半导体结构及其制备方法、三维存储器技术

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的良率。半导体结构包括堆叠结构、多个连接部和多个接触部。堆叠结构包括交替层叠的多层栅极层和多层介质层。多个连接部，位于字线连接区；连接部包括远离堆叠结构的第一端面，第一端面呈中空的封闭形状。多个接触部位于字线连接区，一个接触部与一个第一端面接触，且接触部在参考面上的正投影的最大尺寸大于或等于第一端面的宽度。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。入操作。入操作。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法、三维存储器


[0001]本公开涉及半导体芯片
，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统和电子设备。

技术介绍

[0002]随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2D或者平面NAND闪存的存储密度接近上限。
[0003]为克服2D或者平面NAND闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(三维存储器，3D NAND)，通过将存储单元三维地布置在衬底之上来提高存储密度。
[0004]然而，现有的三维存储器存在良率低的问题，因此，如何提高三维存储器的良率，成为有待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，存储系统和电子设备，旨在改善半导体结构中容易出现断路的问题，以提高半导体结构的良率。
[0006]为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
[0007]一方面，提供一种半导体结构。所述半导体结构包括堆叠结构、多个连接部和多个接触部。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：堆叠结构，包括阵列区和字线连接区；所述堆叠结构包括交替层叠的多层栅极层和多层介质层，所述多层栅极层均从所述阵列区延伸至所述字线连接区；多个连接部，位于所述字线连接区；一层栅极层与至少一个连接部连接；所述连接部包括远离所述堆叠结构的第一端面，所述第一端面呈中空的封闭形状；以及，多个接触部，位于所述字线连接区，一个接触部与一个所述第一端面接触，且所述接触部在参考面上的正投影的最大直线尺寸大于或等于所述第一端面的宽度，所述参考面平行于所述栅极层，所述第一端面的宽度为所述第一端面的内边界与外边界之间的间距。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接触部穿过所述第一端面的内边界和外边界。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一端面包括沿周向设置的第一子端面和第二子端面，所述接触部穿过所述第一子端面的内边界和外边界，以及所述第二子端面的内边界和外边界。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一端面呈环形；所述接触部在所述参考面上的正投影呈矩形。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述连接部包括相互连接的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述栅极层同层且连接，所述第二部分向垂直于所述栅极层，且远离所述第一部分的方向延伸，以穿过部分所述堆叠结构，暴露出所述第二部分远离所述堆叠结构的端面，所述第二部分远离所述堆叠结构的端面为所述第一端面。6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，同一个所述连接部的第一部分与第二部分之间限定出第一凹槽；所述半导体结构还包括位于所述第一凹槽内的填充部，所述填充部包括绝缘材料。7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：覆盖层，位于所述堆叠结构上；所述覆盖层上开设有第二凹槽，所述第二凹槽暴露出所述第一端面的至少部分区域，所述接触部位于所述第二凹槽内。8.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：多个第一隔离结构，沿第一方向延伸且贯穿所述堆叠结构；所述多个第一隔离结构将所述堆叠结构划分为多个存储块；所述第一方向为由所述阵列区指向所述字线连接区的方向；其中，所述栅极层包括位于所述字线连接区内的两个第一分支，一个第一分支靠近一个所述第一隔离结构；至少一个所述连接部位于所述两个第一分支之间，且与所述栅极层的至少一个所述第一分支连接。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：多个第二隔离结构，贯穿所述堆叠结构，相邻两个第一隔离结构之间存在至少一个第二隔离结构；所述第二隔离结构包括多个子隔离结构，所述多个子隔离结构沿所述第一方向依次间隔设置；所述栅极层还包括位于所述字线连接区内的第二分支，所述第二分支与所述第二隔离结构接触；
所述连接部位于相邻的第一分支与第二分支之间，且与所述第一分支和/或所述第二分支连接。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括与所述栅极层同层设置的保留部，所述保留部位于所述字线连接区，且所述保留部位于相邻的第一分支与第二分支之间。11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：形成堆叠结构；所述堆叠结构包括阵列区和字线连接区；所述堆叠结构包括交替层叠的多层栅极层和多层介质层，所述多层栅极层均从所述阵列区延伸至所述字线连接区；在所述字线连接区形成多个连接部；一层栅极层与至少一个连接部连接；所述连接部包括远离所述堆叠结构的第一端面，所述第一端面呈中空的封闭形状；以及，在所述字线连接区形成多个接触部；一个接触部与一个所述第一端面接触，且所述接触部在所述参考面上的正投影的最大直线尺寸大于或等于所述第一端面的宽度，所述参考面平行于所述栅极层；所述第一端面的宽度为所述第一端面的内边界与外边界之间的间距。12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述形成堆叠结构包括：形成初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括交替层叠的多层介质层和多层牺牲层；形成多个沿第一方向延伸且贯穿所述初始堆叠结构的第一隔槽；所述第一隔槽将所述初始堆叠结构划分成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆福，顾妍，王迪，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：