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本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明能够形成具有平坦性的膜。本发明的半导体装置的制造方法具有：(a)对于处理室内的基板供给含有第一元素的气体的工序，(b)对于所述基板多次供给第一还原气体的工序，(c)将(a)和(b...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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