存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法技术方案

本申请提供一种存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法，该存储器件包括多个存储串，每个存储串包括被划分为多个层级的子存储串，每个子存储串包括多个存储单元、SSG晶体管、以及DSG晶体管，该方法包括：在预充电阶段，对位于多个层级中的第一层级的DSG晶体管、存储单元、以及SSG晶体管施加导通电压；在施加导通电压之后，经由每个存储串的两端施加预充电电压；以及在编程阶段，在对待编程的存储串包括的DSG晶体管施加漏极选择电压的同时，将其余存储串包括的DSG晶体管关断。其余存储串包括的DSG晶体管关断。其余存储串包括的DSG晶体管关断。

【技术实现步骤摘要】
存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法


[0001]本申请涉及半导体
具体地，本申请涉及一种存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法。

技术介绍

[0002]近来，具有垂直堆叠的存储单元的存储器件被广泛使用于电子设备中，可通过增加存储单元的堆叠层数来增加存储容量。具有不断增长的堆叠层数的存储器件可发展为包括多个层级(deck)。对于存储器件的一些操作，层级的增加使得沟道电流不断减小，通常可在多个层级之间设置富含电子的导电插塞，导电插塞可将各层级的沟道电连接，从而能够通过补偿电荷来改善沟道电流减小问题。
[0003]应当理解，该
技术介绍
部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景，然而，这些内容并不一定属于在本申请的申请日之前本领域技术人员已知或理解的内容。

技术实现思路

[0004]本申请的一方面提供一种存储器件的编程操作方法，所述存储器件包括：多个存储串，每个所述存储串包括被划分为多个层级的子存储串，每个所述子存储串包括多个存储单元、源极选择栅极晶体管(SSG晶体管)、以及漏极选择栅极晶体管(DSG晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.存储器件的编程操作方法，其中，所述存储器件包括多个存储串，每个所述存储串包括被划分为多个层级的子存储串，每个所述子存储串包括多个存储单元、SSG晶体管、以及DSG晶体管，其特征在于，所述方法包括：在预充电阶段，对位于所述多个层级中的第一层级的所述DSG晶体管、所述存储单元、以及所述SSG晶体管施加导通电压；在施加所述导通电压之后，经由每个所述存储串的两端施加预充电电压；以及在编程阶段，对待编程的存储串包括的所述DSG晶体管施加漏极选择电压的同时，将其余存储串包括的所述DSG晶体管关断。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述导通电压的电平爬升至峰值电平之后，施加所述预充电电压。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述导通电压的电平爬升至峰值电平之后，将位于所述第一层级的所述DSG晶体管、所述存储单元以及所述SSG晶体管设置为浮置状态。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在施加所述导通电压的同时，对位于所述多个层级中的第二层级的所述DSG晶体管、所述存储单元、以及所述SSG晶体管施加接地电压。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述编程阶段，对位于所述多个层级中的第二层级的待编程的存储单元施加编程电压，并且对其余存储单元施加第一通过电压。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述编程阶段，对位于所述多个层级中的第二层级的所述SSG晶体管施加接地电压，并且对位于所述第一层级的所述SSG晶体管施加第二通过电压。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述编程阶段，向所述待编程的存储串的两端施加接地电压，并且向所述其余存储串的两端施加漏极电压。8.存储器件，包括：多个存储串，每个所述存储串包括被划分为多个层级的子存储串，每个所述子存储串包括多个存储单元、SSG晶体管、以及DSG晶体管；以及外围电路，耦合至所述存储串，并配置为：在预充电阶段，对位于所述多个层级中的第一层级的所述DSG晶体管、所述存储单元、以及所述SSG晶体管施加导通电压；在施加所述导通电压之后，经由每个所述存储串的两端施加预充电电压；以及在编程阶段，对待编程的存储串包括的所述DSG晶体管施加漏极选择电压的同时，将其余存储串包括的所述DSG晶体管关断。9.根据权利要求8所述的存储器件，还包括：堆叠层，包括位于各个层级的子堆叠层，所述子堆叠层包括交替堆叠的栅极层和介质层，所述子存储串穿过对应层级的子堆叠层；导电插塞，位于各个子堆叠层之间并将同一存储串包括的各个子存储串电连接；以及顶部选择栅切线，穿过各个层级...

【专利技术属性】
技术研发人员：王均保，黄莹，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：