一种miniLED制作方法以及miniLED技术

本申请实施例公开了一种miniLED制作方法以及miniLED，该制作方法包括：提供外延衬底和预设衬底，在外延衬底表面依次形成外延结构、第一粘附层、第一胶层，在预设衬底表面依次形成第二粘附层和第二胶层，将第一胶层和第二胶层键合，实现外延结构与预设衬底相接，去除外延衬底，最后在外延结构背离第一粘附层一侧形成P电极和N电极，第一胶层和第二胶层均为BCB胶层，使得第一胶层与第二胶层的键合温度和压强均较低，键合难度较小，并使得第一胶层与第二胶层键合时，不需要对第一胶层和第二胶层进行抛光和活化，工艺流程较简单，从而该制作方法实现外延结构与预设衬底相接的工艺难度低且简单，有利于miniLED的制备。有利于miniLED的制备。有利于miniLED的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种miniLED制作方法以及miniLED


[0001]本申请涉及LED
，尤其涉及一种miniLED制作方法以及利用该制作方法制作得到的miniLED。

技术介绍

[0002]随着发光二极管(Light
‑
emitting Diode，简称LED)技术的快速发展，迷你发光二极管miniLED应运而生，成为了近年来研究的重点。
[0003]已知制作miniLED的过程包括键合工艺，通过键合工艺将外延结构与衬底相接，而目前在miniLED的衬底和外延结构相接的过程中，通常采用SiO2键合的方式将衬底与外延结构相接。但是采用SiO2键合将衬底与外延结构相接时，由于SiO2自身材料属性的原因，使得利用SiO2进行键合时，工艺复杂，且键合难度较大，不利于外延结构与衬底之间的相接。因此，提供一种miniLED制作方法，使得键合工艺简单，从而有助于外延结构与衬底之间的相接，成为了本领域技术人员的研究重点。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种miniLED制作方法，该制作方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种miniLED制作方法，其特征在于，包括：提供外延衬底和预设衬底；在所述外延衬底表面形成外延结构；在所述外延结构背离所述外延衬底表面一侧形成第一粘附层，在所述预设衬底表面形成第二粘附层；在所述第一粘附层背离所述外延衬底表面一侧形成第一胶层，在所述第二粘附层背离所述预设衬底表面一侧形成第二胶层，其中，所述第一胶层为苯并环丁烯胶层，所述第二胶层为苯并环丁烯胶层；将所述第一胶层和所述第二胶层进行键合，之后，去除所述外延衬底；在所述外延结构背离所述第一粘附层一侧形成P电极和N电极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述外延衬底表面形成外延结构之后，在所述外延结构背离所述外延衬底表面一侧形成第一粘附层之前，该制作方法还包括：对所述外延结构背离所述外延衬底表面一侧进行粗化。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述外延衬底表面形成外延结构包括：在所述外延衬底表面形成依次层叠的缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、n型粗化层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型窗口层，以形成所述外延结构，其中，所述第一粘附层与所述p型窗口层相粘接；对所述外延结构背离所述外延衬底表面一侧进行粗化包括：对所述p型窗口层背离所述外延衬底表面一侧进行粗化，以对所述外延结构背离所述外延衬底表面一侧进行粗化。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一粘附层背离所述外延衬底表面一侧形成第一胶层，在所述第二粘附层背离所述预设衬底表面一侧形成第二胶层之前，该制作方法还包括：在所述第一粘附层背离所述外延衬底表面一侧形成第一增粘层；在所述第二粘附层背离所述预设衬底表面一侧形成第二增粘层。5.根据权利要求1所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：班国训，赵鹏，徐洲，马英杰，蔡和勋，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：