存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统。所述存储器装置可在执行所述刷新操作的同时执行针对所述已激活行的操作。在一些实施例中，所述存储器装置在对所述存储器存储体执行刷新操作的同时接收针对存储器存储体的区段的激活ACT命令。如果满足某些条件而不损坏正在刷新的所述数据，那么所述存储器装置可进行所述ACT命令。随后，所述存储器装置产生指示已接受所述ACT命令以激活由所述ACT命令识别的行的信号。此外，所述存储器装置可与所述刷新操作并行地执行针对所述行的后续存取命令。执行针对所述行的后续存取命令。执行针对所述行的后续存取命令。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统


[0001]本公开大体上涉及存储器装置，且更确切地说涉及存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统。

技术介绍

[0002]存储器装置广泛用于将与各种电子装置，例如计算机、无线通信装置、摄像机、数字显示器等相关的信息。频繁地提供存储器装置作为计算机或其他电子装置中的内部、半导体集成电路和/或外部可移动装置。存在许多不同类型的存储器，包括易失性和非易失性存储器。包括随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器需要所施加功率的源来维护其数据。相反，非易失性存储器即使在无外部供电时也可保持其所存储数据。非易失性存储器可用于各种技术中，包括快闪存储器(例如，NAND和NOR)、相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等。改进存储器装置通常可包括增加存储器单元密度、提高读取/写入速度或另外减小操作时延、增大可靠性、增加数据保持、减少功率消耗或降低制造成本，和其它度量。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本公开涉及一种设备，其包含：存储器单元的存储体，其中存储体包括各自具有一组字线的多个区段；以及电路系统，其配置成：在对存储体进行刷新操作的同时接收针对多个区段的第一区段的激活(ACT)命令；响应于接收ACT命令，确定是否激活第一区段的一组字线的第一字线；以及产生指示是否已激活第一字线的信号。
[0004]在另一方面中，本公开涉及一种方法，其包含：在对存储体执行刷新操作的同时，在具有存储器单元的存储体的存储器装置处接收针对多个区段的第一区段的激活(ACT)命令，所述存储体包括各自具有一组字线的多个区段；响应于接收ACT命令，确定是否激活第一区段的一组字线的第一字线；以及产生指示是否已激活第一字线的信号。
[0005]在其它方面中，本公开涉及一种系统，其包含：主机装置；以及存储器装置，其与主机装置耦合，存储器装置包括：存储器单元的存储体，存储体具有各自具有一组字线的多个区段；以及电路系统，其配置成：在对存储体进行刷新操作的同时接收针对多个区段的第一区段的激活(ACT)命令；响应于接收ACT命令，确定是否激活第一区段的一组字线的第一字线；以及产生指示是否已激活第一字线的信号。
附图说明
[0006]根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。图式中的组件未必按比例绘制。实际上，重点是清楚地说明本专利技术技术的原理。
[0007]图1为示意性地说明根据本专利技术技术的实施例的存储器装置的框图。
[0008]图2A为示意性地说明根据本专利技术技术的实施例的存储器装置的存储器单元的存储体的框图，且图2B为示意性地说明根据本专利技术技术的实施例的存储器单元的存储体的区段的框图。
[0009]图3为根据本专利技术技术的实施例配置的具有存储器装置的系统的框图。
[0010]图4为说明根据本专利技术技术的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。
具体实施方式
[0011]公开用于存储器装置(例如，DRAM)的方法、系统和设备，所述存储器装置在刷新操作期间提供条件行激活和存取。某些半导体存储器装置，例如DRAM将数据存储为积聚在单元电容器(“单元”)中的电荷。归因于电容器与周围组件之间的电压差，积聚在单元电容器中的电荷可能会逸出(其可称为“泄漏”)到连接到单元电容器的周围组件(例如，金属线、晶体管的半导体结)。刷新操作可在单元电荷降低到电荷电平不再对应于原始位值的点(这可引起位错误)之前更新单元电荷。因而，可能需要主机装置(例如，存储器控制器)定期发出刷新命令以维持存储在存储器装置中的数据的完整性。
[0012]刷新命令可与在此期间执行刷新命令的持续时间(例如，tRFC)相关联。在一些实施例中，基于存储器装置的存储容量和/或待响应于刷新命令刷新的存储器单元的数量来确定与刷新命令相关联的持续时间——例如，与用于刷新存储器阵列的所有存储体的存储器单元的REFab命令相关联的tRFC1、与用于刷新存储器阵列的单个存储体的存储器单元的REFsb命令相关联等。在发出刷新命令(例如，REFab命令、REFsb命令)之后，可在持续时间(例如，用于REFab命令的tRFC1、用于REFsb命令的tRFCsb)内阻断整个存储器装置(例如，用于REFab命令)或存储器装置的单个存储体(例如，用于REFsb命令)以避免可造成数据损坏的后续操作。在一些情况下，存储器装置与主机装置之间的命令和/或数据总线可在整个tRFC周期期间保持闲置。因此，存储器装置的总带宽可由于与刷新命令相关联的持续时间(例如，tRFC)而减小，在此期间不利用命令和/或数据总线。
