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公开了用于形成包括硅碳材料的结构的方法和系统以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括向反应空间提供第一气体,向反应空间提供硅碳前体,停止硅碳前体向反应空间的流动,在反应空间内形成第一等离子体,从而在衬底表面上沉积硅碳材料,以及可选地用...该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。
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公开了用于形成包括硅碳材料的结构的方法和系统以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括向反应空间提供第一气体,向反应空间提供硅碳前体,停止硅碳前体向反应空间的流动,在反应空间内形成第一等离子体,从而在衬底表面上沉积硅碳材料,以及可选地用...