金属氧化物TFT、x射线探测器和显示面板制造技术

本申请公开了一种金属氧化物TFT、x射线探测器和显示面板，属于显示技术领域。所述金属氧化物TFT包括：衬底基板、有源层，该金属氧化物TFT中的有源层中具有镧系金属元素，可以在有源层中形成陷阱态，该有源层受到光照产生的光生电子，可以被该陷阱态捕获，从而改善有源层的光照稳定性。解决了相关技术中金属氧化物TFT的有源层的光稳定性较差的问题，实现了提升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物TFT、x射线探测器和显示面板


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种金属氧化物TFT、x射线探测器和显示面板。

技术介绍

[0002]金属氧化物薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor，简写：TFT)是一种可以实现开关功能的器件。
[0003]相关技术中有一种金属氧化物TFT，该金属氧化物TFT包括在衬底基板、栅极、有源层、源级和漏极。
[0004]但是，上述金属氧化物TFT中，有源层的光稳定性较差。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种金属氧化物TFT、x射线探测器和显示面板。所述技术方案如下：
[0006]根据本申请的一方面，提供了一种金属氧化物TFT的制造方法，所述方法包括：
[0007]在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在所述有源层上的包括镧系金属元素的功能层；
[0008]对所述有源层以及所述功能层进行退火处理，所述功能层中的镧系金属元素扩散至所述有源层。
[0009]可选的，所述退火处理的温度为200～4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物TFT，其特征在于，所述金属氧化物TFT包括：位于衬底基板上的金属氧化物半导体的有源层，所述有源层包括:由掺杂有镨的非晶铟镓锡氧化物制成的沟道层，以及位于所述沟道层上的由多晶铟镓锌氧化物、掺杂镨的铟锌氧化物或者掺杂镨的铟镓锌氧化物制成的背沟道保护层；由掺杂镨的铟锌氧化物或掺杂镨的铟镓锌氧化物制成的遮光保护层，所述遮光保护层位于所述沟道层的远离所述背沟道保护层的另一侧。2.根据权利要求1所述的金属氧化物TFT，其特征在于，所述金属氧化物TFT还包括源漏极，以及位于所述有源层和所述源漏极之间的由氧化镨、氧化钐、氧化铈、铟锌氧化物、铟锌镨氧化物、铟锌钐氧化物中的一种制成的金属层，所述源漏极包括源极和漏极。3.根据权利要求1所述的金属氧化物TFT，其特征在于，所述有源层上设置有源极和漏极；所述有源层的沟道层与所述源极之间设置有由氧化镨、氧化钐、氧化铈、铟锌氧化物、铟锌镨氧化物、铟锌钐氧化物中的一种制成的金属层；所述有源层的沟道层与漏极之间设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡合合，刘凤娟，袁广才，贺家煜，宁策，李正亮，赵坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：