与存储单元相关联的执行方法、设备和系统技术方案

本发明专利技术公开使用低功率DC源来操作存储单元。低功率DC源提供的功率小于操作存储单元所需的功率。在一个实施例中，来自低功率源的电荷在第一时间间隔内被存储在电荷存储设备上。在第二时间间隔内，使用电荷存储设备作为第二电源来操作存储单元。第一时间间隔和第二时间间隔之一的一部分不与第一时间间隔和第二时间间隔中的另一个重叠。间间隔中的另一个重叠。间间隔中的另一个重叠。

【技术实现步骤摘要】
与存储单元相关联的执行方法、设备和系统
优先权声明
[0001]本专利申请引用并要求于2021年5月3日提交的申请号为202141020222、名称为“从限流电源读取OTP/EFuse存储的方法”的未决临时印度专利申请的优先权，以及引用并要求于2021年12月11日提交的申请号为17/643,823的美国专利申请的优先权，二者全部内容并入本文。


[0002]本申请实施例大体上涉及电源电路，并且更具体地，涉及使用低功率DC电源来操作存储单元。

技术介绍

[0003]相关领域中众所周知，直流(Direct
‑
Current，简称DC)电源通常用作电子电路的电源。DC电源的示例包括常规电池、从交流(Alternating current，简称AC)或DC电源获得调节后的或未调节的电力的电源等。
[0004]DC电源提供的电力可用于操作存储单元。操作存储单元意味从/到存储单元中成功执行诸如读取和/或写入和/或编程等基本访问操作。至少为了执行此类操作，每个存储单元设计成在特定的功率电平(电压和/或电流强度)下工作，用于相应的(读取、写入、编程等)操作。
[0005]经常存在需要使用低功率DC电源来操作存储单元的环境。低功率DC电源指的是如下DC电源，其提供的电压小于存储单元的操作所需的最小电压，或者其具有的最大电流极限小于存储单元在对存储单元的读/写/编程访问期间所消耗的(最大)电流，或者兼具两者(即，具有的电压和电流小于存储单元所需的电压和电流)。