[0013]本专利技术技术的若干实施例涉及通过允许主机装置在发出刷新命令之后
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例如，当对存储器装置的单个存储体或整个存储体进行刷新命令时在tRFC周期期间发出激活(ACT)命令来改良存储器装置的总命令和/或数据带宽。举例来说，存储器装置的规范(例如，数据表)可描述：在向存储器装置发出刷新命令之后，主机装置可在与刷新命令相关联的tRFC周期期间向存储器装置发出ACT命令。此外，在发出ACT命令之后的预定时间段期间，所述规范可通知主机装置监测存储器装置的预定引脚处的指示符信号。
[0014]指示符信号向主机装置指示是否已接受ACT命令。如果指示符信号指示已接受ACT命令(例如，已激活ACT命令所针对的存储体的行)，那么主机装置可发出针对所述行的命令以在对存储体进行刷新操作的同时进行与所述行相关联的存储器操作。以这种方式，命令和/或数据总线可在tRFC周期的至少一部分期间得以利用，使得可提高存储器装置的总带宽。
[0015]在这方面，存储器装置可配置成基于某些条件——因此，条件行激活来确定是否执行ACT命令。在一些实施例中，存储器装置基于刷新操作正在存储体的哪一行处(例如，哪一地址处)进行和引入的ACT命令所针对的行如何关于正在刷新的行对准来作出这类确定。如本文中更详细描述，作出确定以防止损坏正在刷新的数据。如果存储器装置确定执行引
入的ACT命令，那么存储器装置还产生指示已激活行的指示符信号。存储器装置经由存储器装置的预定引脚在数据表中所指定的预定时间段内将指示符信号传输到主机装置。类似地，如果存储器装置确定不执行引入的ACT命令(例如，为了避免刷新操作期间的数据损坏)，那么存储器装置产生指示行尚不激活的指示符信号，使得存储器装置可将指示符信号传输到主机装置。
[0016]参考图1描述支持本专利技术技术的实施例的存储器装置。参考图2A和2B提供支持本专利技术技术的实施例的存储器单元的存储体的更详细描述。参考图3描述包括根据本专利技术技术的实施例的存储器装置的存储器系统。参考图4描述根据本专利技术技术的实施例的操作存储器装置的方法。
[0017]图1为示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包含：存储器单元的存储体，其中所述存储体包括各自具有一组字线的多个区段；以及电路系统，其配置成：在对所述存储体进行刷新操作的同时接收针对所述多个区段的第一区段的激活ACT命令；响应于接收所述ACT命令，确定是否激活所述第一区段的所述一组字线的第一字线；以及产生指示是否已激活所述第一字线的信号。2.根据权利要求1所述的设备，其中正在进行的所述刷新操作是基于在接收所述ACT命令之前所接收的刷新命令。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成：确定对所述多个区段的第二区段进行所述刷新操作，所述第二区段与所述第一区段不同。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成：响应于确定对所述第二区段进行所述刷新操作，激活所述第一区段的所述第一字线；以及产生指示已激活所述第一区段的所述第一字线的信号。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一区段在所述刷新操作期间未耦合到与所述第二区段相关联的位线。6.根据权利要求3所述的设备，其中所述存储体包括所述多个区段的第三区段，所述第三区段与所述第一区段和所述第二区段不同，且在所述刷新操作期间耦合到与所述第二区段相关联的位线。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成：如果所述电路系统确定激活所述第一区段的所述第一字线，那么响应于针对所述第一字线的存取命令而执行操作。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括警告引脚、数据引脚或引脚中的至少一个，且所述电路系统进一步配置成：对所述警告引脚、所述数据引脚或所述引脚中的至少一个进行配置以将所述信号传输到与所述设备耦合的主机装置。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成：响应于接收所述ACT命令，在预定时间段内将所述信号传输到与所述设备耦合的主机装置。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储体的所述存储器单元包括动态随机存取存储器DRAM单元。11.一种方法，其包含：在对存储器单元的存储体执行刷新操作的同时，在具有所述存储体的存储器装置处接收针对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：