【技术实现步骤摘要】
具有可编程刷新次序及交错时间的存储器
[0001]本公开涉及存储器系统、装置及相关联方法。特定来说，本公开涉及具有可编程刷新次序及可编程刷新交错时间的存储器装置。
技术介绍
[0002]存储器装置广泛用于存储与例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置有关的信息。存储器装置常常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可拆卸式装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器，包含静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)，以及其它存储器，可能需要外加功率来源以维护其数据。相比之下，非易失性存储器甚至在没有外部供电时也可以保留其所存储数据。非易失性存储器可用于广泛各种技术，包含快闪存储器(例如，“与非”及“或非”)相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)，及其它存储器。通常，除其它度量外，改进存储器装置还可包含增加存储器单元密度、增加...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：接收刷新命令；响应于所述刷新命令：在第一时间对存储器装置的第一存储体组执行第一刷新操作，及在所述第一时间之后的第二时间对所述存储器装置的第二存储体组执行第二刷新操作；在接收到所述刷新命令之后接收读取命令或写入命令；及响应于所述读取命令或所述写入命令，在对所述第一存储体组开始所述第一刷新操作之后且在对所述第二存储体组完成所述第二刷新操作之前，对所述第一存储体组执行读取或写入操作。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，响应于所述刷新命令，将所述第二时间从所述第一时间偏移交错时间，所述交错时间经编程到所述存储器装置的一或多个模式寄存器中。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，响应于所述刷新命令，根据编程到所述存储器装置的一或多个模式寄存器中及/或通过所述单个刷新命令的一或多个命令地址位所规定的次序执行所述第一刷新操作及所述第二刷新操作。4.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一刷新操作及所述第二刷新操作各自包含行锤击刷新RHR操作；及所述方法进一步包括使用所述存储器装置的一或多个阵列定时器在不同时间启动所述第一刷新操作的所述RHR操作及启动所述第二刷新操作的所述RHR操作。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取或写入操作是第一读取或写入操作，且其中所述方法进一步包括在所述第一刷新操作期间对所述第二存储体组执行第二读取或写入操作。6.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述读取或写入操作包含在所述第二刷新操作期间对所述第一存储体组执行所述读取或写入操作。7.一种设备，其包括：存储器阵列，其包含第一存储体组及第二存储体组；及逻辑，其耦合到命令/地址总线及所述存储器阵列，其中所述逻辑经配置以：响应于经由所述命令/地址总线接收到的刷新命令，在第一时间对所述第一存储体组执行第一刷新操作，并在所述第一时间之后的第二时间对所述第二存储体组执行第二刷新操作，及响应于经由所述命令/地址总线接收的读取或写入命令，在开始所述第一刷新之后且在完成所述第二刷新操作之前对所述第一存储体组、所述第二存储体组或所述第一存储体组及所述第二存储体组两者执行读取或写入操作。8.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括一或多个模式寄存器，其中：所述一或多个模式寄存器的一或多个位可编程以定义所述第一时间与所述第二时间之间的交错时间；及响应于所述刷新命令，所述逻辑进一步经配置以：读取所述一或多个模式寄存器的所述一或多个位以确定所述交错时间，及
将所述第二时间从所述第一时间偏移所述交错时间。9.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括一或多个模式寄存器，其中：所述一或多个模式寄存器的一或多个位是可编程的，以定义响应于所述刷新命令而刷新所述第一存储体组及所述第二存储体组的次序；及响应于所述刷新命令，所述逻辑进一步经配置以：读取所述一或多个模式寄存器的所述一或多个位以确定所述次序，及根据所述次序执行所述第一刷新操作及所述第二刷新操作。10.根据权利要求7所述的设备，其中：所述刷新命令包含多个命令地址位；所述多个命令地址位中的一或多个命令地址位规定响应于所述刷新命...
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