的另一面的方式，实现键合晶圆的双面减薄及和光罩的对准，避免了采用红外透射的方式对准而产生的对准精度不高和遇到有金属层情况红外线穿透能力不足的问题，具有高对准精度和即便遇到金属层也不影响对准的优点。属层也不影响对准的优点。属层也不影响对准的优点。

【技术实现步骤摘要】
键合晶圆双面减薄对准的方法


[0001]本专利技术属于半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种键合晶圆双面减薄对准的方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造过程中，为了实现器件的小型化、多功能化、高性能化，常常需要把两个晶圆键合起来，然后通过减薄的方式对键合后的晶圆进行双面减薄，改善芯片散热效果和封装体积。由于双面减薄后晶圆背面的对位标记会被研磨掉，所以对于双面减薄的键合晶圆只能通过红外透射的方式实现晶圆和光罩的对准，但是这种方式的对准精度主要取决于红外对准器的识别能力，通常红外对准器的识别能力较差，致使很难将晶圆和光罩精确对准，而且遇到有金属层的情况红外线穿透能力不足，也无法实现晶圆和光罩的对准。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中在键合晶圆双面减薄之后，只能通过红外透射的方式实现晶圆和光罩的对准，但红外对准精度不高，而且遇到有金属层情况红外线穿透能力不足的缺陷，提供一种键合晶圆双面减薄对准的方法。
[0004]本专利技术是通过以下技术方案解决上述技术问题的：
[0005]本专利技术提供一种键合晶圆双面减薄对准的方法，包括：
[0006]提供键合晶圆，所述键合晶圆的第一面上包含有第一组标记；
[0007]减薄所述键合晶圆的第二面；
[0008]以所述第一组标记为对准标记在所述第二面上制作第二组标记；
[0009]减薄所述第一面；
[0010]以所述第二组标记为对准标记将减薄后的所述键合晶圆和光罩对准。
[0011]较佳地，所述键合晶圆包括正面键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆的背面为所述第一面，所述第一晶圆的背面为所述第二面。
[0012]较佳地，所述第一组标记和所述第二组标记分别包括两个标记。
[0013]较佳地，所述提供键合晶圆的步骤，包括：
[0014]提供所述第一晶圆，所述第一晶圆的正面包含有第三组标记；
[0015]对准所述第三组标记对所述第一晶圆拍照，得到包含所述第一晶圆的照片；
[0016]提供第二晶圆，所述第二晶圆的背面包含有所述第一组标记；
[0017]将所述第一组标记和所述照片中第一晶圆的第三组标记对准后键合。
[0018]较佳地，所述第一组标记、所述第二组标记和所述第三组标记分别包括两个标记。
[0019]较佳地，减薄所述第一面后所述第一组标记被去除。
[0020]在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本专利技术各较佳实例。
[0021]本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术的键合晶圆双面减薄对准的方法采用先减薄键合晶圆的一面，然后在减薄的面上做对准标记，再减薄键合晶圆的另一面的方式，实现键合晶圆的双面减薄及和光罩的对准，避免了采用红外透射的方式对准而产生的对准精度不高和遇到有金属层情况红外线穿透能力不足的问题，具有高对准精度和即便遇到金属层也不影响对准的优点。
附图说明
[0022]图1为本专利技术实施例1的一种键合晶圆双面减薄对准的方法的流程图；
[0023]图2为本专利技术实施例1中步骤S11的流程图；
[0024]图3为本专利技术实施例1中键合晶圆的剖面结构示意图；
[0025]图4为本专利技术实施例1中减薄第一晶圆的背面、制作完第二组标记后的剖面结构示意图；
[0026]图5为本专利技术实施例1中减薄第二晶圆的背面后的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。
[0028]实施例1
[0029]图1示出了本实施例的一种键合晶圆双面减薄对准的方法。其包括以下步骤：
