本发明专利技术提供了一种单片式晶圆清洗装置，包括：具有敞口的腔体外壳，腔体外壳内设腔体内罩，同轴套设于腔体内罩的喷液组件，腔体外壳径向向内延伸形成位于腔体内罩下方的导流组件；导流组件与腔体内罩的下边缘之间形成第一间隙，喷液组件外部形成位于腔体内罩和腔体外壳之间并与第一间隙相连通的环形区域，以供环形区域内气体与液体经第一间隙横向排出。通过申请实现在对晶圆进行升降时，能够对腔体外壳内的雾气进行持续性的清洁，同时也能对晶圆清洗中溅射的药液进行清洁，有效地提高了对雾气和废液的清洁效果，并且能够防止晶圆背面受到药液污染。药液污染。药液污染。
【技术实现步骤摘要】
一种单片式晶圆清洗装置
[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种单片式晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]在晶圆的生产制程中需要用到晶圆清洗装置，通过采用化学清洗的方法清除吸附在晶圆表面的污染物，实际上，在对晶圆清洗的过程中，还需要对化学清洗产生的废液及雾气进行处理。在现有技术中，对晶圆进行升降时，不便于对腔体外壳内的雾气进行持续性的清洁，也不便于对晶圆清洗中溅射的药液进行清洁，降低了对雾气和废液的清洁效果，并且晶圆背面容易受到药液污染。
[0003]有鉴于此，有必要对现有技术中的晶圆等半导体器件进行清洗的装置予以改进，以解决上述问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于揭示一种单片式晶圆清洗装置，用于解决现有技术中的晶圆清洗装置所存在的诸多缺陷，尤其是为了实现在对晶圆进行升降时，能够对腔体外壳内的雾气进行持续性的清洁，同时也能对晶圆清洗中溅射的药液进行清洁，有效地提高了对雾气和废液的清洁效果，并且能够防止晶圆背面受到药液污染。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种单片式晶圆清洗装置，包括：具有敞口的腔体外壳，所述腔体外壳内设腔体内罩，同轴套设于所述腔体内罩的喷液组件，所述腔体外壳径向向内延伸形成位于所述腔体内罩下方的导流组件；所述导流组件与所述腔体内罩的下边缘之间形成第一间隙，所述喷液组件外部形成位于所述腔体内罩和所述腔体外壳之间并与所述第一间隙相连通的环形区域，以供所述环形区域内气体与液体经所述第一间隙横向排出。
[0006]作为本专利技术的进一步改进，所述腔体外壳沿环形均匀排布若干连接所述腔体内罩和所述喷液组件的支撑件，所述支撑件位于所述环形区域内并将环形区域分隔成若干与所述第一间隙相连通的弧形导流区域。
[0007]作为本专利技术的进一步改进，所述导流组件包括：腔体外壳沿径向方向依次向内倾斜延伸形成的导板和竖直延伸形成的内环板，所述导板设置径向向内呈倾斜设置的坡面，以引导从所述第一间隙流出的气体与液体向腔体外壳底部汇聚。
[0008]作为本专利技术的进一步改进，所述支撑件包括：连接导板并与导板坡度相匹配的支撑板，设置所述支撑板顶部的支撑块，所述支撑板与所述腔体内罩的下边缘相抵持。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述喷液组件包括：嵌设所述支撑块内部的喷液管，所述喷液管呈环状，所述喷液管开设若干喷液孔。
[0010]作为本专利技术的进一步改进，所述腔体外壳底部设置斜板，并形成容纳晶圆进行清洗的第一腔体，所述斜板设置供液体排出的管道，沿所述斜板轴线方向向上延伸形成衔接管，所述斜板外边缘周向延伸形成套设于所述内环板外侧的外环板，所述外环板竖直至少
延伸过所述内环板的底缘；所述外环板外侧与腔体外壳之间形成供气体汇集的外腔区域，所述外环板与所述内环板之间形成供气体流通的第二间隙，所述外环板上边缘与所述导板相抵持，所述外环板开设若干供所述第二间隙连通所述外腔区域的通孔，所述腔体外壳设置连通所述外腔区域内气源的排气管。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，还包括：框架，所述框架顶部装配被所述腔体外壳内嵌的外罩安装框，所述外罩安装框上表面设置套设于所述腔体外壳的衔接块，沿所述外罩安装框长度方向依次设置所述腔体外壳外侧的喷液摆臂与喷气摆臂，所述框架设置升降旋转机构，连接所述升降旋转机构的安装架。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述升降旋转机构包括：升降组件，靠近所述升降组件的安装套，所述升降组件设置与所述安装架装配的连接板，与所述安装套连接的连接件，所述安装套底部连接旋转电机，内嵌于所述安装套的中空轴，同轴套设于所述旋转电机并连接所述中空轴的联轴器，所述中空轴设置供气体流通的气流通道，所述中空轴顶端形成位于第一腔体中的载台组件；所述联轴器包括：套设于所述旋转电机转轴的第一固定环，设置所述中空轴底端的第二固定环，连接所述第一固定环与所述第二固定环并抵持于所述第一固定环与所述第二固定环之间的弹簧。
[0013]作为本专利技术的进一步改进，所述载台组件包括：嵌套于所述衔接管的工作台，所述工作台顶部内嵌承载台，所述工作台上边缘与所述承载台上表面属于同一水平面，所述工作台外边缘环设限位组件；所述限位组件包括：与所述工作台活动连接的活动杆，设置在所述活动杆顶端的夹持柱，所述工作台上表面设置靠近所述夹持柱的承载块，相反于所述承载块的一侧设置销柱，所述销柱顶端呈锥形，以引导晶圆与承载台对中。
