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本申请提供一种半导体器件，包括MIM电容以及电容增强结构，电容增强结构位于MIM电容上方，MIM电容包括下金属层、上金属层以及设置于下金属层与上金属层之间的第一介质层，电容增强结构包括相互平行且间隔设置的信号线和第一地线，信号线与第一地线之...
该专利属于宁波奥拉半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波奥拉半导体股份有限公司授权不得商用。

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