本实用新型专利技术公开了一种半导体制程的扩片温度控制装置，涉及芯片封装领域，包括底座，所述底座顶部固定连接有降温柱，降温柱顶部设置有模具，模具上表面固定粘接有DAF带，卡盘下表面固定连接有若干个导热环，导热环底部左侧固定连接有L形导热柱，L形导热柱底端固定连接有加热器，底座上表面右侧固定连接有支撑柱，支撑柱顶部固定连接有支撑板，支撑板左侧顶部固定连接有冷风机，支撑板左侧底部固定连接有吹风管，冷风机左端固定连接有连通管，连通管底端固定连接在支撑板上表面，连通管与吹风管相连通。本实用新型专利技术通过设置加热器、导热环和冷风机，使得使扩片过程中可以轻易地扩片成功，提升分离比降低，增加产率。增加产率。增加产率。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体制程的扩片温度控制装置
[0001]本技术涉及芯片封装领域，具体是涉及一种半导体制程的扩片温度控制装置。
技术介绍
[0002]扩片是指将排列紧密的IC晶片均匀分开，使之更好地植入焊接工件上。扩片工艺是一些特殊半导体器件的封装工序中不可或缺的工艺步骤之一。DAF带在膨胀过程中需要对DAF带进行冷却，以提高分离率；但DAF胶带有两层，底层是胶带，顶层是薄膜层。在膨胀过程中，传统方法是让DAF薄膜和胶带同时冷却。由于胶带冷却，模具和胶带之间的附着力降低。这将导致分离比降低，产率降低。
[0003]为解决上述问题，有必要提供一种半导体制程的扩片温度控制装置。
技术实现思路
[0004]为解决上述技术问题，提供一种半导体制程的扩片温度控制装置，本技术方案解决了上述
技术介绍
中提出的DAF带在膨胀过程中需要对带进行冷却，以提高分离率；但DAF胶带有两层，底层是胶带，顶层是薄膜层。在膨胀过程中，传统方法是让DAF薄膜和胶带同时冷却，由于胶带冷却，模具和胶带之间的附着力降低，这将导致分离比降低，产率降低的问题。
[0005]为达到以上目的，本技术采用的技术方案为：
[0006]一种半导体制程的扩片温度控制装置，包括底座，所述底座顶部固定连接有降温柱，降温柱顶部设置有模具，模具上表面固定粘接有DAF带，卡盘下表面固定连接有若干个导热环，导热环底部左侧固定连接有L形导热柱，L形导热柱底端固定连接有加热器，底座上表面右侧固定连接有支撑柱，支撑柱顶部固定连接有支撑板，支撑板左侧顶部固定连接有冷风机，支撑板左侧底部固定连接有吹风管，冷风机左端固定连接有连通管，连通管底端固定连接在支撑板上表面，连通管与吹风管相连通，吹风管侧面固定连接有若干个导流管，导流管底端固定连接有若干个喷嘴。
[0007]优选的，所述吹风管上方左右两侧均固定连接有承重杆，承重杆远离吹风管的一端固定连接有挡风环，挡风环内部镂空，挡风环呈圆台形。
[0008]优选的，所述DAF带包括胶带层，胶带层下表面固定粘接在模具上表面，胶带层上表面固定粘接有薄膜层。
[0009]优选的，所述加热器底部固定连接在底座上表面左侧。
[0010]优选的，所述导热环的直径由内向外逐渐增大，相邻所述导热环的直径相差为定值。
[0011]优选的，所述降温柱正面下方固定连接有降温器。
[0012]优选的，所述吹风管内部为中空结构，吹风管与导流管相连通。
[0013]优选的，所述导流管呈L形向下弯折，多个所述导流管沿吹风管的圆周等间距排
列，喷嘴与水平面夹角为四十五度。
[0014]与现有技术相比，本技术提供了一种半导体制程的扩片温度控制装置，具备以下有益效果：
[0015]1、通过设置加热器、导热环、冷风机和喷嘴，从而可以对DAF带的薄膜层和胶带层进行分别处理，对薄膜层进行冷却，对胶带层维持室温，从而胶带层可以保持粘性，粘附在模具表面，保持自身形态，从而薄膜层在冷却扩片过程中，能迅速与胶带层分离，使得使扩片过程中可以轻易地扩片成功，提升分离比降低，增加产率；
[0016]2、通过设置降温器、降温柱和挡风环，降温器和降温柱从底部中心对薄膜层进行扩散降温，使得薄膜层能双面降温，降温更为均匀，挡风环使得喷嘴喷出的冷气在冷却完毕后，能沿挡风环内腔向上扩散，不会落在胶带层的周围，影响胶带层维持室温。
附图说明
[0017]图1为本技术的正面结构示意图；
[0018]图2为本技术的俯视结构示意图；
[0019]图3为本技术的仰视结构示意图；
[0020]图4为本技术的DAF带结构示意图。
[0021]图中标号为：
[0022]101、L形导热柱；102、加热器；103、底座；104、降温器；105、降温柱；106、卡盘；107、模具；108、DAF带；109、导热环；110、薄膜层；111、胶带层；
