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本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种形成图案的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成目标层、转印层以及第一引导图案；使用定向自组装工艺在所述第一引导图案上形成沿水平方向或者垂直方向排布的第一刻蚀图案，以所述第一刻蚀图案为掩模，刻蚀转印...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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