【技术实现步骤摘要】
一种用于清洁石英晶舟的方法及装置
[0001]本专利技术实施例涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种用于清洁石英晶舟的方法及装置。
技术介绍
[0002]在半导体硅片的生产过程中，通常需要对硅片进行比如退火之类的热处理，以使得硅片满足生产工艺要求。
[0003]在对硅片进行热处理的过程中，通常将硅片承载在石英晶舟上，以避免硅片与热处理炉中的其他部件接触从而对硅片造成污染。但是，随着使用时间的增长，石英晶舟本身的洁净度会因外部环境的影响而下降。举例而言，石英晶舟除了表面会被颗粒物污染以外内部也会受到金属污染。在利用被污染的石英晶舟承载硅片以对硅片进行热处理的情况下，例如石英晶舟内部的金属污染物会扩散到硅片表面，而这些金属污染物又会在高温作用下加速朝向硅片内部扩散，由此加剧了硅片的金属含量，导致经热处理的硅片无法满足生产工艺要求。
[0004]为了避免上述情况出现，通常需要定期对石英晶舟进行清洁。在现有的清洁方式中，需要将石英晶舟从热处理炉中拆下并取出，并将石英晶舟投入含有HF化学品的槽式清洗机中，利用HF与二氧化...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于清洁石英晶舟的方法，其特征在于，所述方法包括：在高温环境下利用蚀刻气体对待清洁的所述石英晶舟进行第一蚀刻，以获得位于所述石英晶舟的表面处并且能够产生吸杂作用的损伤层和应力层；对经历所述第一蚀刻的所述石英晶舟进行热处理，以促进所述石英晶舟中的杂质在所述吸杂作用的影响下朝向所述石英晶舟的表面扩散；在高温环境下利用蚀刻气体对经历所述热处理的石英晶舟进行第二蚀刻，以将扩散至所述石英晶舟的表层的杂质随所述石英晶舟的表层一起从所述石英晶舟去除。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在高温环境下利用氧气对经历所述第二蚀刻的石英晶舟进行表面氧化，以获得能够阻止所述石英晶舟中的残余杂质扩散到所述石英晶舟外部的氧化层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述热处理期间向所述石英晶舟提供保护性气体。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第一蚀刻期间、所述热处理期间、所述第二蚀刻期间以及所述表面氧化期间使所述石英晶舟旋转。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述热处理的持续时间为至少10小时。6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李亮亮，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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