一种低温漂迟滞比较器制造技术

本发明专利技术公开一种低温漂迟滞比较器，属于模拟电路领域。所述低温漂迟滞比较器包括补偿电流产生模块和内部迟滞比较模块；所述补偿电流产生模块产生受工艺影响的补偿电流，将该模块产生的补偿电流提供给所述内部迟滞比较模块，所述内部迟滞比较模块能在实现迟滞传输特性的基础上，通过模块之间配合实现一种受工艺和温度影响低的低温漂迟滞比较器，针对宽温度范围的应用场景也能保证迟滞比较器的精确度。围的应用场景也能保证迟滞比较器的精确度。围的应用场景也能保证迟滞比较器的精确度。

【技术实现步骤摘要】
一种低温漂迟滞比较器


[0001]本专利技术涉及模拟电路
，特别涉及一种低温漂迟滞比较器。

技术介绍

[0002]使用一般比较器会出现在阈值点附近，由于噪声的影响会出现输出电平误触发现象。为应对噪声问题，使用迟滞比较器特有的传输特性，输出电压翻转时，此时输入电压对应有不同的正转折点电压和负转折点电压，通过迟滞比较器输出输入的双稳态特性，可以很好解决一般比较器出现输出电平误触发问题。
[0003]传统的迟滞比较器受工艺参数和温度影响较大，尤其在应用场景温度变化较大，工艺制程中工艺参数的影响较大时，常常会出现输入的正转折点电压或负转折点电压电平移位的现象，影响迟滞比较器的精确度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种低温漂迟滞比较器，以解决传统迟滞比较器中受工艺和温度影响而精确度降低的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种低温漂迟滞比较器，包括补偿电流产生模块和内部迟滞比较模块，
[0006]所述补偿电流产生模块产生电流提供给所述内部迟滞比较模块；
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温漂迟滞比较器，其特征在于，包括补偿电流产生模块和内部迟滞比较模块，所述补偿电流产生模块产生电流提供给所述内部迟滞比较模块；所述内部迟滞比较模块实现输出电压的迟滞输出特性，降低受温度的影响。2.如权利要求1所述的低温漂迟滞比较器，其特征在于，所述补偿电流产生模块包括NMOS管MN1～MN4、PMOS管MP5～MP10、输入端电压V1和V2、运算放大器AMP1和AMP2；运算放大器AMP1的正输入端连接输入端电压V1，负输入端连接NMOS管MN1的漏端，输出端连接PMOS管MP5的栅端；NMOS管MN1的漏端连接PMOS管MP5的漏端，栅端连接输入端电压V2；PMOS管MP5的源端连接PMOS管MP7的漏端；PMOS管MP7的栅端接自身漏端；PMOS管MP8的栅端连接PMOS管MP7的栅端，漏端连接NMOS管MN3的漏端；NMOS管MN3的栅端与NMOS管MN4的栅端连接；运算放大器AMP2的正输入端连接相同的输入端电压V1，负输入端连接NMOS管MN2的漏端，输出端连接PMOS管MP6的栅端；NMOS管MN2的漏端连接PMOS管MP6的漏端，栅端连接相同的输入端电压V2；PMOS管MP6的源端连接PMOS管MP10的漏端；PMOS管MP10的栅端接自身漏端；PMOS管MP9的栅端连接PMOS管MP10的栅端，漏端连接NMOS管MN4的漏端；NMOS管MN4的栅端连接自身漏端。3.如权利要求2所述的低温漂迟滞比较器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄东，邢向明，冯奕，唐茂洁，
申请(专利权)人：中科芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：