半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明专利技术能够形成具有平坦性的膜。本发明专利技术的半导体装置的制造方法具有：(a)对于处理室内的基板供给含有第一元素的气体的工序，(b)对于所述基板多次供给第一还原气体的工序，(c)将(a)和(b)依次执行1次以上，对于所述基板形成第一层的工序，以及(d)在(c)之后，进行以下(e)工序、(f)工序和(g)工序的工序，(e)对于所述基板供给含有第二元素的气体的工序，(f)对于所述基板供给第二还原气体的工序，和(g)将(e)和(f)依次执行1次以上，在所述第一层之上形成第二层的工序。述第一层之上形成第二层的工序。述第一层之上形成第二层的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质


[0001]本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。

技术介绍

[0002]作为具有3维结构的NAND型闪存、DRAM的字线，在使用例如低电阻的钨(W)膜。此外，作为在该W膜和绝缘膜之间的障壁膜，有时使用例如氮化钛(TiN)膜(例如，参照专利文献1和专利文献2)。TiN膜具有用于提高W膜与绝缘膜的密合性的作用，有时会在该TiN膜上形成使W膜生长的核形成膜。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
66263号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2019/058608号小册子

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]但是，形成W膜的沟槽的填埋宽度变得细微，如果障壁膜不平坦则W膜的体积会减小，难以使W膜低电阻化。
[0009]本公开的目的在于，提供一种能够形成具有平坦性的膜的技术。
[0010]解决课题的方法
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，具有：(a)对于处理室内的基板供给含有第一元素的气体的工序，(b)对于所述基板多次供给第一还原气体的工序，(c)将(a)和(b)依次执行1次以上，对于所述基板形成第一层的工序，以及(d)在(c)之后，进行以下(e)工序、(f)工序和(g)工序的工序，(e)对于所述基板供给含有第二元素的气体的工序，(f)对于所述基板供给第二还原气体的工序，和(g)将(e)和(f)依次执行1次以上，在所述第一层之上形成第二层的工序。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，(c)中，在(a)中具有对于所述基板供给含硅气体的工序。3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，(c)中，在(a)之后具有对于所述基板供给含硅气体的工序。4.如权利要求1～3任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，(c)中，在(b)之后具有对于所述基板供给含硅气体的工序。5.如权利要求1～4任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，(b)中，在所述多次供给第一还原气体期间，进行吹扫工序。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，所述吹扫工序中依次进行非活性气体的供给以及排气。7.如权利要求1～6任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，(c)中，在(b)之后具有多次进行非活性气体的供给以及排气的工序。8.如权利要求1～7任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，(d)中，在(e)中具有对于所述基板供给含硅气体的工序。9.如权利要求1～8任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，(d)中，在(e)之后具有对于所述基板供给含硅气体的工序。10.如权利要求1～9任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，反复进行(c)直至所述第一层的厚度达到以上。11.如权利要求1～10任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述含有第一元素的气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：定田拓也，小川有人，水野谦和，早坂省吾，栗林幸永，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：