一种外延隔离LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种外延隔离LED芯片及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上刻蚀形成凹槽；分别在凹槽的底部、侧壁及顶部沉积抑制外延层生长的化合物；通过刻蚀分别去除在凹槽的顶部和底部沉积的化合物；并依次在凹槽的底部生长N型半导体层、发光层和P型半导体层。本发明专利技术中的外延隔离LED芯片及其制备方法，通过首先在衬底上刻蚀出凹槽，形成自隔离的结构，并在凹槽侧壁沉积抑制外延层生长的化合物，在自隔离的结构上生长外延层，提前将芯片进行隔离再生长外延层能够避免刻蚀对外延层的污染，提高了芯片的发光效率。芯片的发光效率。芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种外延隔离LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种外延隔离LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着Micro LED显示技术的发展，LED芯片的尺寸越来越小。LED芯片通常一端包括P型半导体，在空穴占主导地位，另一端是N型半导体主要是电子。当两种半导体连接，将形成一个P
‑
N结。当电流通过导线作用于晶片时，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，最后以光子的形式发出能量。
[0003]完整的电路是由分离的器件由特定电学通路连接起来的，因此在集成电路制造中必须将器件隔离开来，以使器件互连形成所需特定的电路结构。
[0004]现有技术中，LED行业的常见的隔离技术主要包括：首先在衬底上沉积N外延和MQW和P外延，外延层沉积完成后，再在此基础上，利用ICP刻蚀将外延层刻蚀至PSS层，从而将芯片隔离以形成独立的芯片，后续对芯片进行研磨切割测试。然而，上述隔离技术中的刻蚀过程中将导致外延层污染，从而影响LED芯片发光效率。

技术实现思路
<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻图形，刻蚀出与所述第一光刻图形相应的图形，以使在所述衬底上形成凹槽；分别在所述凹槽的底部、侧壁及顶部沉积抑制外延层生长的化合物；通过刻蚀分别去除在所述凹槽的顶部和底部沉积的所述化合物；在所述衬底上形成第二光刻图形，刻蚀出与所述第二光刻图形相应的图案，并依次在所述凹槽的底部生长N型半导体层、发光层和P型半导体层。2.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度为5um
‑
15um。3.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述化合物为氧化物或氮化物。4.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述第二光刻图形为圆锥。5.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。6.根据权利要求1所述的外延隔离LED芯片制备方法，其特征在于，在分别在所述凹槽的底部、侧壁及顶部沉积化合物的步骤中：将第一气体反应剂通入腔体，控制通入时间为0.1s
‑
60s；停止通入第一气...

【专利技术属性】
技术研发人员：田杰，简弘安，张星星，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：