【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】经由激光固化预涂敷的和激光烧蚀的底部填充物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年6月11日提交的且标题为“SELECTIVELY BONDING LIGHT
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EMITTING DEVICES VIA A PULSED LASER”的美国临时专利申请62/860,219的优先权,该美国临时专利申请的内容被全部并入本文。本申请还要求于2019年6月14日提交的且标题为“SELECTIVELY BONDING LIGHT
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EMITTING DEVICES VIA A PULSED LASER”的美国临时专利申请62/861,949的优先权,该美国临时专利申请的内容被全部并入本文。本申请还要求于2019年6月14日提交的且标题为“LED Bonding with Underfill”的美国临时专利申请62/861,938的优先权,该美国临时专利申请的内容被全部并入本文。本申请此外要求于2019年7月2日提交的且标题为“DIELECTRIC
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DIELECTRIC AND METALLIZATION BONDING VIA PLASMA ACTIVATION AND LASER
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INDUCED HEATING”的美国临时专利申请62/869,905的优先权,该美国临时专利申请的内容被全部并入本文。本申请还要求于2019年7月2日提交的且标题为“BONDING FOR DEFORMABLE ELECTRICAL CONTACTS”的美国临时专利申请 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于将半导体器件耦合到目标衬底的方法,其中,所述半导体器件包括第一表面和设置在所述第一表面上的第一接触部,所述目标衬底包括第二表面和设置在所述第二表面上的第二接触部,以及所述方法包括:在所述第二表面上沉积未固化的底部填充(UF)材料,其中,未固化的UF材料基本上覆盖所述第二表面并且基本上封装所述第二接触部;向所述未固化的UF材料施加第一热能,以预固化所述未固化的UF材料;利用第一光子束照射所预固化的UF材料的多余部分,以移除所述预固化的UF材料的所述多余部分并形成所述预固化的UF材料的平坦表面,所述预固化的UF材料的平坦表面至少部分地暴露所述第二接触部的远侧部分;将所述半导体器件定位成邻近所述目标衬底以形成所述第一接触部与所述第二接触部的空间对准,其中,所述第一表面和所述第二表面是相对的表面,并且所述第二接触部的至少部分地被暴露的远侧部分与所述第一接触部的远侧部分相邻;通过将所述第二接触部的至少部分地被暴露的远侧部分键合到所述第一接触部的相邻远侧部分,来在所述半导体器件和所述目标衬底之间形成电耦合;以及固化所述预固化的UF材料,其中,所固化的UF材料在机械上使在所述半导体器件和所述目标衬底之间的所述电耦合稳定。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述未固化的UF材料经由以下中的至少一种进行沉积:旋涂工艺、浸涂工艺、刮片工艺或喷涂工艺。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一热能是由照射所述预固化的UF材料的所述多余部分的第二光子束诱导的,其中,所述第二光子束包括紫外(UV)光子束或红外(IR)光子束中的一种。4.根据权利要求1所述的方法,包括跨预固化的UF材料的所述多余部分扫描所述第一光子束,以平面化所述预固化的UF材料的平坦表面。5.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第二接触部的至少部分地被暴露的远侧部分键合到所述第一接触部的相邻远侧部分是由第二热能引起的,该第二热能是由照射所述半导体器件或所述目标衬底中的至少一个的第二光子束生成的;其中,所述第二光子束包括具有时域分布的光子脉冲,所述时域分布被选择以控制与所述第二热能相关联的热效应。6.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述第二接触部的至少部分地被暴露的远侧部分键合到所述第一接触部的相邻远侧部分是通过热压键合过程引起的。7.根据权利要求1所述的方法,包括使用厌氧粘合剂和/或湿气吸收过程来固化所述预固化的UF材料。8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体器件是具有小于100微米(μm)的特征尺寸的发光二极管(LED),以及所述目标衬底是显示设备的背板。9.一种用于将半导体器件耦合到目标衬底的系统,其中,所述半导体器件包括第一表面和设置在所述第一表面上的第一接触部,所述目标衬底包括第二表面和设置在所述第二表面上的第二接触部,所述系统包括:底部填充(UF)沉积装置,其在所述第二表面上沉积未固化的底部填充(UF)材料,其中,未固化的UF材料基本上覆盖所述第二表面并且基本上封装所述第二接触部;
烧蚀装置,其移除...
【专利技术属性】
技术研发人员:丹尼尔,
申请(专利权)人:脸谱科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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