用于带电粒子显微镜的无磁场样品平面制造技术

本文公开了一种用于带电粒子显微镜的可调节无磁场物镜。示例带电粒子显微镜至少包含：第一光学元件和第二光学元件，所述第一光学元件和所述第二光学元件布置在样品平面的相反侧上；第三光学元件，所述第三光学元件布置在所述样品平面周围；以及控制器，所述控制器被耦接以控制所述第一光学元件、所述第二光学元件和所述第三光学元件。所述控制器被耦接以：激发所述第一光学元件和所述第二光学元件以产生第一磁透镜和第二磁透镜，所述第一磁透镜和所述第二磁透镜形成于所述样品平面的相反侧上并且被朝向在同一方向上；并且激发所述第三光学元件以在所述样品平面处产生第三磁透镜，所述第三磁透镜被朝向在相反方向上，其中对所述第三光学元件的所述激发与对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发的比率调节所述样品平面处的磁场。比率调节所述样品平面处的磁场。比率调节所述样品平面处的磁场。

【技术实现步骤摘要】
用于带电粒子显微镜的无磁场样品平面


[0001]本专利技术总体上涉及带电粒子显微镜透镜，并且具体地涉及在样品平面处产生可忽略的磁场或零磁场的带电粒子显微镜物镜。

技术介绍

[0002]当带电粒子具有高能量时，磁透镜在带电粒子显微术中用作物镜。所述物镜用于对带电粒子束进行聚焦和成像。此类物镜的焦距由于在样品附近或周围使用了强磁场而减小。虽然这对于大多数材料来说不是问题，但如果在此类透镜配置中进行成像，则敏感的磁性材料可能会被损坏或毁坏。常规方法可以包含将磁透镜移动更远离样品以减小或消除样品处的磁场。然而，此方法会导致聚焦长度增加，这会使带电粒子显微镜的分辨率降级。尽管此用于对磁性材料进行成像的技术提供了一些能力，但降低的分辨率仍然是一个问题并且期望进一步的改进。

技术实现思路

[0003]本文公开了一种用于改变如TEM或STEM等电子显微镜的样品平面中的磁场的示例设备。所述示例设备至少包含第一光学元件和第二光学元件，所述第一光学元件和所述第二光学元件布置在所述样品平面周围。所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述布置可以在所述样品本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：第一光学元件和第二光学元件，所述第一光学元件和所述第二光学元件布置在样品平面的相反侧上；第三光学元件，所述第三光学元件布置在所述样品平面周围；以及控制器，所述控制器被耦接以控制所述第一光学元件、所述第二光学元件和所述第三光学元件，所述控制器耦接到非暂时性存储器或包含非暂时性存储器，所述非暂时性存储器存储代码，所述代码当由所述控制器执行时使所述控制器：激发所述第一光学元件和所述第二光学元件以产生第一磁透镜和第二磁透镜，所述第一磁透镜和所述第二磁透镜形成于所述样品平面的相反侧上，其中所述第一透镜和所述第二透镜被朝向在同一方向上；并且激发所述第三光学元件以产生第三磁透镜，所述第三磁透镜形成于所述样品平面处，其中所述第三磁透镜被朝向在与所述第一磁透镜和所述第二磁透镜相反的方向上，并且其中对所述第三光学元件的所述激发与对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发的比率调节所述样品平面处的磁场。2.根据权利要求1所述的设备，其中对所述第三光学元件的所述激发与对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发的所述比率取消所述样品平面处的所述磁场的轴向分量。3.根据权利要求2所述的设备，其中对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发介于2000安匝与8000安匝之间，并且对所述第三光学元件的所述激发介于
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1安匝与
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400安匝之间。4.根据权利要求1所述的设备，其中对所述第三光学元件的所述激发与对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发的所述比率在所述样品平面处产生小磁场。5.根据权利要求4所述的方法，其中对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发介于2000安匝与8000安匝之间，并且对所述第三光学元件的所述激发介于
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1安匝与
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400安匝之间。6.根据权利要求1所述的设备，其中对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发与对所述第三光学元件的所述激发的所述比率在所述样品平面处产生浸没透镜。7.根据权利要求6所述的设备，其中对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发小于2000安匝，并且对所述第三光学元件的所述激发介于2000安匝与8000安匝之间。8.根据权利要求1所述的设备，其中对所述第三光学元件的所述激发的量值是对所述第一光学元件和所述第二光学元件的所述激发的量值的倍数。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述倍数在0.5到2的范围内。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一光学元件和所述第二光学元件：分别包含第一线圈和第二线圈；以及分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：FEI公司，
类型：发明
国别省市：