一种阵列基板、显示装置以及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置以及制备方法，该阵列基板具体包括：衬底基板；多个隔离柱，间隔设置于所述衬底基板上，并且每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；以及多个微纳结构，至少呈周期性排列于每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；每个所述微纳结构均包括：层叠设置的第一疏水结构和第二疏水结构；综上所述，本申请采用上述结构的配合制备出超疏水结构，以使得像素区域的侧壁面与像素区域的下壁面的表面张力不同，从而保证像素液滴被聚集于像素区域内，而遗留于隔离柱的侧壁面上较少，有效改善像素串扰。有效改善像素串扰。有效改善像素串扰。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示装置以及制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示装置以及制备方法。

技术介绍

[0002]随着QLED(Quantum dot Light
‑
Emitting Diode)显示技术的发展，QLED显示面板的性能越来越好，其质量也越来越高，在QLED显示面板的生产制造过程中，通常可以利用喷墨打印技术将包含红、绿、蓝发光材料的像素液滴分别精确地沉积在相邻两个隔离柱之间的像素区域内，当溶剂挥发后形成纳米薄层，构成发光像素；但是在现有制造过程中，经常会出现像素液滴遗留于隔离柱的侧壁面上，从而导致出现像素串扰的技术问题。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种阵列基板、显示装置以及制备方法，以改善现有技术中陈列基板制备过程中容易出现像素串扰的技术问题。
[0004](一)技术方案
[0005]为实现上述目的，本专利技术第一方面提供了一种阵列基板，包括：
[0006]衬底基板；
[0007]多个隔离柱，间隔设置于所述衬底基板上，并且每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；
[0008]以及多个微纳结构，至少呈周期性排列于每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；每个所述微纳结构均包括：层叠设置的第一疏水结构和第二疏水结构。
[0009]作为本技术方案的可选方案之一，每相邻两个所述微纳结构之间的间距相同；
[0010]或者，每相邻两个所述微纳结构之间的间距沿着靠近所述隔离柱顶部方向逐渐减小。
[0011]作为本技术方案的可选方案之一，所述间距宽度的取值范围为作为本技术方案的可选方案之一，所述间距宽度的取值范围为其中，x为位于所述第一区域与隔离柱顶部相交处的两个微纳结构之间的间距宽度；y为所述隔离柱顶部到待测微纳结构之间的高度。
[0012]作为本技术方案的可选方案之一，所述第二疏水结构包括多个凸起结构，多个所述凸起结构等间距排列于所述第一疏水结构朝向所述像素区域的壁面上。
[0013]作为本技术方案的可选方案之一，所述第二疏水结构设置为磁性涂层。
[0014]作为本技术方案的可选方案之一，所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第二区域内还周期性排列有多个所述微纳结构，所述第二区域为所述像素液滴顶部与其底部之间的区域。
[0015]作为本技术方案的可选方案之一，设置于所述第二区域内磁性涂层的极性与像素液滴的极性相反，与设置于所述第一区域内磁性涂层的极性相同。
[0016]作为本技术方案的可选方案之一，每个所述隔离柱的顶部内还周期性排列有多个所述微纳结构。
[0017]作为本技术方案的可选方案之一，设置于顶部区域内的磁性涂层极性与设置于第一区域内磁性涂层的极性相同。
[0018]作为本技术方案的可选方案之一，所述隔离柱的底部朝向所述像素区域的壁面上还开设有凹槽。
[0019]作为本技术方案的可选方案之一，所述凹槽内设置有第一亲水结构。
[0020]作为本技术方案的可选方案之一，所述隔离柱的底部与所述衬底基板之间还设置有第二亲水结构，所述第二亲水结构与所述凹槽相连通。
[0021]作为本技术方案的可选方案之一，所述第二疏水结构设置为疏水涂层。
[0022]为实现上述目的，本专利技术第二方面提供了一种显示装置，包括：前述中任一项所述的陈列基板，每个像素区域内均填充有有机功能层。
[0023]为实现上述目的，本专利技术第三方面提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：
[0024]提供一个衬底基板；
[0025]在所述衬底基板上制备出间隔设置的多个隔离柱，以使得每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；
[0026]在每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内制备出第一疏水结构，其中，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；
[0027]在所述第一疏水结构上制备出第二疏水结构。
[0028]作为本技术方案的可选方案之一，所述在每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内制备出第一疏水结构的具体步骤包括：
[0029]在每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内通过纳米压印工艺制备出第一疏水结构。
[0030](二)有益效果
[0031]本专利技术与现有技术相比，具有以下有益效果：
[0032]本专利技术提供了一种阵列基板、显示装置以及制备方法，该阵列基板具体包括：衬底基板；多个隔离柱，间隔设置于所述衬底基板上，并且每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；以及多个微纳结构，至少呈周期性排列于每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；每个所述微纳结构均包括：层叠设置的第一疏水结构和第二疏水结构；综上所述，本申请采用上述结构的配合制备出超疏水结构，以使得像素区域的侧壁面与像素区域的下壁面的表面张力不同，从而保证像素液滴被聚集于像素区域内，而遗留于隔离柱的侧壁面上较少，同时提升像素区域的载液量有效改善像素串扰，最终提升显示装置的显示性能。
附图说明
[0033]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0034]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
[0035]图1是本专利技术中其中一个实施示出阵列基板的结构示意图；
[0036]图2是本专利技术中其中一个实施例示出微纳结构的截面图；
[0037]图3是本专利技术中另一个实施示出隔离柱与微纳结构配合的结构示意图；
[0038]图4是图3的局部放大图；
[0039]图5是本专利技术中另一个实施示出阵列基板的结构示意图；
[0040]图6是本专利技术中又一个实施示出阵列基板的结构示意图；
[0041]图7是图6的磁力方向示意图。
[0042]图中：1、隔离柱；2、微纳结构；3、第一疏水结构；4、第二疏水结构；5、凹槽；6、第二亲水结构；7、第一区域；8、第二区域。
具体实施方式
[0043]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0044]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明：
[0045]为了改善现有技术中陈列基板制备过程中容易出现像素串扰的技术问题，如图1<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；多个隔离柱，间隔设置于所述衬底基板上，并且每相邻两个所述隔离柱之间均限定出一个像素区域；以及多个微纳结构，至少呈周期性排列于每个所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第一区域内，所述第一区域为像素液滴顶部以上的区域；每个所述微纳结构均包括：层叠设置的第一疏水结构和第二疏水结构。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每相邻两个所述微纳结构之间的间距相同；或者，每相邻两个所述微纳结构之间的间距沿着靠近所述隔离柱顶部方向逐渐减小。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述间距宽度的取值范围为其中，x为位于所述第一区域与隔离柱顶部相交处的两个微纳结构之间的间距宽度；y为所述隔离柱顶部到待测微纳结构之间的高度。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二疏水结构包括多个凸起结构，多个所述凸起结构等间距排列于所述第一疏水结构朝向所述像素区域的壁面上。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二疏水结构设置为磁性涂层。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离柱朝向所述像素区域的壁面上的第二区域内还周期性排列有多个所述微纳结构，所述第二区域为所述像素液滴顶部与其底部之间的区域。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，设置于所述第二区域内磁性涂层的极性与像素液滴的极性相反，与设置于所述第一区域内磁性涂层的极性相同。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，每个所述隔离柱的顶部...

【专利技术属性】
技术研发人员：张渊明，郭晖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：