一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，包括在衬底基板上依次设置的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二金属层，有源层用于形成沟道，其中，第一金属层上形成的第一金属电极在层级设置方向的第一高度大于等于第二金属层上形成的第二金属电极在层级设置方向的第二高度，沟道包括相互连接的水平区域和高度连接区域，高度连接区域覆盖第一高度与第二高度之间的高度落差位置。有源层的沟道形成三维立体结构，负偏压关断状态下，降低了漏电流，降低了器件的功耗。正偏压开电状态下，沟道内更易累积电荷，增大了器件工作状态时的开态电流，提升器件整体电学性能和特性。提升器件整体电学性能和特性。提升器件整体电学性能和特性。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(thin
‑
film transistor，TFT)作为像素单元充放电的开关，TFT式显示屏(液晶屏)应用于各类笔记本电脑和台式机以及手机、平板的显示。
[0003]而近年来，在消费者更好的观看体验要求的驱动下，显示屏的功率消耗问题已越来越受到人们的关注。
[0004]其中，漏电流(Ioff)大小是影响显示屏的功耗性能的重要参数之一。因为薄膜晶体管在给予栅极适当电压时，会使沟道感应出载流子以使源极和漏极导通，而关断状态下沟道内的载流子不会完全排出沟道，总会有些微小的电流漏出。这个电流通常很小，称为漏电流。大的漏电流会带来较大的损耗，特别在高压应用场合。
[0005]较高的漏电流使得显示屏的功耗较大，对于笔记本电脑和台式机来说，设备的功耗大，而对于手机、平板类来说，造成其待机时间较长，影响用户体验度。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括在衬底基板上依次设置的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二金属层，所述有源层用于形成沟道，其中，所述第一金属层上形成的第一金属电极在层级设置方向的第一高度大于等于所述第二金属层上形成的第二金属电极在层级设置方向的第二高度，所述沟道包括相互连接的水平区域和高度连接区域，所述高度连接区域覆盖所述第一高度与所述第二高度之间的高度落差位置。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属电极包括第一栅极。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括形成于所述第二绝缘层上的第二栅极，且与所述第一栅极的投影位置对应。4.根据权利要求2～3任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极包括多组，多组所述第一栅极直线排列间隔设置。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层上还形成有第二栅极，且所述第二栅极的投影覆盖多组所述第一栅极。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为铟镓锌氧化物半导体层。7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄琼阳，邹灿，蔡武卫，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：