一种工件蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种工件蚀刻装置，包括第一喷淋箱、工件载台和缓冲导流平台，工件载台用于承载待蚀刻的工件，第一喷淋箱固定连接在底板的一端，包括第一箱本体和第一喷淋部，第一喷淋部设于第一箱本体的一侧外壁上，包括开设有第一溢流口的第一导流台，第一导流台的出口具有朝下倾斜的第一斜面，第一溢流口位于第一斜面的上方，工件载台和缓冲导流平台均设于底板上，缓冲导流平台具有位于第一斜面下方的缓冲平面部和朝下倾斜的第二斜面。本实用新型专利技术的工件蚀刻装置可以在工件化学蚀刻过程中对工件表面实现均匀浸润，且不损伤蚀刻出来的微结构，角度能够灵活调节，便于工件的取放，保证蚀刻效果。证蚀刻效果。证蚀刻效果。

【技术实现步骤摘要】
一种工件蚀刻装置


[0001]本技术属于化学蚀刻
，尤其涉及一种工件蚀刻装置。

技术介绍

[0002]化学蚀刻工艺常与光刻工艺配套用于制造微小结构，比如在晶圆上制作电路。蚀刻过程要求蚀刻溶液均匀浸润需要蚀刻的产品表面，并且能够快速达到充分浸润开始蚀刻过程，快速脱离浸润环境而终止蚀刻。常用的蚀刻显影工艺有浸没式、水柱式或喷淋式的显影方法，然而这些方法只适合表面尺寸在500mm以下的中小型工件，对于表面尺寸超过1000mm、重量达到数十公斤或上百公斤的大型工件，则很难达到快速、均匀的要求。浸没式蚀刻设备需要大型容器，和操纵大型工件的辅助装置，制造成本非常高；水柱式或喷淋式蚀刻设备则很难在大尺度范围内实现均匀浸润，而且喷射造成的冲击力可能损伤蚀刻出来的微结构。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有化学蚀刻技术中存在的问题，本技术的主要目的在于提供一种工件蚀刻装置，所提供的工件蚀刻装置可以在工件化学蚀刻过程中对工件表面实现均匀浸润，且不损伤蚀刻出来的微结构，角度能够灵活调节，便于工件的取放，保证蚀刻效果。
[0004]本技术的目的通过如下技术方案得以实现：
[0005]本技术提供一种工件蚀刻装置，该工件蚀刻装置包括第一喷淋箱、工件载台和缓冲导流平台；
[0006]所述工件载台用于承载待蚀刻的工件；
[0007]所述第一喷淋箱固定连接在底板的一端，包括第一箱本体和第一喷淋部，所述第一喷淋部设于所述第一箱本体的一侧外壁上，包括开设有第一溢流口的第一导流台，所述第一导流台的出口具有朝下倾斜的第一斜面，所述第一溢流口位于所述第一斜面的上方；
[0008]所述工件载台和所述缓冲导流平台均设于所述底板上，所述缓冲导流平台具有位于所述第一斜面下方的缓冲平面部和朝下倾斜的第二斜面。
[0009]作为上述技术方案的进一步描述，所述第一箱本体的一侧内壁上设有第一绕流隔板。
[0010]作为上述技术方案的进一步描述，所述第一箱本体的底面设置有若干第一进口。
[0011]作为上述技术方案的进一步描述，所述第一绕流隔板和所述第一箱本体的内壁之间形成第一导流通道，所述第一导流通道和所述第一斜面沿水平方向相对设置。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述，还包括第二喷淋箱，所述第二喷淋箱包括第二箱本体和第二喷淋部，所述第二喷淋部设于所述第二箱本体的一侧外壁上，包括开设有第二溢流口的第二导流台，所述第二导流台的出口具有朝下倾斜的第三斜面，所述第二溢流口位于所述第三斜面的上方。
[0013]作为上述技术方案的进一步描述，所述第二箱本体的一侧内壁上设有第二绕流隔
板；
[0014]所述第二绕流隔板与所述第二箱本体的内壁之间形成第二导流通道，所述第二导流通道与所述第三斜面沿水平方向相对设置；
[0015]所述第二箱本体的底面设置有若干第二进口。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述，所述第二箱本体位于所述第一箱本体的上方，所述第二箱本体内用于通入定影液，所述第一箱本体内用于通入显影液。
[0017]作为上述技术方案的进一步描述，所述第一斜面、第三斜面、第三斜面的倾斜度为30