技术实现思路
/>[0006]本申请的若干方面旨在使用低功率直流(DC)电源来操作存储单元。
[0007]本申请部分实施例提供一种与存储单元相关联的执行方法，所述方法包括：在第一时间间隔内将来自第一电源的电荷存储在电荷存储设备上，其中，所述第一电源提供的功率小于操作所述存储单元所需的功率；和使用所述电荷存储设备作为第二电源，在第二时间间隔内操作所述存储单元；其中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之一的一部分不与所述第一时间间隔和所述第二时间间隔中的另一个重叠。
[0008]在一些实施例中，所述电荷存储设备是电容，所述存储单元设计成由提供第一电压的电源操作，由所述第一电源提供的第二电压小于所述第一电压，所述存储使得所述第二电压被放大以提供大于或等于所述第一电压的放大后的电压，其中，所述存储使得所述电容在所述第一时间间隔内被充电至所述放大后的电压。
[0009]在一些实施例中，所述方法还包括：在第一读取持续时间从所述存储单元读取第一位、在第二读取持续时间从所述存储单元读取第二位，其中，所述第一读取持续时间与所
述第二读取持续时间相隔空闲持续时间，其中，所述空闲持续时间包括所述第一时间间隔，所述第一读取持续时间包括所述第二时间间隔。
[0010]在一些实施例中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔完全不重叠，其中，所述放大后的电压大于所述第一电压，所述方法还包括：从所述放大后的电压获取所述第一电压。
[0011]在一些实施例中，所述存储单元是用于存储配置参数的非易失性一次性可编程OTP存储单元，其中，所述配置参数包括所述第一位和所述第二位。
[0012]在一些实施例中，所述第一时间间隔比所述第二时间间隔长。
[0013]在一些实施例中，所述放大后的电压表示所述电容能够充电到的最大安全电压。
[0014]在一些实施例中，所述配置参数用于配置设备的一个或多个电路块，所述方法在所述设备中执行，其中，所述设备包括：所述一个或多个电路块，用于执行期望的操作；所述存储单元；数字单元，用于执行所述读取第一位和所述读取第二位；电荷泵，其耦接所述第一电源，所述电荷泵执行所述存储。
[0015]在一些实施例中，所述方法还包括：接收一个或多个数据位；和在所述第二时间间隔中，用所述一个或多个数据位对所述存储单元中的各个位置进行编程。
[0016]本申请部分实施例还提供一种设备，包括：电荷存储单元；和电荷泵，其中，所述电荷泵的输入耦接第一电源，所述电荷泵的输出节点耦接所述电荷存储单元；其中：所述第一电源提供的功率小于操作存储单元所需的功率，所述电荷泵设计成在第一时间间隔内将来自所述第一电源的电荷存储在所述电荷存储设备上，使用所述电荷存储设备作为第二电源，在第二时间间隔内操作所述存储单元，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之一的一部分不与所述第一时间间隔和所述第二时间间隔中的另一个重叠。
[0017]在一些实施例中，所述电荷存储设备是电容，所述设备还包括所述存储单元，其中：所述存储单元设计成由提供第一电压的电源操作，由所述第一电源提供的第二电压小于所述第一电压，所述电荷泵设计成在所述电容上存储电荷期间将所述第二电压放大到放大后的电压，以使所述电容在所述第一时间间隔内被充电至所述放大后的电压，其中，所述放大后的电压大于或等于所述第一电压。
[0018]在一些实施例中，所述设备还包括：数字单元，用于在第一读取持续时间从所述存储单元读取第一位和在第二读取持续时间从所述存储单元读取第二位，其中，所述第一读取持续时间与所述第二读取持续时间相隔空闲持续时间，其中，所述空闲持续时间包括所述第一时间间隔，所述第一读取持续时间包括所述第二时间间隔。
[0019]在一些实施例中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔完全不重叠，其中，所述放大后的电压大于所述第一电压，所述设备还包括：电阻和第一晶体管，所述电阻和所述第一晶体管串联耦接在所述输出节点和所述设备的内部节点之间，其中，所述电容耦接在所述内部节点和第一恒定参考电位之间；和第二晶体管，其耦接在所述内部节点和所述存储单元的电源端之间。
[0020]在一些实施例中，所述电阻的第一端耦接所述输出节点，所述第一晶体管的第一电流端耦接所述电阻的第二端，所述第一晶体管的第二电流端耦接所述内部节点，以及所述第一晶体管的控制端耦接第一参考电压，所述第一参考电压的大小等于所述第一晶体管的阈值电压和所述电容要充电至的所述最大电压之和。
[0021]在一些实施例中，所述第二晶体管的第一电流端耦接所述内部节点，所述第二晶体管的第二电流端耦接所述存储单元的电源端，所述第二晶体管的控制端耦接第二参考电压，所述第二参考电压的大小等于所述第一电压的幅值和所述第二晶体管的阈值电压之和。
[0022]在一些实施例中，所述设备还包括参考电压发生器，用于产生所述第一参考电压和所述第二参考电压。
[0023]在一些实施例中，所述设备还包括核心功能块，所述核心功能块包括用于实现低压差稳压器LDO的电路，所述LDO用于从低功率电源产生调节后的电源电压，所述调节后的电源电压是所述设备的输出。
[0024]本申请部分实施例还提供一种系统，包括：耦接第一电源的电力端；以及电源单元，其被耦接以从所述电力端接收电力，所述电源单元包括第一线性稳压器和第一DC
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DC转换器，所述第一DC