[0014]作为本专利技术的进一步改进，所述承载台包括：连通气流通道的通气区域，设置若干与所述通气区域连通的导流通道，开设与所述通气区域和导流通道相连通的导气孔，所述通气区域环设若干分散气体的导流条，以引导气体注入导气孔。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：首先，在升降旋转机构对晶圆进行升降时，通过环形区域能够引导从上方向下吹送的纯净气体进入第一腔体内，从而使纯净气体与雾气混合的气体能够通过导流组件排出，进而达到对腔体外壳内第一腔体中的雾气进行持续性的清洁效果，同时喷液组件喷出的纯水能够从导流区域和第一间隙中流出，以便于对溅射在导流组件的药液起到冲洗清洁作用，同时也能够对第一腔体内的雾气进行溶解吸收，有效地提高了对雾气和废液的清洁效果。
附图说明
[0016]图1为本专利技术晶圆清洗装置的立体图；图2为框架与腔体外壳的立体图；图3为升降组件与安装套的立体图；图4为腔体外壳与外环板的立体图；
图5为工作台与承载台的立体图；图6为通气区域与导流通道的立体图；图7为中空轴与气流通道的立体图；图8为腔体外壳与外环板的剖视图；图9为腔体外壳与外罩安装框的剖视图；图10为图9中标号A处的放大图；图11为工作台与承载台的剖视图；图12为活动杆与夹持柱的剖视图；图13为图7中标号C处的放大图。
具体实施方式
[0017]下面结合附图所示的各实施方式对本专利技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本专利技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本专利技术的保护范围之内。
[0018]需要理解的是，在本申请中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术方案和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术方案的限制。
[0019]尤其需要说明的是，在本专利技术的实施例中，术语“竖直”是指与地平线或水平面的垂直方向。术语“长度方向”是指与地平线或水平面的平行方向。术语“横向”是指与地平线或水平面的平行方向。术语“围设”是指在壳体内部形成包围设置。
[0020]请参图1至图13所揭示的本专利技术一种单片式晶圆清洗装置（以下或简称“清洗装置”）的一种具体实施方式。
[0021]参图1、图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单片式晶圆清洗装置，包括：其特征在于，具有敞口的腔体外壳，所述腔体外壳内设腔体内罩，同轴套设于所述腔体内罩的喷液组件，所述腔体外壳径向向内延伸形成位于所述腔体内罩下方的导流组件；所述导流组件与所述腔体内罩的下边缘之间形成第一间隙，所述喷液组件外部形成位于所述腔体内罩和所述腔体外壳之间并与所述第一间隙相连通的环形区域，以供所述环形区域内气体与液体经所述第一间隙横向排出。2.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于，所述腔体外壳沿环形均匀排布若干连接所述腔体内罩和所述喷液组件的支撑件，所述支撑件位于所述环形区域内并将环形区域分隔成若干与所述第一间隙相连通的弧形导流区域。3.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于，所述导流组件包括：腔体外壳沿径向方向依次向内倾斜延伸形成的导板和竖直延伸形成的内环板，所述导板设置径向向内呈倾斜设置的坡面，以引导从所述第一间隙流出的气体与液体向腔体外壳底部汇聚。4.根据权利要求2所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于，所述支撑件包括：连接导板并与导板坡度相匹配的支撑板，设置所述支撑板顶部的支撑块，所述支撑板与所述腔体内罩的下边缘相抵持。5.根据权利要求2所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷液组件包括：嵌设所述支撑块内部的喷液管，所述喷液管呈环状，所述喷液管开设若干喷液孔。6.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于，所述腔体外壳底部设置斜板，并形成容纳晶圆进行清洗的第一腔体，所述斜板设置供液体排出的管道，沿所述斜板轴线方向向上延伸形成衔接管，所述斜板外边缘周向延伸形成套设于所述内环板外侧的外环板，所述外环板竖直至少延伸过所述内环板的底缘；所述外环板外侧与腔体外壳之间形成供气体汇集的外腔区域，所述外环板与所述内环板之间形成供气体流通的第二间隙，所述外环板上边缘与所述导板相抵持，所述外环板开设若...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国强，蔡超，
申请(专利权)人：智程半导体设备科技昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：
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