一种发光二极管的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的制作方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底的表面制作形成多个圆柱体凹坑；将圆柱体凹坑内部填充用于散热和反射光的石墨烯粉末；在圆柱体凹坑的正上方制作形成凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高LED芯片的散热能力，有效提高LED器件的发光效率，还可以减少LED外延片翘曲度，提升LED发光波长和亮度分布均匀性。提升LED发光波长和亮度分布均匀性。提升LED发光波长和亮度分布均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种发光二极管的制作方法。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种半导体发光器件，主要由P型半导体和N型半导体两部分组成；其中，N型区具有很多高迁移率的电子，P型区有很多具有低迁移率的空穴，P型半导体和N型半导体之间的过渡层，称为PN结；当向LED施加正向电压时，电子可以和空穴发生复合并释放出光子。目前国内生产LED的规模正在逐步扩大，但是LED芯片尤其是高端大功率LED芯片仍然存在散热不好、出光效率低下的问题，影响LED器件的寿命和节能效果。
[0003]因此，如何在现有技术的基础上，开发新的制备技术提高LED的散热能力和发光效率成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种发光二极管的制作方法，能够提高LED芯片的散热能力，有效提高LED器件的发光效率，还可以减少LED外延片翘曲度，提升LED发光波长和亮度分布均匀性。
[0005]本申请提供一种发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后，在蓝宝石衬底的上表面涂覆光刻胶膜层，然后采用光刻技术使光刻胶膜层在蓝宝石衬底表面形成多个圆形图案；将表面形成有多个圆形图案的蓝宝石衬底置入ICP反应腔进行干法刻蚀，再去除蓝宝石衬底表面的光刻胶膜层，在蓝宝石衬底的表面形成多个圆柱体凹坑；所述圆柱体凹坑沿垂直于蓝宝石衬底所在平面的方向朝向所述蓝宝石衬底凹陷，且沿垂直于蓝宝石衬底所在平面的方向，所述圆柱体凹坑的高度小于蓝宝石衬底的厚度；将所述圆柱体凹坑内部填充用于散热和反射光的石墨烯粉末；在蓝宝石衬底表面形成有圆柱体凹坑的一侧沉积掺有金刚石颗粒的氧化硅膜，再利用光刻和干法刻蚀的方法去除多余的掺有金刚石颗粒的氧化硅膜，在所述圆柱体凹坑的正上方形成凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体，其中，凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体与所述圆柱体凹坑的中心线重合，且凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体的底面直径为所述圆柱体凹坑底面直径的1.5倍；最后利用金属有机化合物化学气相沉淀法在蓝宝石衬底表面形成有凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体的一侧依次生长氮化镓缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化镓层，获...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐平，周孝维，冯磊，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：