薄膜的炉管沉积方法技术

该发明专利技术公开了一种薄膜的炉管沉积方法，所述薄膜的炉管沉积方法包括：提供沉积炉管，所述炉管内的制程腔沿上下方向分为多个制程区域，多个温度控制器分别与多个制程区域一一对应以分别控制多个制程区域的温度；提供衬底，对所述衬底执行薄膜沉积工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定沉积温度呈梯度逐渐递减；执行退火工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定退火温度呈梯度逐渐递增。根据本发明专利技术实施例的薄膜的炉管沉积方法，使得炉管内沉积后形成的薄膜的厚度和性能较为一致稳定，提高了产品良率。提高了产品良率。提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜的炉管沉积方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种薄膜的炉管沉积方法。

技术介绍

[0002]氮化物层在DRAM中的主要用于侧壁隔离、掩蔽杂质离子、支撑以及化学机械研磨的停止层，由于炉管的特殊结构，沉积相同厚度的薄膜,炉管顶部到底部的温度不相同，导致薄膜密度不同，从炉管顶部到底部形成的半导体器件的薄膜在后续的刻蚀过程中，刻蚀速率存在较大的差异，这种差异影响薄膜性能且不利于刻蚀制程的稳定，降低生产良率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种薄膜的炉管沉积方法，所述沉积方法使得炉管内沉积形成的薄膜性能较为一致稳定，有利于提高炉管沉积的产品良率。
[0004]根据本专利技术实施例的薄膜的炉管沉积方法包括：提供沉积炉管，所述炉管内的制程腔沿上下方向分为多个制程区域，多个温度控制器分别与多个制程区域一一对应以分别控制多个制程区域的温度；提供衬底，对所述衬底执行薄膜沉积工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定沉积温度呈梯度逐渐递减；执行退火工艺，控制各所述温度控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜的炉管沉积方法，其特征在于，包括：提供沉积炉管，所述炉管内的制程腔沿上下方向分为多个制程区域，多个温度控制器分别与多个制程区域一一对应以分别控制多个制程区域的温度；提供衬底，对所述衬底执行薄膜沉积工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定沉积温度呈梯度逐渐递减；执行退火工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定退火温度呈梯度逐渐递增。2.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法，其特征在于，各所述制程区域的设定沉积温度的温差范围为2℃
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5℃。3.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法，其特征在于，各所述制程区域的设定沉积温度呈等梯度逐渐递减。4.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法，其特征在于，各所述制程区域的设定退火温度的温差范围为2℃
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5℃。5.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法，其特征在于，各所述制程区域的设定退火温度呈等梯度逐渐递增。6.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法，其特征在于，执行薄膜沉积工艺中的设定沉积温度的最大值与执行退火工艺中的设定退火温度的最大值为预定的最高温度。7.根据权利要求6所述的薄膜的炉管沉积方法，其特征在于，所述预定的最高温度为650℃。8.根据权利要求1所述的薄膜的炉管沉积方法，其特征在于，执行薄膜沉积工艺中的设...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄其赞，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：