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DC转换器表示耦接所述电力端的第三电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种与存储单元相关联的执行方法，所述方法包括：在第一时间间隔内将来自第一电源的电荷存储在电荷存储设备上，其中，所述第一电源提供的功率小于操作所述存储单元所需的功率；和使用所述电荷存储设备作为第二电源，在第二时间间隔内操作所述存储单元；其中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之一的一部分不与所述第一时间间隔和所述第二时间间隔中的另一个重叠。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电荷存储设备是电容，所述存储单元设计成由提供第一电压的电源操作，由所述第一电源提供的第二电压小于所述第一电压，所述存储使得所述第二电压被放大以提供大于或等于所述第一电压的放大后的电压，其中，所述存储使得所述电容在所述第一时间间隔内被充电至所述放大后的电压。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在第一读取持续时间从所述存储单元读取第一位、在第二读取持续时间从所述存储单元读取第二位，其中，所述第一读取持续时间与所述第二读取持续时间相隔空闲持续时间，其中，所述空闲持续时间包括所述第一时间间隔，所述第一读取持续时间包括所述第二时间间隔。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔完全不重叠，其中，所述放大后的电压大于所述第一电压，所述方法还包括：从所述放大后的电压获取所述第一电压。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述存储单元是用于存储配置参数的非易失性一次性可编程OTP存储单元，其中，所述配置参数包括所述第一位和所述第二位。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一时间间隔比所述第二时间间隔长。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述放大后的电压表示所述电容能够充电到的最大安全电压。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述配置参数用于配置设备的一个或多个电路块，所述方法在所述设备中执行，其中，所述设备包括：所述一个或多个电路块，用于执行期望的操作；所述存储单元；数字单元，用于执行所述读取第一位和所述读取第二位；电荷泵，其耦接所述第一电源，所述电荷泵执行所述存储。9.根据权利要求4所述的方法，还包括：接收一个或多个数据位；和在所述第二时间间隔中，用所述一个或多个数据位对所述存储单元中的各个位置进行编程。10.一种设备，包括：电荷存储单元；和电荷泵，其中，所述电荷泵的输入耦接第一电源，所述电荷泵的输出节点耦接所述电荷存储单元；其中：
所述第一电源提供的功率小于操作存储单元所需的功率，所述电荷泵设计成在第一时间间隔内将来自所述第一电源的电荷存储在所述电荷存储设备上，使用所述电荷存储设备作为第二电源，在第二时间间隔内操作所述存储单元，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之一的一部分不与所述第一时间间隔和所述第二时间间隔中的另一个重叠。11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述电荷存储设备是电容，所述设备还包括所述存储单元，其中：所述存储单元设计成由提供第一电压的电源操作，由所述第一电源提供的第二电压小于所述第一电压，所述电荷泵设计成在所述电容上存储电荷期间将所述第二电压放大到放大后的电压，以使所述电容在所述第一时间间隔内被充电至所述放大后的电压，其中，所述放大后的电压大于或等于所述第一电压。12.根据权利要求11所述的设备，还包括：数字单元，用于在第一读取持续时间从所述存储单元读取第一位和在第二读取持续时间从所述存储单元读取第二位，其中，所述第一读取持续时间与所述第二读取持续时间相隔空闲持续时间，其中，所述空闲持续时间包括所述第一时间间隔，所述第一读取持续时间包括所述第二时间间隔。13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述第一时间间隔和所述第二时间间隔完全不重叠，其中，所述放大后的电压大于所述第一电压，所述设备还包括：电阻和第一晶体管，所述电阻和所述第一晶体管串联耦接在所述输出节点和所述设备的内部节点之间，其中，所述电容耦接在所述内部节点和第一恒定参考电位之间；和第二晶体管，其耦接在所述内部节点和所述存储单元的电源端之间。14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述电阻的第一端耦接所述输出节点，所述第一晶体管的第一电流端耦接所述电阻的第二端，所述第一晶体管的第二电流端耦接所述内部节点，以及所述第一晶体管的控制端耦接第一参考电压，所述第一参考电压的大小等于所述第一晶体管的阈值电压和所述电容要充电至的所述最大电压之和。15.根据权利要求14所述的设备，其中，所述第二晶体管的第一电流端耦接所述内部节点，所述第二晶体管的第二电流端耦接所述存储单元的电源端，所述第二晶体管的控制端耦接...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿诺德，
申请(专利权)人：宁波奥拉半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：