【技术实现步骤摘要】
存储器的编程方法、存储器及存储系统
[0001]本申请涉及存储
，特别涉及一种存储器的编程方法、存储器及存储系统。
技术介绍
[0002]三维(3
‑
dimension，3D)存储器通常包括多个阵列排布的存储串，每个存储串包括多个串联的存储单元。在对选定存储单元进行编程(即写入数据)时，需要向选定存储单元所连接的选定字线(WordLine，WL)加载编程电压，以使选定存储单元的沟道中的电子隧穿至浮栅。
[0003]其中，编程过程通过步进式脉冲电压编程(Increment Step Pulse Program，ISPP)方式实现，在ISPP中的每个脉冲阶段施加一定脉冲宽度的编程电压进行编程。
[0004]然而，当ISPP中脉冲阶段的脉冲宽度较大时，会在编程电压较大的情况下降低编程效率，影响存储器的编程速度。
技术实现思路
[0005]本申请提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，可以提高编程效率。所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种存储器的编程...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述方法包括：在第一脉冲阶段以第一脉冲宽度向选定字线施加第一编程电压；在第二脉冲阶段以第二脉冲宽度向所述选定字线施加第二编程电压；所述第一脉冲阶段和所述第二脉冲阶段为对选定存储单元进行编程的多个脉冲阶段中的两个脉冲阶段，所述选定存储单元为待编程的存储单元，所述选定字线为与所述选定存储单元连接的字线；所述选定存储单元采用步进式脉冲电压编程方式进行编程，所述第一脉冲阶段在时序上先于所述第二脉冲阶段，所述第一脉冲宽度大于所述第二脉冲宽度，且所述第一编程电压小于所述第二编程电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个脉冲阶段划分有第一编程阶段和第二编程阶段；所述第一编程阶段中每个脉冲阶段的脉冲宽度与所述第一脉冲宽度对应，所述第一编程阶段中包括含所述第一脉冲阶段在内的至少一个脉冲阶段；所述第二编程阶段中每个脉冲阶段的脉冲宽度与所述第二脉冲宽度对应，所述第二编程阶段中包括含所述第二脉冲阶段在内的至少一个脉冲阶段。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一编程阶段包括连续排列的第一数量的脉冲阶段，所述第二编程阶段包括连续排列的第二数量的脉冲阶段；或者，所述第一编程阶段中每个脉冲阶段的编程电压小于阶段电压阈值，所述第二编程阶段中每个脉冲阶段的编程电压大于所述阶段电压阈值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，脉冲阶段的脉冲宽度的大小与所述选定字线施加的编程电压的大小呈负相关关系。5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述第一编程电压在所述第一脉冲阶段初始时刻对应第一初始编程电压，所述第一编程电压在所述第一脉冲阶段终止时刻对应第一终止编程电压，所述第一初始编程电压小于所述第一终止编程电压；所述第二编程电压在所述第二脉冲阶段初始时刻对应第二初始编程电压，所述第二编程电压在所述第二脉冲阶段终止时刻对应第二终止编程电压，所述第二初始编程电压小于所述第二终止编程电压。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一终止编程电压与所述第一初始编程电压之差为第一压差；所述第二终止编程电压与所述第二初始编程电压之差为第二压差；所述第一压差大于所述第二压差。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一编程电压在所述第一脉冲阶段和所述第二编程电压在所述第二脉冲阶段呈阶梯式递增趋势；或者，所述第一编程电压和所述第二编程电压在所述脉冲阶段皆呈线性递增趋势；
或者，所述第一编程电压在所述第一脉冲阶段呈阶梯式递增趋势或线性递增趋势中的其中一种，所述第二编程电压在所述第二脉冲阶段呈阶梯式递增趋势或线性递增趋势中的另一种。8.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在第三脉冲阶段，以第三脉冲宽度向所述选定字线施加第三编程电压；其中，所述第二脉冲阶段在时序上先于所述第三脉冲阶段，所述第二脉冲宽度大于所述第三脉冲宽度，且所述第二编程电压小于所述第三编程电压。9.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：存储阵列单元和外围逻辑单元，所述外围逻辑单元包括控制电路；所述控制电路，被配置为在第一脉冲阶段以第一脉冲宽度向选定字线施加第一编程电压；在第二脉冲阶段以第二脉冲宽度向所述选定字...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔莹，宋雅丽，贾建权，远杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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