提高多路输出电源负载不平衡度的电路制造技术

提高多路输出电源负载不平衡度的电路，涉及开关电源领域，技术方案是：输入电压正极与第一电感Ｌ１、变压器原边、ＭＯＳＦＥＴ、输入电压负极组成串联回路，第一电容Ｃ１跨接在第一电感Ｌ１与变压器原边的连接点和输入电压负极之间，ＭＯＳＦＥＴ的漏极与变压器串联，ＭＯＳＦＥＴ源极与输入负联接，第一电容Ｃ１的负极与输入电压负极相连；变压器副边有两个并绕的绕组，将输出分为两个支路，即支路Ｉ和支路ＩＩ；控制电路的输入取自支路Ｉ的输出电压正、负极，控制电路产生的驱动脉冲，作为变压器原边ＭＯＳＦＥＴ的驱动信号与ＭＯＳＦＥＴ的栅极相连，本发明专利技术从原理上减小负载不平衡度。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及开关电源领域，尤其涉及单路控制多路输出的二次电源领域。图1是单路控制的基本正激电源电路示意图输入电压正极与第一电感L1、变压器原边、MOSFET、输入电压负极组成串联回路，第一电容C1跨接在第一电感L1与变压器原边的连接点和输入电压负极之间，第一电容C1的负极与输入电压负极相连。变压器副边有两个并绕的绕组，即绕组I和绕组II，将输出分为两个支路，即支路I和支路II。支路I是这样构成的绕组I与第二电感L2、第二电容C2、第一二极管VD1组成串联回路，第二二极管VD2与第二电感L2、第二电容C2组成的支路并联，第一电阻R1与第二电容C2并联；第二电容C2的负极与同时第一二极管VD1的正极、第二二极管VD1的正极相连。支路II是这样构成的绕组II与第三电感L2’、第三电容C2’、第三二极管VD1’组成串联回路，第四二极管VD2’与第三电感L2’、第三电容C2’组成的支路并联，第二电阻R1’与第三电容C2’并联；第三电容C2’的负极同时与第三二极管VD1’的正极、第四二极管VD2’的正极相连。第二电感L2与第三电感L2’是耦合绕制的。控制电路的输入取自支路I的输出电压正、负极，控制电路产生的驱动脉冲，作为变压器原边MOSFET的驱动信号与MOSFET的栅极相连。在支路I和支路II两路设计输出电压相等的情况下，当不控支路(支路II)负载很轻，该路输出电感L2′电流不连续时，输出电压VO1′等于电感两端电压V1加上续流电子开关VD2′两端电压V2，假设支路I和支路II的输出电感L2和L2′耦合度为1，电感两端电压V1应该和电感L2两端电压相等，而被控制支路(支路I)满载时电感L2电流连续，两端电压应该等于该路输出电压。这样，支路II输出电压比支路I输出电压多出了V2；当支路II负载和支路I负载都较重，电感L2′电流连续，输出电压VO1′等于电感两端电压V1；假设两路输出电感L2和L2′耦合度为1，应该和支路I电感两端电压相等，而支路I满载时电感L2电流连续，电感两端电压应该等于输出电压。以上分析可以看出，支路II当电感电流连续和不连续时，即使两路输出电感L2和L2′耦合度为1，输出电压在两种条件下仍然相差V2。图2是单路控制的基本反激电源电路示意图输入电压正极与第一电感L1、变压器原边、MOSFET、输入电压负极组成串联回路，第一电容C1跨接在第一电感L1与变压器原边的连接点和输入电压负极之间，第一电容C1的负极与输入电压负极相连。变压器副边有两个并绕的绕组，即绕组I和绕组II，将输出分为两个支路，即支路I和支路II。支路I是这样构成的绕组I与第二电容C2、第一二极管VD1组成串联回路，VD1的正极与第二电容C2负极相连，第一电阻R1与第二电容C2并联。支路II是这样构成的绕组II与第三电容C2’、第二二极管VD1’组成串联回路，VD1’的正极与第三电容C2’负极相连，第二电阻R1’与第三电容C2’并联。控制电路的输入取自支路I的输出电压正、负极，控制电路产生的驱动脉冲，作为变压器原边MOSFET的驱动信号与MOSFET的栅极相连。假设支路I和支路II两路设计输出电压相等当不控支路(支路II)负载很轻，储能电感(即变压器)电流不连续时，输出电压VO1′等于VD1′两端电压V2加上变压器副边输出电压V1，假设两路输出变压器绕组耦合度为1，V1应该和被控制支路(支路I)变压器副边两端电压相等，而支路I满载时电流连续，变压器副边两端电压应该等于该路输出电压，这样，支路II输出电压比支路I输出电压多出了V2；当支路II负载较重，储能电感电流连续时，输出电压VO1′等于变压器副边两端电压V1；假设两路输出变压器绕组耦合度为1，应该和支路I副边绕组两端电压相等，而支路I满载时储能电感电流连续，变压器副边两端电压应该等于输出电压。以上分析可以看出，支路II当储能电感电流连续和不连续时即使输出变压器副边耦合度为1，输出电压在两种条件下仍然相差V2。本专利技术的一种技术方案是输入电压正极与第一电感L1、变压器原边、MOSFET、输入电压负极组成串联回路，第一电容C1跨接在第一电感L1与变压器原边的连接点和输入电压负极之间，MOSFET的漏极与变压器串联，MOSFET源极与输入负联接，第一电容C1的负极与输入电压负极相连；变压器副边有两个并绕的绕组，即绕组I和绕组II，将输出分为两个支路，即支路I和支路II。