半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本实施方式所涉及的半导体装置具备层叠的多个第1半导体芯片。第1柱状电极与多个第1半导体芯片的电极盘连接，沿多个第1半导体芯片的层叠方向延伸。多个第2半导体芯片层叠于第1半导体芯片的上方。第2柱状电极与多个第2半导体芯片的电极盘连接，沿多个第2半导体芯片的层叠方向延伸。第3柱状电极与第1柱状电极的前端电连接，沿多个第2半导体芯片的层叠方向延伸。树脂层包覆第1半导体芯片、第2半导体芯片、第2柱状电极及第3柱状电极，使第2柱状电极及第3柱状电极的前端露出。极及第3柱状电极的前端露出。极及第3柱状电极的前端露出。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
相关申请本申请享有在2020年12月21日申请的在先日本专利技术专利申请第2020
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211473号为基础申请的优先权，且请求其利益，本申请通过参照而包括基础申请的全部内容。


[0001]本实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]在将多个半导体芯片用树脂封装而形成的半导体封装件中，有可能在各半导体芯片的电极盘上设置使用金属线的柱状电极。金属线通过线结合法与各半导体芯片的电极盘连接，通过沿纵向拉出而沿纵向形成。
[0003]但是，在层叠多个半导体芯片的情况下，需要将与最下层的半导体芯片连接的金属线沿纵向较长地拉出。如果使金属线变长，则有可能导致金属线的前端的位置大幅偏移，进而在树脂封装时金属线倒下。在此情况下，如果使电极盘间的间距变窄，则相邻的多个柱状电极有可能发生干涉。

技术实现思路

[0004]其中一个实施方式提供一种半导体装置，能够在抑制倒塌、干涉的同时形成长的柱状电极。
[0005]本实施方式所涉及的半导体装置具有被层叠的多个第1半导体芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具备：层叠的多个第1半导体芯片；第1柱状电极，其与所述多个第1半导体芯片的电极盘连接，沿所述多个第1半导体芯片的层叠方向延伸；多个第2半导体芯片，其层叠于所述第1半导体芯片的上方；第2柱状电极，其与所述多个第2半导体芯片的电极盘连接，沿所述多个第2半导体芯片的层叠方向延伸；第3柱状电极，其与所述第1柱状电极电连接，沿所述多个第2半导体芯片的层叠方向延伸；以及树脂层，其包覆所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第2柱状电极及所述第3柱状电极，使所述第2柱状电极及所述第3柱状电极的前端露出。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述树脂层具备：第1树脂层，其包覆所述第1半导体芯片及所述第1柱状电极，使所述第1柱状电极的前端露出；以及第2树脂层，其包覆所述第2半导体芯片、所述第2柱状电极及所述第3柱状电极，使所述第2柱状电极及所述第3柱状电极的前端露出，所述第3柱状电极与从所述第1树脂层露出的所述第1柱状电极电连接，沿所述多个第2半导体芯片的层叠方向延伸。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述树脂层具备：第1树脂层，其包覆所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片及所述第1柱状电极和所述第2柱状电极，在该第1树脂层的上表面使所述第2柱状电极的前端露出，在设置于该第1树脂层的槽或阶差的底部使所述第1柱状电极的前端露出；以及第2树脂层，其设置于所述槽或阶差内，所述第3柱状电极与在所述第1树脂层的槽或阶差内露出的所述第1柱状电极的前端连接，沿所述多个第2半导体芯片的层叠方向延伸，所述第2树脂层包覆所述第3柱状电极，使所述第3柱状电极的前端露出。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述槽相对于设置有所述电极盘的所述多个第1半导体芯片或所述多个第2半导体芯片的边沿大致平行方向延伸。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个第1半导体芯片的最上层和所述多个第2半导体芯片的最下层之间存在所述第1树脂层。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第1柱状电极和所述第3柱状电极之间还具有连接部，其在相对于所述第3柱状电极的延伸方向的垂直方向的截面的尺寸比所述第1柱状电极及所述第3柱状电极大。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：配线层，其设置于所述树脂层上，与所述第2柱状电极及所述第3柱状电极电连接；以及
凸块，其设置于所述配线层上，与所述配线层电连接。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第3柱状电极的相对于所述第3柱状电极的延伸方向的垂直方向的截面的尺寸，与所述第1柱状电极及所述第2柱状电极的相对于所述第3柱状电极的延伸方向的垂直方向上的截面的尺寸不同。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第3柱状电极的材料与所述第1柱状电极及所述第2柱状电极的材料不同。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备追加盘，其设置于所述第1柱状电极的前端部，具有与所述第1柱状电极的前端部的露出面积相比更大的面积。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，与所述多个第1柱状电极中的某个第1柱状电极对应地连接有多个所述第3柱状电极。12.根据权利要求2至11中任一项所述的半导体装置，其中，所述第1树脂层和所述第2树脂层使用彼此不同的材料。13.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，还具备第3树脂层，其设置于所述第1树脂层与所述第2树脂层之间。14.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，还具备设置于所述第1树脂层与所述第2树脂层之间的第2配线层，所述第1柱状电极的前端部与所述第2配线层的第1面电连接，所述第3柱状电极的下端部与处于所述第2配线层的所述第1面的相对侧的第2面电连接，所述第2配线层与所述第1柱状电极和所述第3柱状电极电连接。15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，在从所述第1半导体芯片及所述第2半导体芯片的层叠方向观察时，所述第3...

【专利技术属性】
技术研发人员：本间庄一，坂口大辅，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：