一种低介电损耗液晶复合材料的制备工艺制造技术

本申请公开了一种低介电损耗液晶复合材料的制备工艺，依次包括如下步骤：S1按质量份数准备如下原料：液晶聚合物30～50份、半芳香族聚酰5～20份、无机填料15～50份、胶水结合促进剂0.1～5份、其他加工助剂0.1～5份；S2将所述液晶聚合物、半芳香族聚酰、胶水结合促进剂、其他加工助剂经高速混合机混合后从双螺杆挤出机主下料口投入，将所述无机填料从双螺杆挤出机侧喂料口投入；S3进行熔融混合挤出造粒，所述高速混合机回转速为60～120rpm，混合时间为5～10min，双螺杆挤出机吐出量为50～200Kg/h，转速为100～300rpm，机筒各段温度为330

【技术实现步骤摘要】
一种低介电损耗液晶复合材料的制备工艺


[0001]本专利技术涉及复合材领域，特别涉及一种低介电损耗液晶复合材料的制备工艺。

技术介绍

[0002]随着5G技术的逐渐普及，电磁波频率越来越来越高，频率越高，意味着电磁波的波长越短，绕射能力就越差，传播过程中的电磁波的衰减也越大，相对以往短频电磁波的覆盖能力和传输信号强度大幅度下降，这也对材料方面的介电性能要求更高，液晶(LCP)材料具有独特的分子结构和热行为，吸湿小，分子骨架对称性高，再加上本身结构使主链的运动受限，使得LCP材料在高频段表现出极低的介电常数和介电损耗，是5G高频高速时代通讯领域很多材料的优选。目前在高频高速通讯领域，对液晶材料的改性技术一般是通过添加无机填料如各种钛酸盐和钛白粉，空心微珠，低介电玻纤等方式来改善液晶材料的强度和尺寸稳定性，进一步降低材料的介电损耗。
[0003]但是LCP的分子结构也使得材料本身韧性较差，由于LCP分子易流动向取向的特点，在注塑复杂部件时存在熔接线位置强度低，后续装配工艺与胶水结合后剥离强度差等缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种低介电损耗液晶复合材料的制备工艺。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案。
[0006]本申请实施例公开了一种低介电损耗液晶复合材料的制备工艺，依次包括如下步骤：
[0007]S1按质量份数准备如下原料：液晶聚合物30～50份、半芳香族聚酰5～20份、无机填料15～50份、胶水结合促进剂0.1～5份、其他加工助剂0.1～5份；
[0008]S2将所述液晶聚合物、半芳香族聚酰、胶水结合促进剂、其他加工助剂经高速混合机混合后从双螺杆挤出机主下料口投入，将所述无机填料从双螺杆挤出机侧喂料口投入；
[0009]S3进行熔融混合挤出造粒，所述高速混合机回转速为60～120rpm，混合时间为5～10min，双螺杆挤出机吐出量为50～200Kg/h，转速为100～300rpm，机筒各段温度为330
±
20℃，机头温度为340
±
10℃，真空段抽出压力为
‑
0.08
±
0.02MPa。
[0010]优选的，在上述低介电损耗液晶复合材料的制备工艺中，所述液晶聚合物为熔点在300～360℃的芳香族聚酯及聚酯酰胺类。
[0011]优选的，在上述低介电损耗液晶复合材料的制备工艺中，所述半芳香族聚酰为PA6T/66、PA6T/6I、PA9T、PA10T、PA11T、PA12T一种或多种。
[0012]优选的，在上述低介电损耗液晶复合材料的制备工艺中，所述无机填料为钛白粉、钛酸钡、钛酸钙、钛酸锶、空心玻璃微珠、低介电玻璃纤维中的一种或者多种。
[0013]优选的，在上述低介电损耗液晶复合材料的制备工艺中，所述胶水结合促进剂为联苯型环氧树脂，熔点为80～110℃，其150℃熔融粘度50～200Cps。
[0014]优选的，在上述低介电损耗液晶复合材料的制备工艺中，所述其他加工助剂包括受阻胺类光稳定剂、聚硅氧烷、聚四氟乙烯、脂肪族金属盐润滑剂中的一种或多种。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的优点在于采用了液晶树脂同聚酰胺树脂共混的方式，调整分子取向性，改善分子链柔韧性，从而提高基体树脂的韧性强度，并添加少量胶水结合促进剂改善材料与胶水结合性。
具体实施方式
[0016]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]实施例1与实施例2的配方如下(按质量份数计)：
[0018][0019][0020]本专利技术制备的复合材料性能达到如下，韧性强度和胶水结合性都优于对比例(LCP/20％钛白粉/20％钛酸锶)
[0021]项目实施例1实施例2对比例介电损耗(df)3GHZ0.00250.00250.0025介电损耗(df)3GHZ175180190胶水剥离强度N908555缺口冲击强度J/m757545
[0022]本实施方式只是对本专利的示例性说明而并不限定它的保护范围，本领域人员还可以对其进行局部改变，只要没有超出本专利的精神实质，都视为对本专利的等同替换，都在本专利的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电损耗液晶复合材料的制备工艺，其特征在于，依次包括如下步骤：S1按质量份数准备如下原料：液晶聚合物30～50份、半芳香族聚酰5～20份、无机填料15～50份、胶水结合促进剂0.1～5份、其他加工助剂0.1～5份；S2将所述液晶聚合物、半芳香族聚酰、胶水结合促进剂、其他加工助剂经高速混合机混合后从双螺杆挤出机主下料口投入，将所述无机填料从双螺杆挤出机侧喂料口投入；S3进行熔融混合挤出造粒，所述高速混合机回转速为60～120rpm，混合时间为5～10min，双螺杆挤出机吐出量为50～200Kg/h，转速为100～300rpm，机筒各段温度为330
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20℃，机头温度为340
±
10℃，真空段抽出压力为
‑
0.08
±
0.02MPa。2.根据权利要求1所述的低介电损...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭继光，贺炅皓，
申请(专利权)人：张家港大塚化学有限公司，
类型：发明
国别省市：