支路I是这样构成的绕组I与第二电感L2、第二电容C2、第一二极管VD1组成串联回路；第二可控电子开关VT2与由第二电感L2、第二电容C2组成的串联支路并联，漏极与第二电感L2相连，栅极通过第二电阻R2接在与第一电感相连的变压器原边一端的非同名端，即用于整流的单向导电的第一二极管VD1的负极；第一电阻R1与第二电容C2并联；第二电容C2的负极与第一二极管VD1的正极、第二可控电子开关VT2的源极相连；支路II是这样构成的绕组II与第三电感L2’、第三电容C2’、第二二极管VD1’组成串联回路； 第三可控电子开关VT2’与由第三电感L2’、第三电容C2’组成的串联支路并联，漏极与第三电感L2’相连，栅极通过第四电阻R2’接与第一电感相连的变压器原边一端的非同名端，即用于整流的单向导电的第二二极管VD1’的负极；第三电阻R1’与第三电容C2’并联；第三电容C2’的负极与第二二极管VD1’的正极、第三可控电子开关VT2’的源极相连；第二电感L2与第三电感L2’是耦合绕制的；控制电路的输入取自支路I的输出电压正、负极，控制电路产生的驱动脉冲，作为变压器原边MOSFET的驱动信号与MOSFET的栅极相连。本专利技术的另一种技术方案是输入电压正极与第一电感L1、变压器原边、MOSFET、输入电压负极组成串联回路，第一电容C1跨接在第一电感L1与变压器原边的连接点和输入电压负极之间，MOSFET的漏极与变压器串联，MOSFET源极与输入负联接，第一电容C1的负极与输入电压负极相连；变压器副边有两个并绕的绕组，即绕组I和绕组II，将输出分为两个支路，即支路I和支路II；支路I是这样构成的绕组I与第二电容C2、第二可控电子开关VT2组成串联回路；第一电阻R1与第二电容C2并联；第二电容C2的负极与第二可控电子开关VT2的漏极相连；第二可控电子开关VT2的栅极通过第二电阻R2接在第二电容C2的正极，即输出正极。支路II是这样构成的绕组II与第三电容C2’、第三可控电子开关VT2’组成串联回路；第三电阻R1’与第三电容C2’并联；第三电容C2’的负极与第三可控电子开关VT2’的漏极相连；第三可控电子开关VT2’的栅极通过第四电阻R2’接在第三电容C2’的正极，即输出正极。控制电路的输入取自支路I的输出电压正、负极，控制电路产生的驱动脉冲，作为变压器原边MOSFET的驱动信号与MOSFET的栅极相连。本专利技术与传统方案相比，将正激电路中无源控制的用于续流的单向导电电子开关去掉，取而代之的是有源控制的可以双向导电的电子开关，在任何负载条件下都不存在输出电感(或储能电感)电流不连续情况，从原理上减小负载不平衡度。附图说明图1是单路控制双路输出的基本正激电源电路。图2是单路控制双路输出的基本反激电源电路。图3是本专利技术技术方案一的电路图本文档来自技高网...

【技术保护点】
提高多路输出电源负载不平衡度的电路，其特征在于：输入电压正极与第一电感Ｌ１、变压器原边、ＭＯＳＦＥＴ、输入电压负极组成串联回路，第一电容Ｃ１跨接在第一电感Ｌ１与变压器原边的连接点和输入电压负极之间，ＭＯＳＦＥＴ的漏极与变压器串联，ＭＯＳＦＥＴ源极与输入负联接，第一电容Ｃ１的负极与输入电压负极相连；变压器副边有两个并绕的绕组，即绕组Ⅰ和绕组Ⅱ，将输出分为两个支路，即支路Ⅰ和支路Ⅱ；支路Ⅰ是这样构成的：绕组Ⅰ与第二电感Ｌ２、第二电容Ｃ２、第一二极管ＶＤ１组成串联回路； 第二可控电子开关ＶＴ２与由第二电感Ｌ２、第二电容Ｃ２组成的串联支路并联，漏极与第二电感Ｌ２相连，栅极通过第二电阻Ｒ２接在与第一电感相连的变压器原边一端的非同名端，即用于整流的单向导电的第一二极管ＶＤ１的负极；第一电阻Ｒ１与第二电容Ｃ２并 联；第二电容Ｃ２的负极与第一二极管ＶＤ１的正极、第二可控电子开关ＶＴ２的源极相连；支路Ⅱ是这样构成的：绕组Ⅱ与第三电感Ｌ２’、第三电容Ｃ２’、第二二极管ＶＤ１’组成串联回路；第三可控电子开关ＶＴ２’与由第三电感Ｌ２’、第三电容Ｃ ２’组成的串联支路并联，漏极与第三电感Ｌ２’相连，栅极通过第四电阻Ｒ２’接与第一电感相连的变压器原边一端的非同名端，即用于整流的单向导电的第二二极管ＶＤ１’的负极；第三电阻Ｒ１’与第三电容Ｃ２’并联；第三电容Ｃ２’的负极与第二二极管ＶＤ１’的正极、第三可控电子开关ＶＴ２’的源极相连；第二电感Ｌ２与第三电感Ｌ２’是耦合绕制的；控制电路的输入取自支路Ⅰ的输出电压正、负极，控制电路产生的驱动脉冲，作为变压器原边ＭＯＳＦＥＴ的驱动信号与ＭＯＳＦＥＴ的栅极相连。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高晓光，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]