【技术实现步骤摘要】
显示器件及其制备方法
[0001]本申请属于半导体器件
，具体涉及显示器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]Micro
‑
LED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在0.1
‑
10微米量级，每一个LED像素都能自发光。由于同等面积的芯片上可以获得更高的集成数量，极大地提高了Micro
‑
LED微显示的集成密度，从而提升显示分辨率，同时保证高亮度，可以实现低能耗，高亮度，高分辨率的微型显示器设计。
[0003]目前，一些微显示器件采用设置Micro
‑
lens（微透镜）的方式提升Micro
‑
LED的发光效率，但是，在Micro
‑
LED的像素点上方直接制备Micro
‑
lens时，难以将像素点和Micro
‑
lens对准定位，存在制备难度大，产品良率不高的缺陷。
技术实现思路
[0004]专利技术目的：本申请提供显...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.显示器件的制备方法，其特征在于，包括：提供显示装置，所述显示装置包括阵列排布的多个像素点（100）；在所述像素点（100）上方形成栅格层（110），所述栅格层（110）包括阵列排布的多个栅格孔（111），所述栅格孔（111）相对于所述像素点（100）设置，所述像素点（100）发出的光通过所述栅格孔（111）出射；在所述栅格层（110）上形成微透镜阵列（113），所述微透镜阵列（113）包括阵列排布的多个微透镜单元（114），所述微透镜单元（114）相对于所述栅格孔（111）设置，且所述微透镜单元（114）覆盖所述栅格孔（111）。2.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，形成所述栅格层（110）包括：在所述像素点（100）上方形成栅格层涂层（110a），刻蚀所述栅格层涂层（110a）形成所述栅格孔（111）。3.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述微透镜阵列（113）之前，在所述栅格层（110）上形成透明层（115），所述透明层（115）填充所述栅格孔（111），所述微透镜阵列（113）覆盖在所述透明层（115）上方。4.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述微透镜单元（114）填充所述栅格孔（111）。5.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，形成所述微透镜阵列（113）包括：在所述栅格层（110）上形成微透镜材料层（113a），通过压印所述微透镜材料层（113a）形成所述微透镜阵列（113）。6.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，形成所述微透镜阵列（113）包括：在所述栅格层（110）上形成微透镜材料层（113a），并在所述微透镜材料层（113a）上形成前体层（116），通过刻蚀工艺将形成于所述前体层（116）上的微透镜图形（117）转印至所述微透镜材料层（113a），形成所述微透镜阵列（113）。7.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，形成所述微透镜阵列（113）包括：在所述栅格层（110）上形成微透镜材料层（113a），通过光刻、回流形成所述微透镜阵列（113）。8.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述微透镜阵列（113）之前，在所述栅格层（110）上形成反光层（112），所述反光层（112）至少覆盖所述栅格孔（111）的侧壁，所述像素点（100）发出的光中至少部分光经过所述反光层（112）的反射。9.根据权利要求8所述的显示器件的制备方法，其特征在于，形成所述反光层（112）包括：在所述栅格层（110）上形成反光材料层（112a）；通过干法刻蚀所述反光材料层（112a）形成所述反光层（112），所述反光层（112）仅覆盖所述栅格孔（111）的侧壁。10.根据权利要求8所述的显示器件的制备方法，其特征在于，沿着远离所述像素点
（100）的方向，所述栅格孔（111）的横截面尺寸逐渐变大使经过所述反光层（112）反射的光聚拢出射。11.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，包括：在所述像素点（100）上方覆设阻挡层（109），所述栅格层（110）...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄永漳，仉旭，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。