[0023]201、挡风环；202、吹风管；203、冷风机；204、支撑板；205、支撑柱；206、承重杆；207、喷嘴；208、导流管；209、连通管。
具体实施方式
[0024]以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
[0025]参照图1
‑
4所示，一种半导体制程的扩片温度控制装置，包括底座103，所述底座103顶部固定连接有降温柱105，降温柱105顶部设置有模具107，模具107上表面固定粘接有DAF带108，卡盘106下表面固定连接有若干个导热环109，导热环109底部左侧固定连接有L形导热柱101，L形导热柱101底端固定连接有加热器102，底座103上表面右侧固定连接有支撑柱205，支撑柱205顶部固定连接有支撑板204，支撑板204左侧顶部固定连接有冷风机203，支撑板204左侧底部固定连接有吹风管202，冷风机203左端固定连接有连通管209，连通管209底端固定连接在支撑板204上表面，连通管209与吹风管202相连通，吹风管202侧面固定连接有若干个导流管208，导流管208底端固定连接有若干个喷嘴207；
[0026]参照图1和图2，使用时，冷风机203生成冷气，并通过连通管209，将冷气吹送至吹风管202，吹风管202内部中空，冷气一部分会直接从吹风管202底部吹出，吹送至DAF带108上表面，另一部分冷气会通过导流管208，从喷嘴207喷出，从而综合对DAF带108上表面进行均匀降温，降温会控制在
‑
10℃左右，但这仅是单面降温，DAF带108上表面会受到来自加热器102的加热，因此，要对加热器102的加热有所抵消，因此，设置降温柱105和降温器104，降温柱105从中心处逐渐扩散对DAF带108上表面降温，主要是对加热器102的加热进行平衡，
使得对DAF带108中的薄膜层110降温效果更好，但不会影响加热器102对胶带层111的加热；
[0027]参照图1、图3和图4，加热器102通过L形导热柱101对导热环109进行加热，导热环109均匀排布在卡盘106底部，因此，对DAF带108下表面加热较为均匀，从而能较为有效的维持胶带层111的温度在25～40℃；
[0028]从而，胶带层111能保持粘性，粘在模具107上表面，而薄膜层110会冷却扩片，进而薄膜层110与胶带层111能十分容易的分离，从而完成扩片；
[0029]参照图1，挡风环201是为了冷气在冷却完毕后，不直接从DAF带108周围下落，而是从挡风环201上沿向外飘散，进而减少对DAF带108中胶带层111的降温。
[0030]具体的，吹风管202上方左右两侧均固定连接有承重杆206，承重杆206远离吹风管202的一端固定连接有挡风环201，挡风环201内部镂空，挡风环201呈圆台形。
[0031]DAF带108包本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体制程的扩片温度控制装置，其特征在于，包括底座(103)，所述底座(103)顶部固定连接有降温柱(105)，降温柱(105)顶部设置有模具(107)，模具(107)上表面固定粘接有DAF带(108)，卡盘(106)下表面固定连接有若干个导热环(109)，导热环(109)底部左侧固定连接有L形导热柱(101)，L形导热柱(101)底端固定连接有加热器(102)，底座(103)上表面右侧固定连接有支撑柱(205)，支撑柱(205)顶部固定连接有支撑板(204)，支撑板(204)左侧顶部固定连接有冷风机(203)，支撑板(204)左侧底部固定连接有吹风管(202)，冷风机(203)左端固定连接有连通管(209)，连通管(209)底端固定连接在支撑板(204)上表面，连通管(209)与吹风管(202)相连通，吹风管(202)侧面固定连接有若干个导流管(208)，导流管(208)底端固定连接有若干个喷嘴(207)。2.根据权利要求1所述的一种半导体制程的扩片温度控制装置，其特征在于：所述吹风管(202)上方左右两侧均固定连接有承重杆(206)，承重杆(206)远离吹风管(202)的一端固定连接有挡风环(201)，挡风环(...
【专利技术属性】
技术研发人员：王路瑶，张磊，刘嘉涵，罗志胜，
申请(专利权)人：康佳芯云半导体科技盐城有限公司，
类型：新型
国别省市：
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