用于执行目标刷新操作的装置和方法制造方法及图纸

提供一种半导体存储器件及其操作方法。一种半导体存储器件包括：第一储存逻辑，其被配置成将在参考信号的使能时段期间施加的输入地址之中的具有不同值的“K”个地址储存作为第一地址；第二储存逻辑，其被配置成将输入地址之中的与参考信号的使能时段结束的时间点相对应的“L”个地址储存作为第二地址；顺序控制器，其被配置成基于第一地址中的每个第一地址被重复输入的次数来确定第一地址中的每个第一地址的第一输出顺序，并且确定用于输出混合地址的第二输出顺序，该混合地址是通过将基于第一输出顺序的第一地址与第二地址混合在一起而获得的；以及刷新操作逻辑，其被配置成将根据第二输出顺序的混合地址应用于目标刷新操作。操作。操作。

【技术实现步骤摘要】
用于执行目标刷新操作的装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年12月14日提交的申请号为63/125,079的美国临时专利申请和2021年2月3日提交的申请号为10
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2021
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0015548的韩国专利申请的优先权，它们通过引用整体合并于此。


[0003]本文中所描述的一个或更多个实施例涉及一种执行刷新操作的装置和方法。

技术介绍

[0004]易失性存储器件将数据储存在多个存储单元中。每个存储单元可以包括用作开关的晶体管和用于对应于数据的逻辑值而储存电荷的电容器。理论上，使用电容器来储存数据不会耗电。然而，在实践中，晶体管可能会经历泄漏电流，这进而可能会对电容器中储存的电荷造成不利影响。如果足够严重，所储存的数据可能会丢失。
[0005]为了防止这个问题，可以在数据丢失之前读取储存在存储单元中的数据，并且可以执行再充电操作以尝试恢复与读取信息相对应的适当的电荷量。在这种情况下，只有周期性重复充电操作才可以保持数据储存。这种再充电操作可以被称为刷新操本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：参考信号生成器，所述参考信号生成器：生成具有使能时段的参考信号，其中所述使能时段的数目和每个使能时段的长度是基于操作时间而被随机确定的；第一储存逻辑，所述第一储存逻辑：将在所述参考信号的所述使能时段期间施加的输入地址之中的具有不同值的最多“K”个地址储存作为第一地址；第二储存逻辑，所述第二储存逻辑：将在所述参考信号的所述使能时段期间施加的所述输入地址之中的与所述参考信号的所述使能时段结束的时间点相对应的“L”个地址储存作为第二地址；顺序控制器，所述顺序控制器：基于所述第一地址中的每个第一地址被重复输入的次数来确定所述第一地址中的每个第一地址的输出或不输出以及第一输出顺序，以及确定用于输出混合地址的第二输出顺序，所述混合地址是通过将基于所述第一输出顺序的所述第一地址与所述第二地址混合在一起而获得的；以及刷新操作逻辑，所述刷新操作逻辑：将由所述顺序控制器根据所述第二输出顺序输出的所述混合地址应用于目标刷新操作，其中，“K”是等于或大于2的自然数，并且“L”是等于或大于1的自然数。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括第三储存逻辑，所述第三储存逻辑：在所述参考信号的所述使能时段期间接收与激活命令一起输入的激活地址，输出所接收的激活地址作为所述输入地址之中的输入地址，以及在所述参考信号的所述使能时段期间储存从最近时间开始顺序地输出的“L”个输入地址。3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第一储存逻辑包括：“K”个地址锁存器；“K”个计数器，所述“K”个计数器分别对应于所述“K”个地址锁存器；以及储存控制器，所述储存控制器：将所述输入地址的值与储存在相应的“K”个地址锁存器中的地址的值进行比较，并且响应于比较结果，选择性地将所述输入地址储存在所述相应的“K”个地址锁存器中或选择性地增大由所述“K”个计数器生成的“K”个计数值中的每个计数值。4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述顺序控制器包括：第一顺序确定逻辑，所述第一顺序确定逻辑：根据所述“K”个计数值中的每个计数值是否达到参考值以及所述“K”个计数值中的每个计数值达到所述参考值的顺序来确定所述第一地址中的每个第一地址的所述输出或不输出以及所述第一输出顺序；以及第二顺序确定逻辑，所述第二顺序确定逻辑：基于为控制所述目标刷新操作而输入的目标刷新命令的输入次数，通过将所述第一地址以“A”个进行划分并且将“B”个第二地址放在划分出的“A”个第一地址之间来确定所述第二输出顺序，其中“A”和“B”是等于或大于1的自然数。5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，直到所述目标刷新操作被执行并且下一个目标刷新命令被输入为止，当在所述“K”个计数值之中出现已达到所述参考值的一个或更多个第一计数值时，第一顺序确定逻辑：选择与所述一个或更多个第一计数值相对应的一个或更多个第一地址，
并且将选中的第一地址以所述计数值已达到所述参考值的顺序来放入所述第一输出顺序中，以及当所述“K”个计数值均还未达到所述参考值时，所述第一顺序确定逻辑：随机选择所述第一地址中的至少一个，并且将随机选中的第一地址放入所述第一输出顺序中。6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中：在所述目标刷新命令被输入预定次数的情况下，当所述“K”个计数值之中存在从未达到所述参考值的一个或更多个第二计数值时，所述第一顺序确定逻辑：从所述第一储存逻辑删除与所述一个或更多个第二计数值相对应的一个或更多个第一地址。7.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第二顺序确定逻辑：响应于奇数目标刷新命令的输入，将基于所述第一输出顺序的所述第一地址逐个放入所述第二输出顺序中，以及响应于偶数目标刷新命令的输入，将所述第二地址逐个放入所述第二输出顺序中。8.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述储存控制器包括：地址比较器，所述地址比较器：顺序地将所述输入地址的值与储存在所述相应的“K”个地址锁存器中的所述地址的值进行比较，并且生成与比较结果相对应的“K”个比较信号；计数器控制器，所述计数器控制器：响应于所述“K”个比较信号中的每个比较信号来控制所述“K”个计数器中的每个计数器的计数操作，并且调整由相应的“K”个计数器生成的所述“K”个计数值和“K”项计数操作信息的值；以及锁存器控制器，所述锁存器控制器：响应于所述“K”项计数操作信息中的每项计数操作信息来控制所述“K”个地址锁存器中的每个地址锁存器的储存操作，以选择性地将所述输入地址储存在所述“K”个地址锁存器中的每个地址锁存器中。9.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第一顺序确定逻辑包括：输出控制器，所述输出控制器：当在所述参考信号的所述使能时段期间所述输入地址被施加时，检查所述“K”个计数值中的每个计数值是否达到所述参考值，并且根据检查结果而响应于所述目标刷新命令来控制相应的“K”个地址锁存器的输出操作；以及复位控制器，所述复位控制器：检...

【专利技术属性】
技术研发人员：金雄来，金贵东，郑喆文，黄正太，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：