°‑
60
°
；所述第一溢流口、第二溢流口的宽度为1mm
‑
2mm。
[0018]作为上述技术方案的进一步描述，所述底板下连接有用于调节所述底板角度的旋转电机。
[0019]本技术的突出效果为：
[0020]本技术的工件蚀刻装置可以在工件化学蚀刻过程中显影液和定影液均形成水幕状均匀泼洒至工件表面，不再需要大型容器，实现了对大型工件表面的均匀浸润；
[0021]本技术的工件蚀刻装置通过旋转电机实现了底板角度灵活调节，不再需要操纵大型工件的辅助装置，就可实现大型工件的取放，也使得多余的显影液和定影液不会残留在工件表面，不损伤蚀刻出来的微结构，保证了蚀刻效果。
附图说明
[0022]图1为本技术的工件蚀刻装置的结构示意图；
[0023]图2为本技术的工件蚀刻装置的第一喷淋箱、第二喷淋箱的右视图；
[0024]附图标号说明：
[0025]1‑
第一箱本体；11
‑
第一溢流口；12
‑
第一斜面；13
‑
第一绕流隔板；14
‑
第一进口；2
‑
第二箱本体；21
‑
第二溢流口；22
‑
第三斜面；23
‑
第二绕流隔板；24
‑
第二进口；3
‑
工件载台；41
‑
缓冲平面部；42
‑
第二斜面；5
‑
底板；6
‑
旋转电机。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“中”、“下”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。下面根据本技术的整体结构，对其实施方式进行说明。
[0028]本技术实施例公开了一种工件蚀刻装置，包括第一喷淋箱、工件载台3和缓冲导流平台；所述工件载台3用于承载待蚀刻的工件；
[0029]所述第一喷淋箱固定连接在底板5的一端，包括第一箱本体1和第一喷淋部，所述第一喷淋部设于所述第一箱本体1的一侧外壁上，包括开设有第一溢流口11的第一导流台，所述第一导流台的出口具有朝下倾斜的第一斜面12，所述第一溢流口11位于所述第一斜面12的上方；
[0030]所述工件载台3和所述缓冲导流平台均设于所述底板5上，所述缓冲导流平台具有位于所述第一斜面12下方的缓冲平面部41和朝下倾斜的第二斜面42。
[0031]上述的设置方式中，所述第一喷淋箱内的第一箱本体1内的液体能够通过设在其一侧外壁上的喷淋部形成液体膜，继而通过所述缓冲导流平台均匀形成幕状对承载在所述工件载台3上待显影的工件进行有效泼洒显影。所述第一喷淋部设有的第一导流台亦可对所述第一溢流口11溢流出的液体膜进行导流，再经缓冲导流平台位于所述第一斜面12下方的缓冲平面部41进行液体膜的缓冲减压，能够使所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工件蚀刻装置，其特征在于，包括第一喷淋箱、工件载台和缓冲导流平台；所述工件载台用于承载待蚀刻的工件；所述第一喷淋箱固定连接在底板的一端，包括第一箱本体和第一喷淋部，所述第一喷淋部设于所述第一箱本体的一侧外壁上，包括开设有第一溢流口的第一导流台，所述第一导流台的出口具有朝下倾斜的第一斜面，所述第一溢流口位于所述第一斜面的上方；所述工件载台和所述缓冲导流平台均设于所述底板上，所述缓冲导流平台具有位于所述第一斜面下方的缓冲平面部和朝下倾斜的第二斜面。2.根据权利要求1所述的工件蚀刻装置，其特征在于，所述第一箱本体的一侧内壁上设有第一绕流隔板。3.根据权利要求2所述的工件蚀刻装置，其特征在于，所述第一箱本体的底面设置有若干第一进口。4.根据权利要求2所述的工件蚀刻装置，其特征在于，所述第一绕流隔板和所述第一箱本体的内壁之间形成第一导流通道，所述第一导流通道和所述第一斜面沿水平方向相对设置。5.根据权利要求1所述的工件蚀刻装置，其特征在于，还包括第二喷淋箱，所述第二喷淋箱包括第二箱本体和第二喷淋部，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王诗成，蔡俊德，
申请(专利权)人：普聚智能系统苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：