一种静电卡盘的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种静电卡盘的制造方法，属于静电卡盘技术领域，包括以下步骤：制造所述静电卡盘的主体部和基座，其中制造所述主体部包括以下步骤：步骤一：形成陶瓷基板及薄膜电极，所述薄膜电极设置在所述陶瓷基板上；步骤二：在所述陶瓷基板上形成介电层，所述介电层覆盖整个所述陶瓷基板的上表面，所述薄膜电极设置在所述陶瓷基板与所述介电层之间；步骤三：图形化所述介电层上表面；步骤四：在图形化后的所述介电层上表面形成保护层以形成所述静电卡盘的主体部；将所述主体部与所述基座粘连为一体以形成所述静电卡盘。连为一体以形成所述静电卡盘。连为一体以形成所述静电卡盘。

【技术实现步骤摘要】
一种静电卡盘的制造方法


[0001]本专利技术涉及静电卡盘
，特别涉及一种静电卡盘的制造方法。

技术介绍

[0002]静电卡盘，也称之为基座，是用于在半导体器件生产制造过程中支撑各种各样基片，例如，晶片，晶片受到外部电极和嵌入在电介质吸盘主体中的电极之间所产生的静电力而固定在吸盘的表面。
[0003]静电卡盘的陶瓷板通常采用烧制而成，采用烧制的方式使得陶瓷板发生弯曲，让陶瓷板表面不平整，进而影响到整个静电卡盘的性能。
[0004]但是，现有技术中，由于静电卡盘的陶瓷板采用烧制而成，影响到静电卡盘陶瓷板的表面平整度，因此，需要一种静电卡盘的制造方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是提供一种静电卡盘的制造方法，能够对提高静电卡盘陶瓷板表面的平整度。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：
[0007]一种静电卡盘的制造方法，包括以下步骤：
[0008]制造所述静电卡盘的主体部和基座，其中制造所述主体部包括以下步骤：
[0009]步骤一：形成陶瓷基板及薄膜电极，所述薄膜电极设置在所述陶瓷基板上；
[0010]步骤二：在所述陶瓷基板上形成介电层，所述介电层覆盖整个所述陶瓷基板的上表面，所述薄膜电极设置在所述陶瓷基板与所述介电层之间；
[0011]步骤三：图形化所述介电层上表面；
[0012]步骤四：在图形化后的所述介电层上表面形成保护层以形成所述静电卡盘的主体部；
[0013]将所述主体部与所述基座粘连为一体以形成所述静电卡盘。
[0014]优选的，所述陶瓷基板为含有氧化铝的陶瓷制成。
[0015]优选的，所述基座为金属铝制造而成。
[0016]优选的，所述保护层的材料为氧化钇。
[0017]优选的，所述介电层通过气溶胶沉积工艺沉积在所述陶瓷基板上。
[0018]优选的，所述介电层包括氮化铝、碳化硅、氧化铝、氧化钇中的至少一种成分。
[0019]优选的，所述薄膜电极的材料为金属或者金属合金。
[0020]优选的，所述薄膜电极通过电路印刷技术形成。
[0021]优选的，所述主体部与所述基座通过粘接剂粘接在一起。
[0022]采用上述技术方案，由于在陶瓷基板上形成介电层，采用气溶胶沉积工艺沉积形成电介层，使得介电层表面的平整度高，更好的实现其作用。
附图说明
[0023]图1为本专利技术一种静电卡盘的制造方法的结构示意图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0025]一种静电卡盘的制造方法，包括以下步骤：
[0026]制造静电卡盘的主体部和基座1；
[0027]将主体部与基座1粘连为一体以形成静电卡盘，主体部制造完成后，在基座1上涂覆粘接剂，在粘接剂上放置静电卡盘主体部，主体部粘接固定在基座1上，粘接剂可以采用以硅胶为基的粘接剂；
[0028]其中制造主体部包括以下步骤：
[0029]步骤一：形成陶瓷基板2及薄膜电极4，陶瓷基板2采用烧结制造而成，薄膜电极4设置在陶瓷基板2上，薄膜电极4也可以嵌设于陶瓷基板2之上；
[0030]步骤二：在陶瓷基板2上形成介电层3，介电层3覆盖整个陶瓷基板2的上表面，薄膜电极4设置在陶瓷基板2与介电层3之间，介电层3采用气溶胶沉积工艺沉积在陶瓷基板2上，通过气溶胶沉积工艺形成介电层3，使得介电层3的平整度好，比烧结而成的陶瓷具有更好的平整度，覆盖整个陶瓷基板2，也将薄膜电极4覆盖，形成位于陶瓷基板2之上的介电层3；
[0031]步骤三：图形化介电层3上表面，根据需要图形化介电层3；
[0032]步骤四：在图形化后的介电层3上表面形成保护层以形成静电卡盘的主体部，保护层用于保护；
[0033]陶瓷基板2为含有氧化铝的陶瓷制成，陶瓷基板2还可以是氮化铝或碳化硅，陶瓷基板2采用烧结而成；
[0034]基座1为金属铝制造而成，或者采用不锈钢材料制造，有利于射频能量的馈入；
[0035]保护层的材料为氧化钇，保护层可以是一层薄层，用于保护介电层3，保护层的厚度可以的0.1毫米到1毫米，保护层具有耐等离子腐蚀性，高硬度，高电阻率和高导热性，通过PEPVD沉积工艺形成于介电层3之上；
[0036]介电层3通过气溶胶沉积工艺沉积在陶瓷基板2上，获得平整度好的介电层3，介电层3气溶胶沉积工艺沉积在陶瓷基板2上，其孔隙率可以达到0.5％；
[0037]介电层3包括氮化铝、碳化硅、氧化铝、氧化钇中的至少一种成分；
[0038]薄膜电极4的材料为金属或者金属合金；
[0039]薄膜电极4通过电路印刷技术形成；
[0040]主体部与基座1通过粘接剂粘接在一起，制造形成静电卡盘；
[0041]采用上述技术方案，由于在陶瓷基板2上形成介电层3，采用气溶胶沉积工艺沉积形成电介层，使得介电层3表面的平整度高，更好的实现其吸附晶圆作用。
[0042]以上结合附图对本专利技术的实施方式作了详细说明，但本专利技术不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本专利技术的保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：制造所述静电卡盘的主体部和基座，其中制造所述主体部包括以下步骤：步骤一：形成陶瓷基板及薄膜电极，所述薄膜电极设置在所述陶瓷基板上；步骤二：在所述陶瓷基板上形成介电层，所述介电层覆盖整个所述陶瓷基板的上表面，所述薄膜电极设置在所述陶瓷基板与所述介电层之间；步骤三：图形化所述介电层上表面；步骤四：在图形化后的所述介电层上表面形成保护层以形成所述静电卡盘的主体部；将所述主体部与所述基座粘连为一体以形成所述静电卡盘。2.根据权利要求1所述的一种静电卡盘的制造方法，其特征在于：所述陶瓷基板为含有氧化铝的陶瓷制成。3.根据权利要求1所述的一种静电卡盘的制造方法，其特征在于：所述基座为金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：李君，石锗元，陈茂雄，肖伟，
申请(专利权)人：君原电子科技海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：