存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统。所述存储器装置可在执行所述刷新操作的同时执行针对所述已激活行的操作。在一些实施例中，所述存储器装置在对所述存储器存储体执行刷新操作的同时接收针对存储器存储体的区段的激活ACT命令。如果满足某些条件而不损坏正在刷新的所述数据，那么所述存储器装置可进行所述ACT命令。随后，所述存储器装置产生指示已接受所述ACT命令以激活由所述ACT命令识别的行的信号。此外，所述存储器装置可与所述刷新操作并行地执行针对所述行的后续存取命令。执行针对所述行的后续存取命令。执行针对所述行的后续存取命令。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统


[0001]本公开大体上涉及存储器装置，且更确切地说涉及存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统。

技术介绍

[0002]存储器装置广泛用于将与各种电子装置，例如计算机、无线通信装置、摄像机、数字显示器等相关的信息。频繁地提供存储器装置作为计算机或其他电子装置中的内部、半导体集成电路和/或外部可移动装置。存在许多不同类型的存储器，包括易失性和非易失性存储器。包括随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器需要所施加功率的源来维护其数据。相反，非易失性存储器即使在无外部供电时也可保持其所存储数据。非易失性存储器可用于各种技术中，包括快闪存储器(例如，NAND和NOR)、相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等。改进存储器装置通常可包括增加存储器单元密度、提高读取/写入速度或另外减小操作时延、增本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包含：存储器单元的存储体，其中所述存储体包括各自具有一组字线的多个区段；以及电路系统，其配置成：在对所述存储体进行刷新操作的同时接收针对所述多个区段的第一区段的激活ACT命令；响应于接收所述ACT命令，确定是否激活所述第一区段的所述一组字线的第一字线；以及产生指示是否已激活所述第一字线的信号。2.根据权利要求1所述的设备，其中正在进行的所述刷新操作是基于在接收所述ACT命令之前所接收的刷新命令。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成：确定对所述多个区段的第二区段进行所述刷新操作，所述第二区段与所述第一区段不同。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成：响应于确定对所述第二区段进行所述刷新操作，激活所述第一区段的所述第一字线；以及产生指示已激活所述第一区段的所述第一字线的信号。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一区段在所述刷新操作期间未耦合到与所述第二区段相关联的位线。6.根据权利要求3所述的设备，其中所述存储体包括所述多个区段的第三区段，所述第三区段与所述第一区段和所述第二区段不同，且在所述刷新操作期间耦合到与所述第二区段相关联的位线。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成：如果所述电路系统确定激活所述第一区段的所述第一字线，那么响应于针对所述第一字线的存取命令而执行操作。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括警告引脚、数据引脚或引脚中的至少一个，且所述电路系统进一步配置成：对所述警告引脚、所述数据引脚或所述引脚中的至少一个进行配置以将所述信号传输到与所述设备耦合的主机装置。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成：响应于接收所述ACT命令，在预定时间段内将所述信号传输到与所述设备耦合的主机装置。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储体的所述存储器单元包括动态随机存取存储器DRAM单元。11.一种方法，其包含：在对存储器单元的存储体执行刷新操作的同时，在具有所述存储体的存储器装置处接收针对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：