半导体用封装玻璃基板、半导体封装基板及半导体装置制造方法及图纸

本实施方式涉及一种半导体用封装玻璃基板、半导体封装基板及半导体装置等，上述半导体用封装玻璃基板包括：i)玻璃基板，具有相向的第一表面和第二表面；ii)多个芯通孔，在厚度方向上贯穿上述玻璃基板；及iii)芯层，位于上述芯通孔的表面上，包括成为形成导电层的籽晶的芯籽晶层或作为导电层的芯分配层，在上述玻璃基板的第一表面上，连接没有形成上述芯通孔的位置的直线即空白线上测定的应力和连接形成有上述芯通孔的位置的直线即通孔线上测定的应力的根据式1：P＝Vp

【技术实现步骤摘要】
半导体用封装玻璃基板、半导体封装基板及半导体装置
[0001]本申请是申请号为2020800114222、申请日为2020年3月27日、专利技术名称为“半导体用封装玻璃基板、半导体用封装基板及半导体装置”的专利申请的分案申请。


[0002]本实施方式涉及一种半导体用封装玻璃基板、半导体封装基板及半导体装置。
[0003]与关联申请的相互参照
[0004]本申请要求于2019年3月29日提交的美国临时申请专利申请号62/826,122和于2019年3月29日提交的美国临时申请专利申请号62/826,144的优先权的权益，上述优先权的基础申请全文通过引用包含于本文中。

技术介绍

[0005]在制造电子部件时，在半导体晶片上实现电路被称为前段(FE：Front
‑
End)工序，并且以能够实际产品中使用的状态组装晶片被称为后段(BE：Back
‑
End)工序，在该后段工序中包括封装工序。
[0006]作为最近实现电子产品快速发展的半导体行业的四项核心技术，有半导体技术、半导体封装技术、制造工艺技术和软件技术。半导体技术正在以各种形式发展，例如，微米以下的纳米单位的线宽、一千万个以上单元(Cell)、高速运行以及释放大量热量等，但是还得不到相对完全封装上述半导体的技术支持。因此，半导体的电性能有时取决于封装技术和相应的电连接，而不是取决于半导体技术本身的性能。
[0007]陶瓷或树脂用作封装基板的材料。陶瓷基板由于其高电阻值或高介电常数而难以搭载高性能高频半导体元件。树脂基板可以搭载相对高性能高频的半导体元件，但是在减小布线的间距方面存在局限性。
[0008]近来，正在进行将硅或玻璃适用于高端封装基板的研究。通过在硅或玻璃基板上形成通孔并将导电材料适用于该通孔，从而可以缩短元件和母板之间的布线长度，并且可以获得优异的电特性。
[0009]作为相关现有技术文献，有韩国公开专利公报第10
‑
2019
‑
0008103号、韩国公开专利公报第10
‑
2016
‑
0114710号及韩国授权专利公报第10
‑
1468680号等。

