形成图案的方法技术

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种形成图案的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成目标层、转印层以及第一引导图案；使用定向自组装工艺在所述第一引导图案上形成沿水平方向或者垂直方向排布的第一刻蚀图案，以所述第一刻蚀图案为掩模，刻蚀转印层，以形成第一转印图案；形成与所述第一转印图案垂直相交的第二转印图案；以所述第一转印图案、第二转印图案为掩模，刻蚀目标层以形成目标图案。本申请实施例将DSA、PTD以及NTD技术进行结合应用到图像形成过程中，使得形成的图像尺寸更小，且减少了工艺步骤，提高了工艺效率。提高了工艺效率。提高了工艺效率。

【技术实现步骤摘要】
形成图案的方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种形成图案的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体存储器上目标图案变得越来越小，EUV光刻技术和侧墙辅助图案(SPACER ASSISTED PATTERNING)技术越来越被应用到半导体装置的制造领域，但是考虑到EUV光刻技术的设备价格以及工艺不够成熟的问题，通常采用侧墙辅助自对准双重图案(SPACER ASSISTED DOUBLE PATTERNING，简称SADP)、四重图案技术(QUADRUPLEPATTERNING)，具体的来说，SADP工艺一般包括曝光
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刻蚀
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侧墙沉积
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去除心轴层
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刻蚀(LITHO
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ETCH
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SPACER DEPO
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MANDREL REMOVAL
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ETCH)的步骤，这样可以在晶圆上做出更小的图案。随着图形尺寸的进一步减小，双重图形已经无法满足需求，出现了四重图案技术(QUAD PATTERNI本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成图案的方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成目标层、转印层以及第一引导图案；使用定向自组装工艺在所述第一引导图案上形成沿水平方向或者垂直方向排布的第一刻蚀图案，以所述第一刻蚀图案为掩模，刻蚀转印层，以形成第一转印图案；形成与所述第一转印图案垂直相交的第二转印图案；以所述第一转印图案、第二转印图案为掩模，刻蚀目标层以形成目标图案。2.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，在浸液式光刻工艺中采用负显影技术形成所述第二转印图案。3.根据权利要求2所述的形成图案的方法，其特征在于，所述第二转印图案包括矩形图案。4.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其特征在于，形成所述第二转印图案的步骤包括：形成第二引导图案，使用定向自组装工艺以及负显影技术形成所述第二转印图案。5.根据权利要求4所述的形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：田范焕，梁时元，贺晓彬，刘金彪，杨涛，李亭亭，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：