形成包括硅碳材料的结构的方法和使用该方法形成的结构技术

公开了用于形成包括硅碳材料的结构的方法和系统以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括向反应空间提供第一气体，向反应空间提供硅碳前体，停止硅碳前体向反应空间的流动，在反应空间内形成第一等离子体，从而在衬底表面上沉积硅碳材料，以及可选地用活性物种处理硅碳材料以形成处理过的硅碳材料。种处理硅碳材料以形成处理过的硅碳材料。种处理硅碳材料以形成处理过的硅碳材料。

【技术实现步骤摘要】
形成包括硅碳材料的结构的方法和使用该方法形成的结构


[0001]本公开总体涉及形成适用于电子器件制造的结构的方法。更具体地，本公开的示例涉及形成包括硅碳材料层的结构的方法、包括这种层的结构以及用于执行该方法和/或形成该结构的系统。

技术介绍

[0002]在诸如半导体器件的器件制造过程中，通常希望用绝缘或介电材料填充衬底表面上的特征(例如沟槽或间隙)。由于硅碳材料相对于其他材料(例如氧化硅)的高蚀刻选择性，因此可能希望其用于各种应用。
[0003]不幸的是，典型的硅碳材料沉积技术会导致在沉积的硅碳材料中形成多个空隙，尤其是当使用等离子体辅助技术沉积硅碳材料时。
[0004]因此，需要用于形成结构的改进方法，特别是用于用硅碳材料填充衬底表面上的间隙的方法，其减轻硅碳材料中的空隙形成和/或提供期望的硅碳材料特性。
[0005]在本部分中阐述的任何讨论(包括问题和解决方案的讨论)已经包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景，并且不应被视为承认任何或所有讨论在本专利技术被制造时是已知的或者以其他方式构成现有技术。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种填充衬底表面上的图案化凹部的方法，该方法包括以下步骤：在反应空间内提供包括图案化凹部的衬底；向反应空间提供第一气体；向反应空间提供硅碳前体；停止硅碳前体向反应空间的流动；以及在反应空间内形成第一等离子体，从而在衬底表面上沉积硅碳材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一气体包括Ar,He,NH3,N2和H2中的一种或多种。3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，还包括向反应室提供第二气体的步骤。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二气体包括Ar,He,NH3,N2和H2中的一种或多种，并且其中，所述第一气体不同于所述第二气体。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的方法，其中，提供所述第一气体的步骤和提供所述硅碳前体的步骤重叠。6.根据权利要求3
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5中任一项所述的方法，其中，提供所述第一气体的步骤和提供所述第二气体的步骤重叠。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，包括处理所述硅碳材料的步骤，其中处理步骤包括在形成所述第一等离子体的步骤期间向反应室提供所述第一气体。8.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，包括处理所述硅碳材料的步骤，其中处理步骤包括在形成第二等离子体的步骤期间向反应室提供所述第二气体。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一等离子体和第二等离子体不重叠。10.根据权利要求1
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9中任一项所述的方法，其中，所述方法包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)过程或等离子体增强原子层沉积(PEALD)过程或者PECVD过程和PEALD过程的组合。11.根据权利要求10所述的方法，其中，PECVD包括在连续前体供应下的RF脉冲的方法或在连续RF供应下的前体脉冲的方法。12.根据权利要求1
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11中任一项所述的方法，其中，所述硅碳前体的化学式由式Si
a
C
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【专利技术属性】
技术研发人员：须佐圭雄，梅原直己，黄祐敏，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：