升压电路制造技术

本发明专利技术提供一种升压电路，具备第一升压单元列（１０２、１０３、１０４）、和第二升压单元列（１０５、１０６、１０７），还具备对每个升压单元的相同级的电位进行比较，选择输出低侧的电位或高侧的电位的模拟比较电路（１１７、１１８、１１９），利用这些模拟比较电路的输出电位，控制Ｎ阱（ＮＴ）的电位。由此，可抑制Ｎ阱电位的振幅，且能共用Ｎ阱区域的布局。因此，能够抑制电荷传输效率的下降，并通过控制具有三重阱结构的开关元件的Ｎ阱电位，来实现低耗电，削减布局面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种利用了三重阱(triple well)结构的开关元件的升压电路。
技术介绍
近年来，在作为非易失性半导体存储装置的一种的闪速存储器(flash memory)中，要求在单一电源电压或低电源电压下的数据读取、数据改写， 当实施各动作时在芯片内需要提供正或负的升压电压的升压电路。而且， 即使在CMOS工艺中，升压电路所产生的电源电压也被用于模拟电路的特 性改善。以往，公知一种利用了三重阱结构的开关元件的升压电路(参照美国 专利第6100557号、第6121821号及第7102422号公报的各说明书)。图25表示了现有的升压电路的例子。在图25中，901是输入2相时 钟信号CLK1、 CLK2来进行升压动作而产生输出端子电压(升压电压) Vpump的升压电路。902、 903、 904是3级的构成例，是向奇数级输入 CLK1，向偶数级输入CLK2的升压单元；905是防止升压电压Vpump的 反向电流的防反向电流电路；906是作为开关元件而起作用的电荷传输晶 体管；907是电荷传输晶体管906的P阱(PW); 908是包含该P阱907 的深的N阱(NT); 909是P阱9本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种升压电路，在基板上具有第一导电型的第一阱区域，在所述第一阱区域内具有第二导电型的第二阱区域，在所述第一阱区域内与所述第二阱区域中的任意一方或两方具备１个以上开关元件，并具备由所述１个以上开关元件对第一端子与第二端子之间进行接通、断开，以从所述第一端子向所述第二端子传输电荷的升压单元，　　　　该升压电路具有：　　　　第一升压单元列，其由Ｎ级所述升压单元构成，其中Ｎ≥１；　　　　第二升压单元列，其由Ｍ级所述升压单元构成，其中Ｍ≥１；和　　　　模拟比较电路，其输出所述第一升压单元列的第ｉ级的所述升压单元的输出电位，其中１≤ｉ≤Ｎ；和所述第二升压单元列的第ｉ级的所述升压单元的输出电位中高侧的电位或...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山平征二，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]