薄膜晶体管和包含该薄膜晶体管的显示设备制造技术

公开一种薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的显示设备，其中薄膜晶体管包括：有源层；有源层上的阻挡层；阻挡层上的栅极绝缘层；和栅极绝缘层上的栅极电极，其中栅极电极的至少一部分与有源层的至少一部分重叠，阻挡层包括氧化物半导体材料，阻挡层的电阻率大于有源层的电阻率，并且阻挡层的厚度小于有源层的厚度。并且阻挡层的厚度小于有源层的厚度。并且阻挡层的厚度小于有源层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管和包含该薄膜晶体管的显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月23日提交的韩国专利申请第10
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2020
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0182551号的优先权的权益，通过引用将该韩国专利申请并入，如同在本文中完整阐述一样。


[0003]本公开内容涉及一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备。

技术介绍

[0004]因为可以在玻璃基板或塑料基板上制造薄膜晶体管，所以薄膜晶体管已被广泛用作显示装置的开关元件或驱动元件，所述显示装置例如是液晶显示装置或有机发光装置。
[0005]基于构成有源层的材料，薄膜晶体管可分为其中非晶硅用作有源层的非晶硅薄膜晶体管、其中多晶硅用作有源层的多晶硅薄膜晶体管和其中氧化物半导体用作有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。
[0006]因为非晶硅可以在短时间内沉积以形成有源层，所以非晶硅薄膜晶体管(a
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Si TFT)具有制造工艺时间短且生产成本低的优点。另一方面，非晶硅薄膜晶体管的缺点在于它被限制用于有源矩阵有机发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：有源层，包括氧化物半导体材料；所述有源层上的阻挡层；所述阻挡层上的栅极绝缘层；和所述栅极绝缘层上的栅极电极，其中所述栅极电极的至少一部分与所述有源层的至少一部分重叠，并且所述阻挡层包括氧化物半导体材料，所述阻挡层的电阻率大于所述有源层的电阻率，并且所述阻挡层的厚度小于所述有源层的厚度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层包括IGZO(InGaZnO)基氧化物半导体材料、IGO(InGaO)基氧化物半导体材料、IGZTO(InGaZnSnO)基氧化物半导体材料、GZTO(GaZnSnO)基氧化物半导体材料、GZO(GaZnO)基氧化物半导体材料或GO(GaO)基氧化物半导体材料中的至少一种。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层具有1.0
×
106Ω
·
cm或更大的电阻率。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层的载流子浓度低于所述有源层的载流子浓度。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层具有1.0
×
10
17
ea/cm3或更小的载流子浓度。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层具有1cm2/V
·
s至2cm2/V
·
s的迁移率。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层的氧原子浓度高于所述有源层的氧原子浓度。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层包括金属原子和氧原子，并且所述阻挡层中的氧原子数是所述阻挡层中的金属原子总数的1.2至2.5倍。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层具有0.5nm至5nm的厚度。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层具有1nm至3nm的厚度。11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层覆盖所述有源层的上表面和侧表面。12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层延伸至所述有源层的外部。13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述阻挡层包括与所述栅极电极重叠的第一区域和不与所述栅极电极重叠的第二区域。14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度。15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中所述第一区域与所述第二区域的厚度比...

【专利技术属性】
技术研发人员：金省求，金大焕，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：