驱动薄膜晶体管及其制备方法、电路、显示屏、电子设备技术

本申请提供一种驱动薄膜晶体管及其制备方法、驱动电路、显示屏、电子设备。所述驱动薄膜晶体管包括源极、漏极、沟道层及栅极层，所述栅极层包括至少两个栅极，所述至少两个栅极间隔设置，且设置于所述源极及所述漏极之间，所述至少两个栅极在所述沟道层上的正投影落入所述沟道层所在的区域内，所述源极、所述漏极分别与所述至少两个栅极绝缘设置，且分别电连接所述沟道层。本申请提供的驱动薄膜晶体管应用于显示屏时，可以克服或削弱显示屏残影现象。象。象。

【技术实现步骤摘要】
驱动薄膜晶体管及其制备方法、电路、显示屏、电子设备


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种驱动薄膜晶体管及其制备方法、驱动电路、显示屏、电子设备。

技术介绍

[0002]在OLED面板中目前大部分采用内部补偿结构，电路总体分为GOA电路和Pixel电路。Pixel电路中，为了达到很好的补偿效果，会采用多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和电容的组合，例如7T1C，6T1C，4T2等，其中，驱动薄膜晶体管(Driving Thin Film Transistor，Driving TFT)负责控制电路输出电流，开关薄膜晶体(Switching Thin Film Transistor，Switching TFT)负责时序输入和电路开关。相关技术中，电路设计一般需要Driving TFT的输出电流远远小于Switching TFT，而在TFT中，输出电流会受到TFT沟道的长度(L)和宽度(W)的影响，长度(L)越大输出电流就越小，因此，在LTPS面板中，Driving TFT的沟道长度(L)一般需要比Switc本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管包括源极、漏极、沟道层及栅极层，所述栅极层包括至少两个栅极，所述至少两个栅极间隔设置，且设置于所述源极及所述漏极之间，所述至少两个栅极在所述沟道层上的正投影落入所述沟道层所在的区域内，所述源极、所述漏极分别与所述至少两个栅极绝缘设置，且分别电连接所述沟道层。2.如权利要求1所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层还包括栅连接部，所述栅连接部在所述沟道层所在平面的正投影落入所述沟道层的所在范围之外，且所述栅连接部连接于所述至少两个栅极。3.如权利要求2所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管还包括与所述至少两个栅极相同数量的至少两个第一绝缘层，所述至少两个第一绝缘层间隔设置，且每个所述第一绝缘层的相对两侧分别连接于所述沟道层和不同的所述栅极。4.如权利要求3所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述沟道层、所述第一绝缘层、以及所述至少两个栅极，所述第二绝缘层具有通孔，所述源极和所述漏极穿过所述通孔以连接于所述沟道层，且所述源极和所述漏极显露于所述第二绝缘层外。5.如权利要求1所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管还包括缓冲层，所述源极、所述漏极、所述沟道层、及所述至少两个栅极均设置于所述缓冲层的一侧，且所述沟道层相较于所述至少两个栅极更邻近于所述缓冲层。6.如权利要求1所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管还包括缓冲层，所述源极、所述漏极、所述沟道层、及所述至少两个栅极均设置于所述缓冲层的一侧，且所述沟道层相较于所述至少两个栅极更远离于所述缓冲层。7.如权利要求5所述的驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管还包括遮光层，所述遮光层设置于沟道层背离所述栅极的一侧，且所述沟道层在所述遮光层上的正投影至少部分落入所述遮光层的所在范围内。8.一种驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括开关薄膜晶体管、及如权利要求1
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7任意一项所述的驱动薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏国文，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：