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的问题
[0011]本实施方式的目的在于可提供通过适用调节应力的玻璃基板来制备更集成化的半导体装置的半导体用封装玻璃基板、半导体用封装基板及半导体装置等。
[0012]用于解决问题的手段
[0013]为了达到上述目的，根据一个实施方式的半导体用封装玻璃基板包括：玻璃基板，具有相向的第一表面和第二表面；及多个芯通孔，在厚度方向上贯穿上述玻璃基板。
[0014]空白线为在上述玻璃基板的第一表面上连接没有形成上述芯通孔的位置的直线。
[0015]通孔线为在上述玻璃基板的第一表面上连接形成有上述芯通孔的位置的直线。
[0016]设P为同一玻璃基板上测定的应力差值，则上述P为基于第一式的值，并且上述P为1.5MPa以下，
[0017]式1：P＝Vp
‑
Np
[0018]在式1中，
[0019]Vp为通孔线上测定的应力的最大值和最小值之差，
[0020]Np为空白线上测定的应力的最大值和最小值之差。
[0021]上述Vp的值可以为2.5MPa以下。
[0022]上述Np的值可以为1.0MPa以下。
[0023]以上述玻璃基板的单位面积(1cm
×
1cm)为基准，可以设置100个至3000个上述芯通孔。
[0024]设K为同一玻璃基板的同一表面上测定的应力差比率，则上述K为基于第二式的值，上述K可以为6以下。
[0025]式2：K＝Lp/La
[0026]在式2中，
[0027]上述Lp为对于对象线测定的应力的最大值和最小值之差，
[0028]上述La为上述对象线上测定的应力的平均值。
[0029]上述对象线可以为空白线，上述半导体用封装玻璃基板的应力差比率K可以为2以下。
[0030]上述对象线可以为通孔线，上述半导体用封装玻璃基板的应力差比率K可以为6以下。
[0031]以上述玻璃基板的单位面积(1cm
×
1cm)为基准，可以设置100个至3000个上述芯通孔。
[0032]为了达到上述目的，根据另一实施方式的半导体封装基板包括：如上所述的半导体封装用玻璃基板，及芯层，位于上述芯通孔的表面上；上述芯层包括成为形成导电层的籽晶的芯籽晶层或作为导电层的芯分配层。
[0033]为了达到上述目的，根据另一实施方式的半导体装置包括：半导体元件部，包括一个以上的半导体元件；封装基板，与上述半导体元件部电连接；及母板，与上述封装基板电连接，向上述半导体元件传输外部电信号并使上述半导体元件和外部电信号相连接，上述封装基板为在上面说明的封装基板。
[0034]专利技术的效果
[0035]本实施方式的半导体用封装玻璃基板、半导体用封装基板及半导体装置通过使半导体元件和母板更紧密地连接，从而以尽可能短的距离传输电信号，因此能够显著改善信号传输速度等电特性。
[0036]另外，由于用作基板的芯的玻璃基板本身是绝缘体，因此与现有的硅芯相比，几乎不存在发生寄生元件的可能性，从而可以更加简化绝缘膜处理工序，并且可以适用于高速电路。
[0037]并且，与硅圆形晶片的制造相比，以大型面板的形式制造玻璃基板，因此相对容易批量生产，且可以进一步提高经济效率。
[0038]在本实施方式中，适用调节了应力的玻璃基板，因此即使形成芯通孔，也可以具有优异的机械特性。
附图说明
[0039]图1中，(a)部分为从顶部观察本专利技术的实施例中所适用的具有芯通孔的玻璃基板的示意图，(b)部分为说明芯通孔的截面的示意图。
[0040]图2为说明本专利技术中测定应力的方法的示意图，其中，(a)部分示出通孔线的应力测定路径，(b)部分示出空白线的应力测定路径。
[0041]图3为说明根据本专利技术的一实施例的半导体装置的截面的示意图。
[0042]图4为说明根据本专利技术的另一实施例的封装基板的截面的示意图。
[0043]图5和图6分别为说明根据本专利技术的实施例的封装基板的截面的一部分的详细示意图(圆圈示出从顶部或底部观察到的形状)。
[0044]图7至图9为以截面说明根据实施例的封装基板的制造过程的流程图。
具体实施方式
[0045]下面，参照附图来对本专利技术的实施例进行详细说明，以使本专利技术所属
的普通技术人员能够轻松实现本实施方式。本专利技术可通过多种不同的实施方式实现，并不限定于这里所说明的实施例。纵贯全文，相同的附图标记表示类似的部分。
[0046]在本说明书中，作为马库什型描述中包含的术语的“其组合”是指，从由马库什型描述的多个构成要素组成的组中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体用封装玻璃基板，其特征在于，包括：玻璃基板，具有相向的第一表面和第二表面，及多个芯通孔，在厚度方向上贯穿上述玻璃基板；通孔线为在上述玻璃基板的第一表面上连接形成有上述芯通孔的位置而形成的直线，Vp为在上述通孔线上测定的应力的最大值和最小值之差，上述玻璃基板的上述Vp的值为2.5MPa以下。2.根据权利要求1所述的半导体用封装玻璃基板，其特征在于，上述芯通孔在上述玻璃基板上以1.2mm以下的间距设置。3.根据权利要求1所述的半导体用封装玻璃基板，其特征在于，上述芯通孔包括：第一开口部，与上述第一表面相接，第二开口部，与上述第二表面相接，以及最小内径部，上述最小内径部为连接上述第一开口部和上述第二开口部的整个芯通孔中内径最窄的区域；上述最小内径部的平均直径为50μm至95μm。4.根据权利要求1所述的半导体用封装玻璃基板，其特征在于，空白线为在上述玻璃基板的第一表面上连接没有形成上述芯通孔的位置而形成的直线，Np为在上述空白线上测定的应力的最大值和最小值之差，上述Np的值为1.0MPa以下。5.一种半导体用封装玻璃基板，其特征在于，包括：玻璃基板，具有相向的第一表面和第二表面，及多个芯通孔，在厚度方向上贯穿上述玻璃基板；空白线为在上述玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢荣镐，金性振，金镇哲，
申请(专利权)人：爱玻索立克公司，
类型：发明
国别省市：