【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术的一个实施方式涉及在各像素中包含薄膜晶体管的半导体装置。特别地，本专利技术涉及包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的显示装置。
技术介绍
[0002]近年来，作为构成有机发光二极管显示装置(OLED显示装置)中使用的薄膜晶体管的沟道层的半导体，氧化物半导体受到关注。使用氧化物半导体的薄膜晶体管的截止状态的漏电流低，能够进行低频率驱动。因此，使用氧化物半导体的薄膜晶体管能够实现低消耗电力的显示装置。
[0003]一般而言，薄膜晶体管存在如下问题：由于在沟道区域与漏极区域的边界附近产生的热载流子而导致电特性劣化。具体而言，已知Vg
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Id特性的阈值因热载流子而偏移的问题。该问题在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中也不例外，为了提高可靠性，优选采取热载流子对策。例如，在专利文献1中，作为热载流子对策，公开了在沟道区域与漏极区域之间配置用于缓和电场集中的缓冲区域的技术。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2012
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在各像素中具有薄膜晶体管的半导体装置，其特征在于，所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和第1金属层，其与所述氧化物半导体层接触，并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1金属层与所述漏极电极之间的距离为1.0μm以上且3.0μm以下。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1金属层和所述漏极电极设置在彼此相同的层。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1金属层和所述漏极电极由彼此相同的金属材料构成。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1金属层是电浮置的。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述氧化物半导体层具有沟道区域、漏极区域和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：花田明纮，渡壁创，海东拓生，小野寺凉，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：
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