管理用于低阈值电压偏移区间放置的读取电平电压偏移制造技术

本申请的实施例涉及管理用于低阈值电压偏移区间放置的读取电平电压偏移。创建与存储器装置相关联的块族。所述块族与阈值电压偏移区间相关联。确定读取电平电压偏移集，使得将所述读取电平电压偏移集施加到与所述块族相关联的基础读取电平阈值电压产生不超过最大可允许错误率的次佳错误率。通过更新块族元数据，使所确定的读取电平偏移集与所述阈值电压偏移区间相关联。偏移区间相关联。偏移区间相关联。

【技术实现步骤摘要】
管理用于低阈值电压偏移区间放置的读取电平电压偏移


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及管理用于低阈值电压偏移区间放置的读取电平电压偏移。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。大体来说，主机系统可以利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]根据本公开的实施例，提供了一种方法。方法包括：创建与存储器装置相关联的块族；使所述块族与阈值电压偏移区间相关联；确定读取电平电压偏移集，使得当被施加到与所述块族相关联的基础读取电平阈值电压时产生不超过最大可允许错误率的次佳错误率；以及使所述读取电平电压偏移集与所述阈值电压偏移区间相关联。
[0004]根据本公开的实施例，提供了一种系统。系统包括：存储器装置；以及处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合以执行以下操作：识别与所述存储器装置相关联的块；使用多个读取电平电压偏移集针对所述块执行一系列读取操作；以及识别所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：创建与存储器装置相关联的块族；使所述块族与阈值电压偏移区间相关联；确定读取电平电压偏移集，使得当被施加到与所述块族相关联的基础读取电平阈值电压时产生不超过最大可允许错误率的次佳错误率；以及使所述读取电平电压偏移集与所述阈值电压偏移区间相关联。2.根据权利要求1所述的方法，其中使所述读取电平电压偏移集与所述阈值电压偏移区间相关联包括：更新与所述存储器装置相关联的块族元数据，其中所述块族元数据包括包含多个记录的偏移表，其中所述多个记录中的记录使读取电平电压偏移集与对应阈值电压偏移区间相关联。3.根据权利要求1所述的方法，其中创建与所述存储器装置相关联的所述块族包括：初始化与所述存储器装置相关联的所述块族；初始化与所述块族相关联的超时；响应于对驻存在所述存储器装置上的块进行编程，使所述块与所述块族相关联；以及响应于检测到所述超时到期，关闭所述块族。4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述块族与所述阈值电压偏移区间相关联包括：更新与所述存储器装置相关联的块族元数据，其中所述块族元数据包括包含多个记录的表，且其中所述多个记录中的记录使块族与阈值电压偏移区间相关联。5.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述读取电平电压偏移集，使得当被施加到与所述块族相关联的所述基础读取电平阈值电压时产生不超过所述最大可允许错误率的所述次佳错误率包括：使用多个电压偏移集针对所述块族执行一系列读取操作；在所述一系列读取操作当中识别产生低于所述最大可允许误码率的在预定间隔内的误码率的读取操作；以及确定所述多个电压偏移集中用于执行所识别的读取操作的电压偏移集。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：针对所述阈值电压偏移区间执行一系列校准，其中基于所述块族已与所述阈值电压偏移区间相关联的时间段而确定所述一系列校准中的两个校准之间的时间段。7.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：接收指定逻辑块的识别符的读取命令；将所述逻辑块的所述识别符转译为存储在所述存储器装置上的物理块的物理地址，其中所述物理地址包括存储器装置裸片的识别符；基于与所述存储器装置相关联的块族元数据，识别与所述物理地址相关联的所述块族；确定与所述块族和所述存储器装置裸片相关联的阈值电压偏移；通过将所述阈值电压偏移施加到与所述存储器装置裸片相关联的基础读取电平电压来计算修改后的阈值电压；以及使用所述修改后的阈值电压从所述物理块读取数据。
8.一种系统，其包括：存储器装置；以及处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合以执行包括以下各项的操作：识别与所述存储器装置相关联的块；使用多个读取电平电压偏移集针对所述块执行一系列读取操作；以及识别所述多个读取电平电压偏移集中的读取电平电压偏移集，其中所述读取电平电压偏移集在被施加到与所述块相关联的基础读取电平电压时产生不超过最大可允许错误率的次佳错误率。9.根据权利要求8所述的系统，其进一步包括：确定读取操作为后台操作；响应于确定所述读取操作为所述后台操作，识别所述多个读取电平电压偏移集中的第二读取电平电压偏移集，其中所述第二读取电平电压偏移集在被施加到与所述块相关联的所述基础读取电平电压时产生最低错误率；通过将所述第二读取电平电压偏移集施加到与所述块相关联的所述基础读取电平电压来计算修改后的阈值电压；以及使用所述修改后的阈值电压从所述块读取数据。10.根据权利要求8所述的系统，其进一步包括：确定与所述块相关联的阈值电压偏移区间；通过更新与所述存储器装置相关联的块族元数据来使所述读取电平电压偏移集与所述阈值电压偏移区间相关联，其中所述块族元数据包括包含多个记录的偏移表，其中所述多个记录中的记录使读取电平电压偏移集与对应阈值电压偏移区间相关联。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：