酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料、中间体、制备及应用制造技术

本发明专利技术提供了一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料、中间体及其制备及应用。所述酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料的制备方法，包括：S21，称取4

【技术实现步骤摘要】
酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料、中间体、制备及应用


[0001]本专利技术涉及一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料、中间体及其制备及应用。

技术介绍

[0002]目前，如今，由于电子设备的小型化以及一些航空航天、勘探等行业集中电路的发展，静电电荷所产生的电子元件容易堆积，导致积尘和材料性能下降。为了防止静电造成的危害，已经提供了大量的防静电材料，通过在导电路径上保持足够的水分来避免静电的影响。抗静电材料在其表面形成导电层，从而降低其表面电阻率并使已经产生的静电电荷迅速泄漏。抗静电性能是指抗静电材料放电的能力。然而，这些抗静电材料在某些应用中可能会出现抗静电失效，因为潮湿的水在高温下会蒸发。因此，有必要开发使用温度范围宽广的防静电材料。铵盐基团是一种极性基团，它具有表面活性剂的特征，是一种常用的抗静电剂组成成分。酞菁是一种具有18个电子的大共轭体系的化合物，由于π
‑
π相互作用，酞菁呈柱状排列时显示出沿柱方向的低维导电性。然而，现有技术中未提供以酞菁为主的防静电材料。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料、中间体、制备及应用，可以有效解决上述问题。
[0004]本专利技术是这样实现的：
[0005]本专利技术提供一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料中间体的制备方法，包括：
[0006]S11，将胆甾醇以及吡啶溶解于溶剂中，然后加入4
‑
溴丁酰氯，常温搅拌反应1～2h后，加热到75～80℃回流反应10～15h；
[0007]S12，反应完全后，减压蒸出溶剂，冷却后至温度小于50℃，将反应液倒入水中，用盐酸调节pH值至酸性，过滤、清洗、烘干得淡黄色粒状固体4
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溴丁酸胆甾醇酯。
[0008]本专利技术进一步提供一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料中间体，所述酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料中间体为根据上述的方法获得。
[0009]本专利技术进一步提供一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料的制备方法，包括：
[0010]S21，称取4
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溴丁酸胆甾醇酯以及4
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氨基酞菁金属配合物，加入溶剂中混合均匀，然后加热到60～70℃回流反应；
[0011]S22，反应结束后减压蒸馏将多余的溶剂，然后将剩余固体倒入蒸馏水中，抽滤清洗，并用无水乙醇热过滤后烘干得到酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料。
[0012]本专利技术进一步提供一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料，所述酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料为通过上述方法获得。
[0013]本专利技术进一步提供一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料的应用，所述酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料用于抗静电材料。
[0014]本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料、中间体、
制备及应用，其化学结构中的铵盐基团、酞菁基团、液晶基元协同作用为其提供了宽温抗静电性(0℃～220℃)：一方面，在低温时，结构中的铵盐基团能提供抗静电性；另一方面，在高温时，液晶基元协同酞菁基团取向排列，促使酞菁基团呈柱状排列，从而提供抗静电性。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0016]图1为4
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溴丁酸胆甾醇酯的红外谱图。
[0017]图2为4
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溴丁酸胆甾醇酯的核磁谱图。
[0018]图3为4
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溴丁酸胆甾醇酯的DSC曲线图。
[0019]图4为4
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溴丁酸胆甾醇酯的偏光图。
[0020]图5为PSS
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PcZn
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R1的红外谱图。
[0021]图6为PSS
‑
PcZn
‑
R1的DSC曲线。
[0022]图7为PSS
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PcZn
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R1的偏光织构照片。
[0023]图8为PSS
‑
PcZn
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R1的XRD谱图。
[0024]图9为PSS
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PcZn
‑
R1在室温、不同湿度条件下的表面电阻率。
[0025]图10为PSS
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PcZn
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R3在相对湿度2％，不同温度条件下的电导率图。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]在本专利技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0028]本专利技术提供一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料中间体的制备方法，包括：
[0029]S11，将胆甾醇以及吡啶溶解于溶剂中，然后加入4
‑
溴丁酰氯，常温搅拌反应1～2h后，加热到75～80℃回流反应10～15h；
[0030]S12，反应完全后，减压蒸出溶剂，冷却后至温度小于50℃，将反应液倒入水中，用盐酸调节pH值至酸性，过滤、清洗、烘干得淡黄色粒状固体4
‑
溴丁酸胆甾醇酯。
[0031]在步骤S11中，因为反应为放热反应且较为剧烈，所以需要两步加热。先在缓慢加
入4
‑
溴丁酰氯，常温搅拌反应1～2h，这样不至于反应太剧烈放热而出现实验事故。常温搅拌反应1～2h后，反应会变得柔和，再加热到75～80℃回流反应10～15h，促使完全反应。
[0032]所述溶剂优选为四氢呋喃。所述四氢呋喃和吡啶的体积比为7～8:1。所述胆甾醇与所述4
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溴丁酰氯优选按照摩尔质量比为1～1.1:1，以提高产率。吡啶的作用在于蓄酸剂
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吸收反应生成的氯化氢。
[0033]所述胆甾醇与所述4
‑
溴丁酰氯的反应方程式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料中间体的制备方法，其特征在于，包括：S11，将胆甾醇以及吡啶溶解于溶剂中，然后加入4
‑
溴丁酰氯，常温搅拌反应1～2h后，加热到75～80℃回流反应10～15h；S12，反应完全后，减压蒸出溶剂，冷却后至温度小于50℃，将反应液倒入水中，用盐酸调节pH值至酸性，过滤、清洗、烘干得淡黄色粒状固体4
‑
溴丁酸胆甾醇酯。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂为四氢呋喃。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述四氢呋喃和吡啶的体积比为7～8:1。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S12中，所述冷却后至温度小于50℃的步骤包括：冷却至温度40～45℃。5.一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料中间体，其特征在于，所述酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料中间体为根据权利要求1
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4任一项所述的方法获得。6.一种酞菁铵盐类液晶超分子抗静电材料的制备方法，其特征在于，包括：S21，称取4
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溴...

【专利技术属性】
技术研发人员：王基伟，颜桂炀，王安晨，陈峰，庄凰龙，
申请(专利权)人：宁德师范学院，
类型：发明
国别省市：