一种基于芯片加工的晶圆激光切割装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基于芯片加工的晶圆激光切割装置，涉及激光切割技术领域，包括操作主槽架，所述操作主槽架两侧一体化连接有两个晶圆储存槽架，两个所述晶圆储存槽架外端均固定安装有用于存放加工前后晶圆的晶圆储存交替组件，所述吸盘滑动顶下端固定安装有两个抓取组件滑轨，所述抓取组件滑轨上滑动安装有用于吸取加工前后晶圆的吸盘抓取组件；本发明专利技术通过将晶圆及其外端的圆盘放置在其中一个晶圆储存槽架外侧的晶圆储存交替组件上，从而能够将晶圆固定盘上的晶圆及其外盘推动至穿过晶圆盘校准架下端，从而能够推至激光切割机对其激光切割，通过激光切割机升降台和电动滑轨进行调节，从而能够对晶圆进行激光切割。从而能够对晶圆进行激光切割。从而能够对晶圆进行激光切割。

【技术实现步骤摘要】
一种基于芯片加工的晶圆激光切割装置


[0001]本专利技术涉及激光切割
，具体为一种基于芯片加工的晶圆激光切割装置。

技术介绍

[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。
[0003]激光隐形切割是激光切割晶片的一种方案，很好地避免了砂轮雕刻的问题。激光隐身切割将脉冲激光的单脉冲通过光学成型，通过材料表面聚焦于材料内部，聚焦区域能量密度高，形成多光子吸收非线性吸收效应，导致材料变形出现裂纹。各激光脉冲等距作用可以形成等距损伤，在材料内部形成变质层。在变质层中，材料的分子结合被破坏，材料的连接减弱，容易分离。
[0004]而现在的对于晶圆的切割都是基于激光切割机的切割方式，而在对晶圆切割时，由于晶圆外侧固定的晶圆盘与晶圆本身连接的紧密，在切割前后无法对晶圆本身进行保护，导致后续的抛光比较困难本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于芯片加工的晶圆激光切割装置，包括操作主槽架（1），其特征在于：所述操作主槽架（1）两侧一体化连接有两个晶圆储存槽架（2），两个所述晶圆储存槽架（2）外端均固定安装有用于存放加工前后晶圆的晶圆储存交替组件（3），两个所述晶圆储存交替组件（3）外侧均固定安装有两个吸盘支架（4），所述吸盘支架（4）上端固定连接有吸盘滑动顶（5），所述吸盘滑动顶（5）下端固定安装有两个抓取组件滑轨（13），所述抓取组件滑轨（13）上滑动安装有用于吸取加工前后晶圆的吸盘抓取组件（6）；所述晶圆储存交替组件（3）包括：交替组件侧板（301）、交替组件限位筒件（302）、交替链旋转轴（303）、交替链驱动皮辊（304）、交替链（305）和晶圆盘隔条件（306）；所述晶圆储存槽架（2）侧面固定安装有交替组件侧板（301），所述交替组件侧板（301）后端四角处均固定安装有用于交替固定位置的交替组件限位筒件（302），所述交替组件限位筒件（302）前端转动安装有交替链旋转轴（303），所述交替链旋转轴（303）上同轴一体化连接有交替链驱动皮辊（304），两个所述交替链驱动皮辊（304）上套设有若干交替链（305），所述交替链（305）上固定穿连有若干晶圆盘隔条件（306）；所述交替组件限位筒件（302）包括：筒件外壳（3021）、限位固定滑槽（3022）、限位固定滑块（3023）、第一限位齿牙圈（3024）、第二限位齿牙圈（3025）、限位弹簧（3026）和旋转连接轴（3027）；所述交替组件侧板（301）外侧表面固定安装有筒件外壳（3021），所述筒件外壳（3021）后端开设有若干限位固定滑槽（3022），所述限位固定滑槽（3022）内滑动设置有限位固定滑块（3023），所述限位固定滑块（3023）前端一体化连接有第一限位齿牙圈（3024），所述筒件外壳（3021）内且位于第一限位齿牙圈（3024）前端转动设置有第二限位齿牙圈（3025），所述第二限位齿牙圈（3025）前端同轴固定连接有旋转连接轴（3027）。2.根据权利要求1所述的一种基于芯片加工的晶圆激光切割装置，其特征在于：所述操作主槽架（1）后端固定连接有工作台（7），所述工作台（7）上端表面固定安装有两个电动滑轨（8），两个所述电动滑轨（8）上滑动设置有激光切割机底座（9），所述激光切割机底座（9）上端固定安装有激光切割机升降台（10），所述激光切割机升降台（10）上端设置有激光切割机固定支臂（11），所述激光切割机固定支臂（11）下端固定安装有...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷泽安，殷志鹏，
申请(专利权)人：苏州译品芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：