半导体存储器装置和包括其的存储器系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体存储器装置和包括其的存储器系统。该存储器系统包括：存储器装置，其包括至少一个存储体；以及存储器控制器，其适用于：根据激活地址将存储体划分为多个子区域，基于通过对每个子区域的激活命令的输入数量进行计数而生成的多个计数值来生成用于存储体的老化信号，以及提供激活命令、激活地址、老化信号和目标刷新命令，其中，所述存储器装置适用于：通过根据激活命令对激活地址进行采样来生成采样地址，以及根据目标刷新命令对与采样地址相对应的字线执行目标刷新操作，并且根据老化信号来调整存储体的刷新周期。期。期。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置和包括其的存储器系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月10日提交的申请号为63/123685的美国临时申请和于2021年1月29日提交的申请号为10
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2021
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0013436的韩国专利申请的权益，它们的全部内容都通过引用合并于本文中。


[0003]本专利技术的各种实施例涉及一种半导体设计技术，更具体而言，涉及一种包括执行目标刷新操作的半导体存储器装置的存储器系统。

技术介绍

[0004]半导体存储器装置的存储器单元包括用作开关的晶体管和存储电荷(或数据)的电容器。根据存储器单元的电容中是否有电荷，即电容器的端电压是高还是低，确定数据为处于逻辑高电平(逻辑电平1)和处于逻辑低电平(逻辑电平0)。
[0005]以电荷累积在电容器中的形式来存储数据，并且理论上没有功耗。然而，由于诸如晶体管的PN耦接的原因，可能会有泄漏电流，所以存储在电容器中的初始电荷量可能会消失，从而导致数据丢失。为了防止这种情况发生，在数据丢失之前读取存储器单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器系统，其包括：存储器装置，其包括至少一个存储体；以及存储器控制器，其适用于：根据激活地址将所述存储体划分为多个子区域，基于通过对每个所述子区域的激活命令的输入数量进行计数而生成的多个计数值，来生成用于所述存储体的老化信号，以及提供所述激活命令、所述激活地址、所述老化信号和目标刷新命令，其中，所述存储器装置适用于：通过根据所述激活命令对所述激活地址进行采样来生成采样地址，以及根据所述目标刷新命令对与所述采样地址相对应的字线执行目标刷新操作，并且根据所述老化信号来调整所述存储体的刷新周期。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述子区域被配置为具有不同的字线。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述存储器控制器包括：老化分析电路，其适用于：基于所述激活地址，通过对每个所述子区域的所述激活命令的输入数量进行计数来生成所述计数值，计算所述计数值的标准差，以及根据所述标准差来生成所述老化信号；以及刷新命令发出电路，其适用于：当所述激活命令的输入数量达到一定数量时，发出所述目标刷新命令。4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，所述老化分析电路包括：子计数电路，其适用于通过基于所述激活地址对每个所述子区域的所述激活命令的输入数量进行计数来生成所述计数值；以及老化判定电路，其适用于通过计算所述计数值的平均值并且基于所述平均值计算所述标准差来生成所述老化信号和计数复位信号，其中，所述计数复位信号对所述子计数电路进行初始化。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，所述子计数电路包括：子解码器，其适用于通过对所述激活地址中的部分比特进行解码来生成用于分别指定所述子区域的多个子区域信号；激活组合器，其适用于根据所述激活命令来输出所述子区域信号作为多个子区域激活信号；以及子计数器，其分别对应于所述子区域并且由所述计数复位信号初始化，并且每个所述子计数器适用于：当所述子区域激活信号的相应子区域激活信号被使能时，通过增加其计数值来生成所述计数值的相应计数值。6.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，所述老化判定电路包括：平均值计算器，其适用于计算所述计数值的平均值；偏差计算器，其适用于基于所述平均值来计算所述标准差；以及老化分析器，其适用于：当所述标准差大于参考值时，禁止所述老化信号并且使能所述计数复位信号，以及
当所述标准差小于或等于所述参考值时，使能所述老化信号并且禁止所述计数复位信号。7.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，所述刷新命令发出电路包括：命令计数器，其适用于通过对所述激活命令的输入数量进行计数来生成计数值；以及计数器分析器，其适用于当所述计数值达到所述一定数量时发出所述目标刷新命令。8.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述存储器装置包括：多个存储体，其包括所述至少一个存储体；刷新控制电路，其适用于：在随机时间点通过根据所述激活命令和存储体地址对所述激活地址进行采样来存储所述存储体的采样地址，根据所述目标刷新命令和所述存储体地址来生成多个存储体刷新信号，并且根据所述老化信号来控制所述存储体刷新信号的激活，以及通过根据所述存储体刷新信号从所述采样地址中选择任何采样地址来提供目标地址；以及行控制电路，其适用于根据所述存储体刷新信号来刷新与所述目标地址相对应的一个或更多个字线。9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中，所述刷新控制电路包括：老化解码器，其适用于通过根据所述老化信号对所述存储体地址进行解码来生成多个老化存储体信号；刷新解码器，其适用于通过根据所述目标刷新命令对所述存储体地址进行解码来生成多个目标刷新存储体信号；周期调整电路，其适用于根据所述老化存储体信号来生成用于调整每个所述存储体的刷新周期的多个周期控制信号；输出控制电路，其适用于根据所述目标刷新存储体信号和所述周期控制信号来生成所述存储体刷新信号；输入控制电路，其适用于在随机时间点根据所述激活命令和所述存储体地址来生成多个输入控制信号；以及地址存储电路，其适用于：根据所述输入控制信号来存储所述激活地址作为所述存储体的采样地址，并且根据所述存储体刷新信号来输出所述采样地址中的任何采样地址作为所述目标地址。10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，所述周期调整电路适用于：增加与所述老化存储体信号中的被使能的老化存储体信号相对应的周期控制信号的激活区间，并且减少或维持与所述老化存储体信号中的被禁止的老化存储体信号相对应的周期控制信号的激活区间。11.一种存储器系统，其包括：存储器装置，其包括至少一个存储体；以及存储器控制器，其适用于：根据激活地址将所述存储体划分为多个子区域，基于通过对每个所述子区域的激活命令的输入数量进行计数而生成的多个计数值来
生成用于所述存储体的老化信号，根据所述老化信号来生成行锤击地址，以及将所述老化信号和目标刷新命令与所述行锤击地址一起提供，其中，所述存储器装置适用于：根据所述目标刷新命令对与所述行锤击地址相对应的字线执行目标刷新操作，并且根据所述老化信号来调整所述存储体的刷新周期。12.根据权利要求11所述的存储器系统，其中，所述子区域被配置为具有不同的字线。13.根据权利要求11所述的存储器系统，其中，所述存储器控制器包括：老化分析电路，其适用于：基于所述激活地址，通过对每个所述子区域的所述激活命令的输入数量进行计数来生成所述计数值，计算所述计数值的标准差，以及根据所述标...

【专利技术属性】
技术研发人员：金雄来，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：