一种半导体表面处理方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体表面处理方法，包括：对半导体基底进行预清洗，并进行干燥处理；将干燥后的半导体基底放入真空室中，抽真空并加热到温度稳定在200℃～250℃；向真空室内通入氩气，并在真空室内的气压达到5Pa～8Pa时，对半导体基底施加

【技术实现步骤摘要】
一种半导体表面处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体表面处理方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的发展，半导体电子元件的应用越来越广泛。为适应半导体电子元件的不同需求，半导体电子元件的表面有各种的设计和改进。例如，一些半导体电子元件为迎合低摩擦力的需求而将表面设计成光滑平坦，一些半导体为适应形状或兼容性而将设计成弧形表面。
[0003]对于一些与外界媒介相配合的半导体元件，因其内的电子元件如传感器、磁性元件十分灵敏、脆弱，故此在其表面覆盖一层保护膜，以使其免受外界的干扰，如静电荷、外部磁场等，该保护膜通常是绝缘的含碳保护膜。但是，对于含碳保护膜来讲，硅原子尺寸越大，半导体表面产生的应力越大，并且其表面积累的能量越高，从而影响半导体性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体表面处理方法，能够有效降低半导体表面产生的应力，并且减少半导体表面聚集的能量，从而改善半导体的性能。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种半导体表面处理方法，包括：
[0006]对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理；
[0007]将干燥后的半导体基底放入真空室中，抽真空并加热到温度稳定在200℃～250℃；
[0008]向真空室内通入氩气，并在真空室内的气压达到5Pa～8Pa时，对半导体基底施加
‑
1000V的偏压，对半导体基底进行轰击清洗；其中，氩气的流量为10mL/min；
[0009]采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜，相应形成DLC层；其中，在沉积过程中所使用的标靶为碳靶；
[0010]采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在DLC层上掺杂氟离子，相应形成氟离子掺杂层；其中，四氟化碳的流量为40sccm。
[0011]进一步地，所述对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理，具体包括：
[0012]对半导体基底进行第一次超声波清洗，并使用NMP浸泡以及使用IPA作为清洗溶液；其中，NMP的温度为20℃～40℃，浸泡时间为20min；
[0013]采用去离子水将第一次清洗后的半导体基底冲洗干净，并放入IPA溶液中进行第二次超声波清洗；其中，第二次清洗时间为30min；
[0014]对第二次清洗后的半导体基底进行干燥处理。
[0015]进一步地，所述对半导体基底进行轰击清洗，具体包括：
[0016]采用氩等离子体、氩氧混合气体、氩乙烷混合气体、氮气或氦气对半导体基底进行轰击清洗；其中，轰击清洗时间为30min。
[0017]进一步地，所述DLC层的厚度为12nm～30nm。
[0018]进一步地，在掺杂过程中所使用的电源功率为5kW，真空室内的气压为0.1Pa～0.3Pa，掺杂时间为80min～100min。
[0019]进一步地，所述氟离子掺杂层的厚度为2nm～6nm。
[0020]与现有技术相比，本专利技术实施例提供了一种半导体表面处理方法，首先对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理；接着将干燥后的半导体基底放入真空室中，抽真空并加热到温度稳定在200℃～250℃；向真空室内通入氩气，并在真空室内的气压达到5Pa～8Pa时，对半导体基底施加
‑
1000V的偏压，对半导体基底进行轰击清洗；其中，氩气的流量为10mL/min；然后采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜，相应形成DLC层；其中，在沉积过程中所使用的标靶为碳靶；最后采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在DLC层上掺杂氟离子，相应形成氟离子掺杂层；其中，四氟化碳的流量为40sccm；能够有效降低半导体表面产生的应力，并且减少半导体表面聚集的能量，从而改善半导体的性能。
附图说明
[0021]图1是本专利技术提供的一种半导体表面处理方法的一个优选实施例的流程图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本
普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]本专利技术实施例提供了一种半导体表面处理方法，参见图1所示，是本专利技术提供的一种半导体表面处理方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤S11至步骤S15：
[0024]步骤S11、对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理；
[0025]步骤S12、将干燥后的半导体基底放入真空室中，抽真空并加热到温度稳定在200℃～250℃；
[0026]步骤S13、向真空室内通入氩气，并在真空室内的气压达到5Pa～8Pa时，对半导体基底施加
‑
1000V的偏压，对半导体基底进行轰击清洗；其中，氩气的流量为10mL/min；
[0027]步骤S14、采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜，相应形成DLC层；其中，在沉积过程中所使用的标靶为碳靶；
[0028]步骤S15、采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在DLC层上掺杂氟离子，相应形成氟离子掺杂层；其中，四氟化碳的流量为40sccm。
[0029]作为上述方案的改进，所述对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理，具体包括：
[0030]对半导体基底进行第一次超声波清洗，并使用NMP浸泡以及使用IPA作为清洗溶液；其中，NMP的温度为20℃～40℃，浸泡时间为20min；
[0031]采用去离子水将第一次清洗后的半导体基底冲洗干净，并放入IPA溶液中进行第二次超声波清洗；其中，第二次清洗时间为30min；
[0032]对第二次清洗后的半导体基底进行干燥处理。
[0033]作为上述方案的改进，所述对半导体基底进行轰击清洗，具体包括：
[0034]采用氩等离子体、氩氧混合气体、氩乙烷混合气体、氮气或氦气对半导体基底进行轰击清洗；其中，轰击清洗时间为30min。
[0035]作为上述方案的改进，所述DLC层的厚度为12nm～30nm。
[0036]作为上述方案的改进，在掺杂过程中所使用的电源功率为5kW，真空室内的气压为0.1Pa～0.3Pa，掺杂时间为80min～100min。
[0037]作为上述方案的改进，所述氟离子掺杂层的厚度为2nm～6nm。
[0038]结合上述实施例，在具体实施时，首先，采用超声波对半导体基底的表面进行预清洗，在第一次超声波清洗过程中，使用温度为20℃～40℃的NMP(N
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甲基吡咯烷酮)溶剂浸泡半导体基底20分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体表面处理方法，其特征在于，包括：对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理；将干燥后的半导体基底放入真空室中，抽真空并加热到温度稳定在200℃～250℃；向真空室内通入氩气，并在真空室内的气压达到5Pa～8Pa时，对半导体基底施加
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1000V的偏压，对半导体基底进行轰击清洗；其中，氩气的流量为10mL/min；采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜，相应形成DLC层；其中，在沉积过程中所使用的标靶为碳靶；采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在DLC层上掺杂氟离子，相应形成氟离子掺杂层；其中，四氟化碳的流量为40sccm。2.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，所述对半导体基底进行预清洗，并对预清洗后的半导体基底进行干燥处理，具体包括：对半导体基底进行第一次超声波清洗，并使用NMP浸泡以及使用I...

【专利技术属性】
技术研发人员：余周，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：