[0030]步骤S11：提供键合晶圆，键合晶圆的第一面上包含有第一组标记。
[0031]步骤S12：减薄键合晶圆的第二面。
[0032]步骤S13：以第一组标记为对准标记在第二面上制作第二组标记。
[0033]步骤S14：减薄第一面。
[0034]步骤S15：以第二组标记为对准标记将减薄后的键合晶圆和光罩对准。
[0035]在一种可选方式中，键合晶圆可以包括正面键合的第一晶圆和第二晶圆，也就是第一晶圆的正面和第二晶圆的正面键合。此时，第二晶圆的背面为键合晶圆的第一面，第一晶圆的背面为键合晶圆的第二面。具体到步骤S11中，第一组标记包含于第二晶圆的背面；步骤S12中，从第一晶圆的背面减薄第一晶圆，其中减薄的厚度根据实际需求而定；步骤S14中，从第二晶圆的背面减薄第二晶圆，其中减薄的厚度根据实际需求而定，减薄第一面后第一组标记可以被去除，甚至可以减薄至更深的厚度。
[0036]在一种可选方式中，第一组标记和第二组标记可以分别包括两个标记。以两个标记为一组，由此实现键合晶圆和光罩的对准。
[0037]在一种可选方式中，图2示出了步骤S11的一种具体流程，其可以具体包括：
[0038]步骤S111：提供第一晶圆，第一晶圆的正面包含有第三组标记；
[0039]步骤S112：对准第三组标记对第一晶圆拍照，得到包含第一晶圆的照片；
[0040]步骤S113：提供第二晶圆，第二晶圆的背面包含有第一组标记；
[0041]步骤S114：将第一组标记和照片中第一晶圆的第三组标记对准后键合。
[0042]上述步骤仅是给出了步骤S11的一种流程，在此基础上的变形或步骤顺序调整同样落入本专利技术的保护范围，例如可以先提供做好第三组标记的第一晶圆和做好第一组标记
的第二晶圆，然后对准第三组标记对第一晶圆拍照，再将第一组标记和照片中第一晶圆的第三组标记对准后键合。
[0043]在一种可选方式中，第一组标记、第二组标记和第三组标记可以分别包括两个标记。以两个标记为一组，由此实现第一晶圆和第二晶圆的对准，以及实现键合和光罩的对准。
[0044]下面结合图3至图5对本实施例方法的上述各个步骤进行说明。
[0045]图3至图5是方法中各步骤对应的器件剖面结构示意图。
[0046]首先，提供第一晶圆100。第一晶圆100的正面包含有第三组标记，为分别位于左右两边的标记1和标记2。通过左右镜头对准标记1和标记2后拍照。然后，提供第二晶圆200。第二晶圆200的背面包含有第一组标记，为分别位于左右两边的标记3和标记4。再将标记3、标记4和照片中的标记1、标记2对准后键合成键合晶圆，得到图3所示的结构300。
[0047]对于图3所示的键合晶圆，进一步通过研磨或其他方式减薄第一晶圆100的背面，然后对准标记3和标记4在第一晶圆100的背面制作第二组标记，为分别位于左右两边的标记5和标记6，得到图4所示的结构400。
[0048]对于图4所示的结构，进一步通过研磨或其他方式减薄第二晶圆200的背面，去掉标记3和标记4，得到图5所示的结构500。以标记5和标记6为对准标记将结构500和光罩对准。
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种键合晶圆双面减薄对准的方法，其特征在于，包括：提供键合晶圆，所述键合晶圆的第一面上包含有第一组标记；减薄所述键合晶圆的第二面；以所述第一组标记为对准标记在所述第二面上制作第二组标记；减薄所述第一面；以所述第二组标记为对准标记将减薄后的所述键合晶圆和光罩对准。2.如权利要求1所述的键合晶圆双面减薄对准的方法，其特征在于，所述键合晶圆包括正面键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第二晶圆的背面为所述第一面，所述第一晶圆的背面为所述第二面。3.如权利要求1所述的键合晶圆双面减薄对准的方法，其特征在于，所述第一组标记和所述第二组标记分别包括两个标记。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李盈，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：