薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的显示装置制造方法及图纸

本公开内容的一个实施例提供一种薄膜晶体管，包括辅助电极、栅电极、和设置在辅助电极和栅电极之间的有源层，其中，有源层包括与栅电极重叠的沟道部分、设置在沟道部分的一侧的第一连接部分、和设置在沟道部分的另一侧的第二连接部分，并且沟道部分包括与辅助电极重叠的部分和不与辅助电极重叠的部分。本公开内容的一个实施例还提供了一种包括薄膜晶体管的显示装置。显示装置。显示装置。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的显示装置


[0001]本公开内容涉及一种薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的显示装置。

技术介绍

[0002]由于可以在玻璃基板或塑料基板上制造薄膜晶体管，薄膜晶体管已经广泛地用作诸如液晶显示装置或有机发光装置之类的显示装置的开关元件或驱动元件。
[0003]基于构成有源层的材料，薄膜晶体管可以分为使用非晶硅作为有源层的非晶硅薄膜晶体管、使用多晶硅作为有源层的多晶硅薄膜晶体管、以及使用氧化物半导体作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。
[0004]由于可以在短时间内沉积非晶硅以形成有源层，所以非晶硅薄膜晶体管(a
‑
Si TFT)具有制造工艺时间短和生产成本低的优点。另一方面，非晶硅薄膜晶体管的缺点在于，由于低迁移率导致电流驱动能力不好并且阈值电压有变化，其用于有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)受到限制。
[0005]多晶硅薄膜晶体管(poly
‑
Si TFT)是通过沉积非晶硅并使所沉积的非晶硅结晶而制成的。多晶硅薄膜晶体管具有电子迁移率高、稳定性优异、可以实现薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：辅助电极；栅电极；和设置在所述辅助电极和所述栅电极之间的有源层，其中，所述有源层包括：与所述栅电极重叠的沟道部分；设置在所述沟道部分的一侧的第一连接部分；和设置在所述沟道部分的另一侧的第二连接部分，所述沟道部分包括与所述辅助电极重叠的第一部分和不与所述辅助电极重叠的第二部分。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极与所述栅电极的边缘重叠。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极包括不与所述栅电极重叠且与所述有源层重叠的部分。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极延伸到与所述栅电极重叠的区域的外部。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极设置在所述辅助电极的上方。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括分别与所述有源层连接的源电极和漏电极，其中，施加给所述辅助电极的电压高于施加给所述源电极的电压。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极包括第一辅助电极和第二辅助电极，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极在与所述沟道部分重叠的区域中彼此间隔开。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极被施加相同的电压。9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一辅助电极与所述沟道部分、所述沟道部分和所述第一连接部分之间的边界部分以及所述第一连接部分重叠。10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李道炯，白朱爀，丁燦墉，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：