一种半导体器件制造技术

本申请提供一种半导体器件，包括MIM电容以及电容增强结构，电容增强结构位于MIM电容上方，MIM电容包括下金属层、上金属层以及设置于下金属层与上金属层之间的第一介质层，电容增强结构包括相互平行且间隔设置的信号线和第一地线，信号线与第一地线之间设置有第二介质层，信号线位于第一地线靠近MIM电容的一侧，信号线与上金属层连接，信号线的长度为58‑65μm，信号线的宽度为0.25‑0.37μm。通过设置由相互平行的信号线以及第一地线且在信号线与第一地线之间设置第二介质层构成电容增强结构，并将信号线设置为与上金属层连接，以使得信号线和第一地线之间产生寄生耦合MIM电容，从而提高MIM电容的电容值。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件。

技术介绍

1、在半导体器件的集成电路中，通常将电容与晶体管集成设计在同一芯片或电路中，其中，电容主要包括金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，mim)电容和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，mom)电容两种。但mom电容的单位面积电容值较高，大约是mim电容的3倍，而mom电容的电容密度会随着频率的增加而逐渐增加，而同样的面积下的mim电容的电容密度则比较稳定。因此，如何在不增大mim电容面积的同时，提高mim电容的电容值是目前急需要解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种半导体器件，以提高mim电容的电容值。

2、本申请提供一种半导体器件，包括mim电容以及电容增强结构，所述电容增强结构位于所述mim电容上方，所述mim电容包括下金属层、上金属层以及设置于所述下金属层与所述上金属层之间的第一介质层，所述电容增强结构包括相互平行且间隔设置的信号线和第一地线，所述信号线与所述第一地线之间设置有第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括MIM电容以及电容增强结构，所述电容增强结构位于所述MIM电容上方，所述MIM电容包括下金属层、上金属层以及设置于所述下金属层与所述上金属层之间的第一介质层，所述电容增强结构包括相互平行且间隔设置的信号线和第一地线，所述信号线与所述第一地线之间设置有第二介质层，所述信号线位于所述第一地线靠近所述MIM电容的一侧，所述信号线与所述上金属层连接，所述信号线的长度为58-65μm，所述信号线的宽度为0.25-0.37μm。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述MIM电容背离所述第一地线一侧的第二地线，所述第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括mim电容以及电容增强结构，所述电容增强结构位于所述mim电容上方，所述mim电容包括下金属层、上金属层以及设置于所述下金属层与所述上金属层之间的第一介质层，所述电容增强结构包括相互平行且间隔设置的信号线和第一地线，所述信号线与所述第一地线之间设置有第二介质层，所述信号线位于所述第一地线靠近所述mim电容的一侧，所述信号线与所述上金属层连接，所述信号线的长度为58-65μm，所述信号线的宽度为0.25-0.37μm。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述mim电容背离所述第一地线一侧的第二地线，所述第二地线与所述下金属层连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二地线与所述第一地线以及所述信号线平行设置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质层具有贯穿第一介质层以暴露所述上金属层以及所述下金属层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔间隔设置，所述第一过孔以及所述第二过孔中均填充有第一导电连接部，以将所述上金属层与所述下金属层连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈帅谦，周小舟，王云松，
申请(专利权)人：宁波奥拉半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：