【技术实现步骤摘要】
一种自动化程度高的磷化铟清洗装置
[0001]本专利技术涉及清洗装置
，具体涉及一种自动化程度高的磷化铟清洗装置。
技术介绍
[0002]磷化铟晶片是重要的化合物半导体材料，与砷化镓相比，其优越性主要在于高的饱和电场漂移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，在当前迅速发展的光纤通讯领域，磷化铟晶片是优选的衬底材料。
[0003]磷化铟的清洗需要多道工序，而现有技术中多通过人工操作将晶片放入各个清洗池内，不仅费时费力，而且清洗效果不佳。
[0004]为了解决上述技术问题，需要研发一种自动化程度高的磷化铟清洗装置。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是提供一种自动化程度高的磷化铟清洗装置。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种自动化程度高的磷化铟清洗装置，包括：支架、驱动部和清洗部，所述支架呈框架结构，所述清洗部固定在所述支架上端，所述清洗部适于清洗晶片；所述驱动部固定在所述支架上，所述驱动部设置在所述清洗部下方，且所述驱动部与所述清洗部联动；所述清洗部包括...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种自动化程度高的磷化铟清洗装置，其特征在于，包括：支架、驱动部和清洗部，所述支架呈框架结构，所述清洗部固定在所述支架上端，所述清洗部适于清洗晶片；所述驱动部固定在所述支架上，所述驱动部设置在所述清洗部下方，且所述驱动部与所述清洗部联动；所述清洗部包括：预洗池、上料组件和若干清洗组件，所述预洗池呈矩形，所述预洗池上端敞口，所述预洗池内适于盛放清洗溶液；所述上料组件可升降的设置在预洗池上方，所述上料组件适于夹持晶片浸入清洗溶液内；若干所述清洗组件对称设置在预洗池两侧内壁，所述清洗组件与所述驱动部传动连接，所述清洗组件适于清理晶片表面；其中上料组件夹持晶片浸入预洗池内的清洗溶液后，驱动部驱动各清洗组件同步轴向转动摩擦晶片以清理晶片表面。2.如权利要求1所述的一种自动化程度高的磷化铟清洗装置，其特征在于，所述上料组件包括：放置台、第一滑动板、两第一固定架、两第一升降气缸、水平气缸和升降组件，所述放置台固定在所述预洗池上端，所述放置台适于放置工件；所述水平气缸垂直固定在预洗池外壁远离所述放置台的一侧，所述第一滑动板可滑动的设置在所述预洗池内底壁，所述第一滑动板固定在所述水平气缸的活动端端部；两第一固定架分别垂直固定在所述第一滑动板的两端；一个第一升降气缸对应固定在一个第一固定架上端，且第一升降气缸的活动端与升降组件联动；所述升降组件适于夹持晶片浸入清洗溶液中；其中晶片放置在放置台上后，水平气缸驱动第一滑动板水平滑动，以使晶片被升降组件夹持；升降组件驱动晶片浸入清洗溶液内；水平气缸驱动第一滑动板水平滑动以使晶片两端与清洗组件相抵以摩擦晶片。3.如权利要求2所述的一种自动化程度高的磷化铟清洗装置，其特征在于，所述升降组件包括：第一升降板、两第二固定架、两第二升降气缸和压紧板，所述第一升降板可升降滑动的设置在所述第一固定架内侧，所述第一升降板固定在所述第一升降气缸的活动端端部；两所述第二固定架固定在所述第一升降板的两端，且两第二固定架均设置在两第一固定架之间；一个第二升降气缸对应固定在一个第二固定架上端，且所述第二升降气缸的活动端固定在所述压紧板上；其中水平气缸驱动第一滑动板以使晶片落入第一升降板上后，所述第二升降气缸驱动压紧板以压紧固定晶片。4.如权利要求3所述的一种自动化程度高的磷化铟清洗装置，其特征在于，所述第一升降板的上料端向出料端高度逐渐降低；所述压紧板与所述第一升降板互相平行。
5.如权利要求4所述的一种自动化程度高的磷化铟清洗装置，其特征在于，所述预洗池上方还固定有一工件定位板，所述工件定位板上可滑动的设置有若干隔板，所述隔板下端与第一升降板相抵，所述隔板的长度以第一升降板的上料端向第一升降板的出料端逐渐增加。6.如权利要求5所述的一种自动化程度高的磷化铟清洗装置，其特征在于，清洗组件包括：转动轮、从动柱、固定套和打磨辊，所述转动轮通过皮带与驱动部传动连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓静，周曼，潘功寰，顾正伟，
申请(专利权)人：苏州泾碧清电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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